H01L 21/302 — для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка

158633

Загрузка...

Номер патента: 158633

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/302

Метки: 158633

...качестве электрола-инструмента используется, например, вольфрамовая проволока 1 диаметром5 - 50 1 к).Процес. проводится в струе в 1 сокоопо воды с удельным сопротивлением 3 - :10 иол. Ся. Источником питания разрядного промежутка является релаксационный КС генератор импульсов. Анодом служит обрабатываемый образец, катодом - инст 1 в.1 епт. Проволока-инструмент непоерывно перематывается со скоростью 5 - 10 1.1/сея. Напряжение холостого хода на искровом промежутке 10 - ;50 в, рабочий ток Ь - 12 за,М 158633 2 П ) С Д М С Т И 3 О О ) Е Т С Н И 51 Способ изготовления срезов р-т-переходов образцов полупроводниковых приборов для изучения их структуры, отлич а го цийся тем, то, с целью у погнен ия техО.ОГии и сокрягцения Вре)1 ени...

164907

Загрузка...

Номер патента: 164907

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Долгов, Шлионска, Набиуллин, Сладкое, Герцик

МПК: H01L 21/302

Метки: 164907

...обработкг полупроводниковых приборов, г товок кремниевых фотоэлектри р азов ателей, путем травлени щ и й с я тем, что, с целью увел водительности труда и упро поверхности от травителя, не травлению поверхность заготов путем прижатия ее, например с куумного присоса, прижимная торого снабжена кольцевым по стичного и кислотостойкого ма одписная гругнга Л 3 82 Для защиты поверхности полупроводниковых приборов при их обработке путем химического травления известны различные способы нанесения защитных покрытий в виде пленок, например парафина, битума и др.Известные способы защиты не подлежащей травлению поверхности полупроводниковых приборов путем нанесения покрытий достаточно трудоемки.В предлагаемом способе защиту поверхности, не...

280683

Загрузка...

Номер патента: 280683

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/302

Метки: 280683

...уменьшает дефектность поверхностиьх участков монокристалличес ких подложек полупроводников с алмазным типом решегки.Хрупко: разрушение прп воздействии абразива ид полупроводниковый материал с алмазтои реп 1 етой в направлениях (101) 30 плоскостях (010), скольжение на которых чрезвычайно редко в кристаллах с алмазной решеткой, образовавшиеся дислокации являются сидячими, При прогрессирующем образовании добавочных дислокации происходит их кодлесценция с образованием целых пачек дислокаций, ограничивающих края экстраплоскостсй, которые, действуя по типу скалывающего ножа, образуют микротрецПп.11 а основании ме.(апизма генердци дислокации установлено, что для двух направлений с малыми индексами (101) и (121), отличающихся нд угол 90,...

Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине

Загрузка...

Номер патента: 414658

Опубликовано: 05.02.1974

Авторы: Дудко, Колегаев, Кравченко

МПК: H01L 21/302

Метки: совмещения, полупроводниковой, пластине, выполнения, знаков

...сполученные известным способом знаки совмещения не выдерживают длительной высокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за окисления размеры знаков совмещения изменяются, что приводит к изменению расстояний между ними и изменению оптического контраста знаков.Цель изобретения - повышение стойкости знаков совмещения к окислению и обеопечение их высокой контрастности по отношению к окисному слою.Предлагаемый способ отличается тем, что в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолучевой обработки пластины но заданному рисунку, затем методом фотолитографии вскрыдают в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них...

Состав для шлифования полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 545017

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, состав, шлифования, структур

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.К недостаткам известного травителя относится следующее.Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия,Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий...

Способ очистки поверхности кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 693491

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Стенин, Соколов, Французов, Пчеляков, Ковчавцев

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, поверхности, пластин

...во время первого прогрева с поверхности кремния удаляются летучие компоненты, которые остались после стандартной химической обработки, в том числе и естественный окисел, Низкие парциальные давления кислорода и паров воды обеспечивают сохранение гладкой исходной поверхности при прогреве, Углеродсодержащие компоненты после испарения естественного окисла связываются в Кристаллы карбида кремния, Время прогрева 4 - 15 мин,Последующее окисление, производимое при 850 - ИООС, в течение 2 - 8 мин после запуска в камеру сухого кислорода до давления 0,1 - 10,0 торр обеспечивает как окис. ление карбида кремния, так и образование сплошной пленки двуокиси кремния толщиной 25 - 40 А. Пленки тоньше 25 А не обеспечивают полного окисления частиц карбида...

Способ получения рисунка на пленкеалюминия

Загрузка...

Номер патента: 834805

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Яровой

МПК: H01L 21/302

Метки: пленкеалюминия, рисунка

...напыление алюминия на подложку,фотолитографию и сухое травлениепленки, после вакуумного напыленияалюминия на его поверхность наносятв одном технологическом цикле защитный слой металла с коэффициентомраспыления более высоким, чем у алюминия, например, железо. Достижение поставленной цели становится возможным в результате того, что напыление защитного металла на поверхность алюминия в одном технологическом цикле, т.е. в вакууме, защищает алюминий от окисления, а то, что коэффициент распыления металла защитного слоя выше, чем у алюминия, повышает производительность 4 ри дальнейшем травлении, позволяет использовать тонкие слои фоторезиста при фотолитографии, т.е. повысйть разрешение, а также делает процесс травления более равномерным.е...

Устройство для изготовления микрорисун-kob ha изделии

Загрузка...

Номер патента: 851555

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Васичев

МПК: H01L 21/302

Метки: изделии, микрорисун-kob

...и производительность устройства в целом, 40На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит размещенные соосно электронную пушку 1 с управляющим электродом 2, бланкирующую систему 3, 45 формирующую систему 4, отклоняющую систему 5, подключенную к выходу генератора б разверток, вход которого соединен со входом генератора 7 рисунка, один выход которого соединен с бланкирующей системой 3, а другой - со входом блока 8 регулировки параметров электронного пучка, выполненного в виде последовательносоединенных блока 9 памяти, суммирующего усилителя 10 и интегрирующегоблока 11, выход которого подключен к управляющему электроду 2 электронной пушки 1. Обрабатываемое изделие 12 размещают на столе 13. Устройство работает...

Способ формирования рисунков

Загрузка...

Номер патента: 864382

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Гасан, Азаров

МПК: H01L 21/302

Метки: рисунков, формирования

...вещества.Использование легкоподвижного вещест- .ва, наприМер воа, для формирования рисуню86 43 82 Составитель А. Якименко Редакт Н. Минко Тех ед М,Рейвес К ектор Г. РешетникЗаказ 7807/76 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 кв позволяет жгко изменять размеры рисунка и геометрические соотношения его элементов измерением формы и частоты колебаний легкоподвщкного вещества, а использование режима синхронного эксеонирования позволяет улучшить четкость рисунка и изменять пропорции между его элементами.На чертеже схематически изображено устройство для реализации данного способа.П р и м е р . Для...

Способ получения изображения

Загрузка...

Номер патента: 879682

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Коломейко, Погребняк, Гранкин

МПК: H01L 21/302

Метки: изображения

...4 , например серебра, толщиной 0,01-0,05 мкм. После первогоселектинного облучения через трафарет 5 образуется область полупроводникового соединения, легированнаяметаллом. Химическая реакция в растворе, содержащем красную кровянуюсоль и тиосульфат натрия, удаляетостатки слоя 4Второе облучение.распределяет металл иэ областей бна всю толщину слоев 2 и 3Послехимической обработки в щелочном илпониронании дифракционные явления .практически не сказываются на раэре" шающей способности, что объясняется непосредственно контактом легированных областей и основного слоя полупроводника, при котором дифракционные явления сводятся к минимуму.55Следует отметить, что, н случаеиспользования однослойного полупроводникового покрытия, изложенные выше...

Травитель для халькогенидных стекол (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1160483

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Мамедов, Михайлов, Яковук, Днепровский

МПК: H01L 21/302, C30B 29/46

Метки: халькогенидных, варианты, травитель, стекол, его

...74,3. Время. растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают. Измеряют высоту рельефа толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ, Толщина оставшейся пленки - (0,18+0,01) мкм - близка к начальной, Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя времярастворения незасвеченных участков,30 которое равно 10 мнн, Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участковпленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.35 П р и м е р 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Яе , толщиной 0,28 мкм. Для формирования рельеФа используют...

Способ резки монокристаллических слитков

Загрузка...

Номер патента: 1314400

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Звероловлев, Приходько, Гулидов, Харламов, Щуркин, Эйдельман

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...изотропным направлением, для плоскостей типа (111) - преимущественно с направлением типа (110) , Резку слитка на пластины проводят инструментом, режущая кромка которого содержит абразивные зерна разного размера и/или разной твердости на разных сторонах отрезного инструмента. При этом слиток ориентируют так, что в качестве рабочей стороны используют сторону, обработанную более мелким абразивом.Размер основной фракции абразивных зерен на разных сторонах инструмента должен находиться в соотношении 1:0,4-1:0,6.,В качестве более твердого абразива выбирают алмаз, а в качестве более мягкого - сапфир или корунд в соотношении размеров основных фракций 1:1-1:08.Способ резки обеспечивает формирование асимметрично деформированных нарушенных слоев на...

Способ резки монокристаллических слитков

Загрузка...

Номер патента: 1314401

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Харламов, Гулидов, Эйдельман, Звероловлев, Приходько, Щуркин

МПК: H01L 21/302

Метки: монокристаллических, резки, слитков

...качестве твердого абразива берут алмаз, а в качестве мягкого - сапфир. или корунд, После установки круга относительно слитка производят его резку;Глубина деформированной обпасти существенным образом зависит от кристаллографической ориентации направления абразивного воздействия. При направлении движения абразивных частиц вдоль 11121 достигается максимальная склерометрическая твердость, а минимальная соответствует противоположному направлению типа 112,Если вдоль хрупкого направления типа 11121 движутся более крупные или твердые абразивные зерна, а вдоль более пластичного направления типа 1121 - более мелкие или менее твердые абразивные зерна, глубина нарушений выравнивается и пластины не подвергаются излишнему короблению. Так как согласно...

Устройство для двухсторонней механической очистки кремниевых и других тонких круглых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1392602

Опубликовано: 30.04.1988

Автор: Дргач

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, механической, круглых, кремниевых, других, двухсторонней, тонких

...самоочисткасегментов 8 путем взаимного трения,2 ил. конусным пазом, а третья - в видецилиндрического кольца с конусным пазом, установленного соосно с опорнымдиском, на котором также установленымоечные сегменты. Привод всего устройства обеспечивается одним двигателем.11 редлагаемое устройство позволяет производить одновременную очисткудвух сторон полупроводниковых пластинбез дополнительного проведения операции по перегрузке пластин, а такжеулучшить качество очистки преимущественно центральной поверхности пластин при низкой материалоемкости устройства и уменьшении расходов вспомогательных материалах.На фиг.1 изображен профиль устрой"ства; на фиг. 2 - устройство, плоскийразрез.Устройство содержит корпус 1,крышку 2, опорный диск 3,...

Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1199151

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Хайнацкий, Долгополов, Рогачев, Иванов, Сологуб, Кохан

МПК: H01L 21/302

Метки: процессом, плазмохимической, пластин, полупроводниковых

...с преобразователя 1.(кри-: вая А на фиг.2) модулируется модуля-, тором 3 частотой 1 кГц и также подается на тракт усилителя,Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отличается, от 11 , то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя п 6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот). Например, если напряже 4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того, влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто,1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском".пенсировано...

Клеящий состав для крепления полупроводниковых пластин при полировании

Загрузка...

Номер патента: 1725293

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Иванчик, Любак, Вялый, Живов, Богданов

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, клеящий, состав, крепления, пластин, полировании

...и клин пластинпосле полирования увелич,1 вается.При массовом содержании смеситрихлорэтилена с изопропаноломболее 500 мас,ч, например 530 мас.ч.,из-за малой вязкости толщина наносимого на столик состава не првышает 1-2 мкм. В этом случае снижается прочность крепления пластин настолике, что приводит к срыву пластин со столика при полировании.При массовом содер нании канифолименее 80 мас.ч например 75 мас.ч,и церезина более 18 мас.ч., например 20 мас.ч., клеящий состав характе.ризуется низкой прочностью крепления пластин на столике в начальныйпериод полирования, когда температура полировальника находится впределах 293-298 К в результатепроисходит самопроизвольный срывпластин со столика и их бой.При массовом содержании канифоли более...

Способ финишной полировки полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1727178

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Живов, Богданов

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, пластин, финишной, полировки

...химического травления кремния, что приводит к появлению на рабочей поверхности пластин дополнительного количества рисок и царапин. Поддержание давления на пластины меньшего, чем 0,05 10 Па, например 0,0410 Па, затрудняется по техническим причинам, связанным с конструктивными особенностями установок для химико-механической полировки. При продолжительности третьей стадии полировки меньшей, чем 2 мин, например 1,5 мин, съема кремния оказывается недостаточно для удаления матовости рабочей поверхности пластин, а при продолжительности третьей стадии большей, чем 5 мин,например 5;5 мин, появляются дефекты в виде рисок и царапин,Необходимость проведения второй и третьей стадий обработки на одном полировальнике имеет следующее...

Способ изготовления балочных упругих элементов

Загрузка...

Номер патента: 1783596

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Косарев, Четчуев, Куц, Чукалин, Юссон, Завьялов

МПК: H01L 21/302

Метки: упругих, элементов, балочных

...формы сечения; затем20проводят окисление всей пластины с образованными на ней упругими элементами,Указанная толщина ЗЮ 2 обеспечиваетсохранение при травлении формыупругогоэлемента на плоскостях (100) пластины"кремния, а размеры и расположейие окон в 25окисле по отношению к упругому элементупозволяют выдерживать конфигурацию боковых сторон поперечного сечения. Дляполучения высокой точности воспроизведения групповым методом упругих элементов 30на пластине требуется поддержание температуры и времени травления, а стабилизация упругих свойств выполняется за счетупрочнения поверхностного слоя упругогоэлемента термическим окислением всей 35структуры.На фиг, 1 показана стандартная круглая пластина кремния плоскости (100); нафиг, 2 -...

Способ изготовления полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 1786540

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Рябцев, Елисеев, Иевлев

МПК: H01L 21/302

Метки: прибора, полупроводникового

...30 секунд. После контроля блокирующих напряжений наблюдалась следующая картина. У одной группы приборов характеристики улучшились настолько, что стали соответствовать расчетным значениям, поэтому их сразу покрывали КЛТ.У другой группы приборов характеристики практически не изменились и их окончательно браковали,У третьей группы характеристики улучшились, но не достигли расчетных. Эти приборы снова кратковременно травили в течение 10 сек. 10 15 Экспериментальные исследования показали, что данный способ позволяет достичь расчетных характеристик у 50-600приборов, забракованных после изготовле 20 ния с применением способа прототипа Формула изобретения Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление мирование...

Способ химико-механического полирования поверхностей пластин

Загрузка...

Номер патента: 1499622

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Котелянский, Волков

МПК: H01L 21/302

Метки: химико-механического, полирования, поверхностей, пластин

...способствует более быстрому цболее качественному выхаживан 11 юпорр ,1верхцос ти , подавляется ормир ова ни 8на 6 о в ерхнос ти твердого тела О кис ныхи гидр о О кис ных пленок з а счет пр еимущественноГО Образования р а с ТБ О )и45МЫХ КОМПХЕЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЙ С ЭЛЕ"ментамц обрабатываемого материала.Примеры 1-9 выполняют ИЕ)и следую"щих постоянных режимах полирования5 ОЧастота вращения,полнровальникаУдельное дантление на цлас 100-150 г/смтиныРасход полнрующего состЕРИ ПОЛИРОПКЕ(пластиныпредварцтельцообработаны сйободиьп 1 абразивом зернистостью 5 мкм) 10-15 мкм,П р и и е р 1, Для полированияпластин фосфида индия и-типа ориентации (100) используют полируюпфе 1состав, ца 1 л воцы в котором приходится 200 г Б)0)р 80 мл глицерина,60 мл...

Устройство для одностороннего травления пластин

Загрузка...

Номер патента: 1807532

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Павленко, Нестеров

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, травления, одностороннего

...уплотнигеля, один из которых имеет отверстие. Эластичный уплотнительный элемент имеет форму лоткообразного кольца с утолщенными кромками, держатель выполнен в виде кольца с торцевыми канавками и отверстиями, соединяющими торцевые канавки с внут. ренней поверхностью кольца, при этом утолщенные кромки эластичного уплотнительного элемента прижаты двумя уплотнителями к держателю, а держатель зафиксирован в уплотнителе с отверстием, 3 ил. После того, как пластина 10 уложена настолик уплотнителя 3 в горизонтальном положении, в отверстие 7 вставляется медицинская игла (не показана), прокалывается СА утолщенная часть уплотнителя и в камеру напускается сжатый воздух, который приводит устроистео е рабочее состояние 1 фиг. 2). Ф йоСле чего...

Способ прорезания канавок в полупроводниковых пластинах

Загрузка...

Номер патента: 1815695

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Агаларзаде, Прокопенко

МПК: H01L 21/302

Метки: пластинах, прорезания, полупроводниковых, канавок

...Абразивный диск 2 подводят к кромке 5 полупроводниковой пластины и подают по направлению 6 вдоль контура стенки 7 канавки. При этом центр кепрофилированного абразивного диска 2 движется по эквидистантной относительно контура стенки 7 траектории. Радиус кривизныг вершины 8 профиля зависит от угла наклона абразивного диска 2. По достижении заданной глубины канавки абразивный диск 2 отводят по направлению 9 (перпендикулярно оси вращения 3 полупроводниковой пластины) на расстояние, приблизительно равное глубине канавки, подводят к другой кромке 10 полупроводниковой пластины, подают по направлению 11 вдоль контура стенки 12 до заданной глубины канавки и отводят по направлению 9.Задавая программу движения абразивного диска, можно...

Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах

Загрузка...

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Стасюк, Меерталь, Остапчук, Фоминых, Куницин

МПК: H01L 21/302

Метки: селективного, травления, слоя, многослойных, структурах, кремний-металлосодержащего

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Устройство свч-плазменной обработки материалов

Номер патента: 1568805

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Самсонов, Редькин, Аристов, Богомолов, Иванов, Боков

МПК: H01L 21/302

Метки: свч-плазменной

1. УСТРОЙСТВО СВЧ-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ, содержащее реакционную камеру, огибающий ее волновод прямоугольного сечения, электромагниты, газовводы, проходящие перпендикулярно оси камеры через волновод, электрод-пьедестал, выполненный с возможностью осевого перемещения, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности обработки за счет увеличения скоростей травления и осаждения, а также регулирования состава плазмы, оно содержит изолированный от корпуса электрод-газораспределитель, размещенный параллельно электроду-пьедесталу и выполненный с возможностью осевого перемещения.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества обработки, электрод-пьедестал снабжен элементами подогрева и охлаждения.

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Номер патента: 1715133

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Башевская, Тюнькова, Заказнова, Колмакова, Рогов

МПК: H01L 21/302

Метки: химико-механического, арсенида, пластин, галлия, полирования

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку пластины вращающимся полировальником и полирующим составом, содержащим абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно активное вещество и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения плоскостности пластин при сохранении качества поверхности, химико - механическое полирование проводят в два этапа на одном полировальнике, причем на первом этапе удаляют 80 95% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива натриевый цеолит, а на втором этапе удаляют 5 20% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива силиказоль, а в качестве поверхностно активного вещества используют сульфанол при следующем содержании...

Устройство для ионно-плазменной обработки

Номер патента: 1723956

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Семенюк, Трипута, Хоббихожин, Гурин, Хоменко

МПК: C23C 14/02, H01L 21/302

Метки: ионно-плазменной

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ, содержащее вакуумную камеру, в которой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источникам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с отверстием, при этом обрабатываемое изделие размещено на одном из разрядных электродов против отверстия промежуточного электрода, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости ионно-плазменной обработки и уменьшения степени загрязнения обрабатываемого изделия, оно снабжено дополнительным электродом, размещенным на противоположном торце камеры, камера выполнена в виде параллелепипеда, охватывающего разрядный, промежуточный и дополнительный электрод, формы которых повторяет сечение камеры, и присоединенного к нему...

Способ полирования полупроводниковых пластин

Номер патента: 1725704

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Заказнова, Колмакова, Тюнькова, Башевская, Рогов, Белов

МПК: H01L 21/302

Метки: полирования, пластин, полупроводниковых

Способ полирования полупроводниковых пластин, включающий наклейку на каждый спутник трех пластин, размещение спутников в гнездах кассеты на полировальнике, воздействие на пластины вращающегося полировальника и абразивного состава при нагружении пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки, обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра кассеты, от 1,4 до 2,4 м/с и давлении от 5 до 7 кПа, причем используют абразивный состав динамической вязкостью 4 8 сП.

Способ формирования контактных окон в интегральных схемах

Загрузка...

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Довнар, Шикуло, Корешков, Василевич

МПК: H01L 21/302

Метки: схемах, контактных, интегральных, формирования, окон

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников

Номер патента: 1597032

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Яссен, Милявский

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводников, лазерно-стимулированного, травления

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью вниз.

Травитель для полупроводниковых соединений

Номер патента: 670005

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аграфенина, Аграфенин

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, травитель, соединений

Травитель для полупроводниковых соединений, содержащий трехокись хрома и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности пластин кристаллов и пленок полупроводниковых соединений типа А4В4С6 и А4В6С6, он дополнительно содержит уксусную кислоту и воду при следующем соотношении компонентов, вес.%:Трехокись хрома - 2,5 - 10Соляная кислота - 2,6 - 18Уксусная кислота - 1,86 - 12,65Вода - Остальное