H01L 21/28 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в

Страница 2

Способ изготовления матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим индикатором

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Высоцкий, Абаньшин, Митрохин, Кузьмин, Смирнов, Севостьянов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: транзисторов, индикатором, тонкопленочных, жидкокристаллическим, матрицы

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...

Способ изготовления омических контактов к моносульфиду самария

Загрузка...

Номер патента: 1829769

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Смертенко, Ханов, Костюкевич, Ханова, Володин

МПК: H01L 21/28

Метки: моносульфиду, контактов, омических, самария

...через маску так, что оставался чувствительный элемент 45 из ЯаЯ размером 2 х 1 мм, а с двух сторон егобыли образованы контактные площадки 1 х 1 мм, Сначала через такую маску напылялся титан в течение 35 - 330 с со скоростью 5 - 60 оА/с, а затем никель в течение 130 - 670 с со 50оскоростью 6 - 30 А/с. Напыление металлов проводилось при температуре 80 - 240 С.Вольт-амперная характеристика структуры (И 1+Т)-Игпи представлена на черте1829769 Таблица 1 Сопротивление макетов тензорезисторов с контактами (Т+М) при различных режимах напыления Т 1; Тпод.=150 С; режим напыления гЛ: время напыления 1 м=350 с, скорость напыоления Чю=15 А/с. отклонения от омического закона, для которого а= 1.Из зависимости на чертеже следует, что диапазон...

Способ получения контактов к кремниевой подложке

Номер патента: 1602279

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Мелкумян, Абрамян, Петросян, Мкртчян

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, контактов, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000 .

Способ селективного осаждения многослойных металлических покрытий для интегральных схем

Номер патента: 1780458

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Кипарисов

МПК: H01L 21/28

Метки: покрытий, схем, металлических, интегральных, осаждения, многослойных, селективного

СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ на полупроводниковых пластинах из материалов группы AIII BIV, включающий химическую чистку и обработку пластин, нанесение на лицевую поверхность фоторезиста, формирование путем фотолитографии контактной маски, последовательное осаждение на вскрытый рисунок интегральных схем многослойной композиции металлов из водного раствора, содержащего палладий, и слоя золота, удаление маски, отличающийся тем, что с целью обеспечения качества металлизации рисунка с минимальными размерами элементов порядка микрона и увеличения толщины слоев, первый слой многослойной композиции выполнен из аморфного сплава...

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа

Номер патента: 1321313

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Миронов, Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковым, п-типа, контактов, соединениям, омических

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Ткачева, Розес, Сидорова, Кастрюлев

МПК: H01L 21/28

Метки: создания, приборов, металлизации, полупроводниковых

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Способ изготовления омических контактов к арсениду галлия п типа проводимости

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: галлия, типа, контактов, проводимости, арсениду, омических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Способ получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений

Номер патента: 1589927

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Мкртчян, Абгарян, Авакян, Есаян

МПК: H01L 21/28

Метки: контактных, микросварных, золото-алюминиевых, соединений

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЕВЫХ МИКРОСВАРНЫХ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий напыление алюминиевой контактной площадки, формирование промежуточного слоя и термокомпрессорное присоединение золотой проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности соединений путем исключения образования интерметаллических соединений, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, формируют промежуточный слой путем напыления никеля толщиной 3000 и проводят термообработку при температуре 530oС в течение 30 мин.

Способ создания межуровневой изоляции межсоединений больших интегральных схем

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Ткачева, Кастрюлев, Розес, Барсукова

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, создания, интегральных, межуровневой, больших, изоляции, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Зотов, Матвеев, Колмакова, Авдеев

МПК: H01L 21/28

Метки: шоттки, приборов, барьером, индия, фосфиде, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Корольков, Боднар, Кастрюлев

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, многоуровневых, схем, интегральных, больших, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам

Номер патента: 865065

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко

МПК: H01L 21/28

Метки: приборам, контактов, полупроводниковым, омических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.

Способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1829767

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Пономаренко, Бессонов, Баранцев, Костюк

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, приборов, полупроводниковых

...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...

Полупроводниковый прибор и способ его изготовления

Номер патента: 1225426

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Думаневич, Кузьмин, Зумберов

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...

Межэлементные соединения интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1797407

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Василевич, Химко, Довнар, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: схем, интегральных, соединения, межэлементные

...0,3 мкм.Содержание фосфора в ФСС, определенное при помощи рентгенофлуоресцентного анализа, составляло 3,5 мас,. Псаждение плазмохимического нитрида кремния осуще ствлялось на установке Ладас горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками при температуре 300+3 С и вводом мощности сзади при частоте 40 кГц, Плотность мощности при осаждении составила 50 мВт/см, суммарный поток газовой смеси не превышал 2500 см /мин. Использовалась следующая парогазовая смесь: 31 Н 4-КНз-й 2. Давление 110-130 Па. Межэлементные соединения согласно прототипу реализовали при помощи литографии и сухого травления двухслойной структуры для формирования областей для присоединения выводов. Предлагаемые межэлементные соединения интегральных схем реализовали...

Материал контактно-барьерного подслоя для межэлементных соединений

Загрузка...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Семенов, Красницкий, Родин, Дулинец, Турцевич, Довнар, Калошкин

МПК: H01L 21/28

Метки: соединений, межэлементных, контактно-барьерного, подслоя, материал

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Плазмообразующая смесь для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении сбис

Загрузка...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Родин, Сасновский, Корешков, Цыбулько, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, плазмообразующая, плазмохимической, изготовлении, смесь, сбис, разводки, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1814434

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Нижникова, Становский, Бычок, Макарова, Терехов

МПК: H01L 21/28

Метки: многоуровневой, интегральных, разводки, схем

...контактных окон. Использование в качестве плазмообразующего газа СНРз или СР 4 + Н 2 порождает трудности, связанные с низкой скоростью травления диэлектрика и наличием полимерной пленки на дне контактного окна, Нижняя граница времени травления выбрана с учетом необходимости вытравливания максимальной толщины межуровневого диэлектрика. Верхняя граница выбрана с целью предотвращения образования полимерной пленки на дне контактного окна. Экспериментально установлено, что при перетраве диэлектрика, находящегося на поверхности пленки на основе алюминия, в1814434 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ течение времени более 75;4 от времени травления пленки происходит образование полимера на дне контактных окон, для удаления которого требуются спецобработки. Выбор...

Способ изготовления омических контактов

Загрузка...

Номер патента: 1823709

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Стрельцов, Бондарь, Астахова

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических

...контактов к кремнию методом РСД.П р и м е р 1, Берут кремниевую пластину, например, типа КЭФ,5 с открытыми окнами в двуокиси кремния под омический контакт с мел козалегаюшему диффузионному слою и+, помещают ее на катоде устройства плазмы тлеющего разряда и при плотности тока разряда плазмы 0,082мА/см в течение 2 мин проводят очистку поверхности кремния в открытых окнах, затем наносят пленку алюминия толщиной 0,3 - 0,5 мкм методом магнетронного распыления либо термическим испарением в вакууме. После осуществления фотолитографии по алюминию, снова располагают подложку кремния на катоде газоразрядного устройства и осуществляют РСД алюминия в кремний в плазме тлеющего разряда в течение 2 мин при плотности тока разряда плазмы 0.08 мЛ/см ....

Межэлементные соединения

Загрузка...

Номер патента: 1825236

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Турцевич, Козачонок, Довнар, Родин, Малышев

МПК: H01L 21/28

Метки: межэлементные, соединения

...до более 0,15 мкм нецелесообразно, т, к. не приведет к дальнейшему снижению бугорков на поверхности нижележащего рисунка при увеличении удельного сопротивления нижнего уровня межэлементных соединений.Кроме того, верхний предел по толщине пленки для обоих классов материалов обусловлен увеличением коэффициента отражения для света с длинами волн А) - 574 нм (режим совмещения) 12 = 436 нм (режим экспонирования) и ухудшением вследствие этого антиотражающих свойств пленки.Конструкция межэлементных соединений поясняется чертежом, где 1 - полупроводниковая подложка с активными элементами; 2 - диэлектрический слой с созданными в нем контактными окнами; 3 - контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в полупроводниковой подложке; 4 -...

Способ формирования субмикронной электродной системы затворов

Номер патента: 1779202

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Лихтман, Смирнов, Егудин

МПК: H01L 21/28

Метки: электродной, формирования, системы, затворов, субмикронной

1. Способ формирования субмикронной электродной системы затворов СВЧ-полевых транзисторов, включающий создание маски, осаждение в вакууме на неподвижные полупроводниковые пластины, прикрепленные к подложкодержателю, многослойных пленок из тугоплавких и драгоценных металлов, образующих управляющую и токоведущую части электродной системы, и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения расхода драгоценных металлов, управляющую часть электродной системы в виде многослойной пленки из тугоплавких металлов выполняют общей толщиной 0,15-0,2 мкм и осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока от строго...

Способ создания силицидов металлов

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Соколов, Герасименко, Васильев

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: силицидов, металлов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Калинин, Герасименко

МПК: H01L 21/28

Метки: слоев, контактов, мелких, кремния, ним, легированных

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Способ изготовления фотопреобразователей

Номер патента: 1356886

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Майстренеко, Климова, Скоков, Свиридов

МПК: H01L 21/28

Метки: фотопреобразователей

Способ изготовления фотопреобразователей, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой кремниевой подложки твердого источника легирующей примеси, диффузию и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователей за счет улучшения адгезии контактов к подложке и уменьшения глубины залегания горизонтального p-n-перехода и упрощения технологии изготовления за счет совмещения процессов диффузии и формирования контактов в едином термоцикле, в качестве твердого источника легирующей примеси используют слой фосфоросиликатного стекла с содержанием в нем фосфора от 5 до 45% или боросиликатного стекла с содержанием бора от 10 до 50%, формирование...

Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек

Номер патента: 1725701

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Старостина, Пиннекер, Бочвар, Гликман, Ильин, Лысова

МПК: H01L 21/28

Метки: пленочных, токопроводящих, дорожек

Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек, включающий напыление сплава алюминия с марганцем, литографию, травление, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы токопроводящих дорожек за счет повышения их стойкости к электродеградации и улучшения качества их поверхности, в качестве сплава используют следующий, ат.%: марганец 17, алюминий - остальное.

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором

Номер патента: 1623492

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, термокомпенсатором, структуры, соединения

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов к полупроводниковым структурам

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Марончук, Максимов

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковым, омических, балочных, покрытий, выводов, контактов, металлических, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.

Сплав для омических контактов кремниевых структур

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Уверская, Зенцов, Козлов, Кузьмин

МПК: H01L 21/28

Метки: структур, кремниевых, контактов, сплав, омических

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента

Номер патента: 1484197

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Мишанин, Лягущенко, Евсеев

МПК: H01L 21/28

Метки: материал, термокомпенсатора, элемента, выпрямительного, полупроводникового

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%:Вольфрам или - 0,1 - 6Молибден - 0,1 - 9Кремний - Остальное

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Рюмшин, Зайцев, Пинчук

МПК: H01L 21/28

Метки: покрытия, кремниевые, полупроводниковые, химического, структуры, никелевого, контактного, раствор, осаждения

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...