Гурский

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1299028

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Бобченок, Аседовский, Зеленин, Гурский

МПК: B23K 35/24

Метки: прокладка, кремниевых, кристаллов, контактно-реактивной, пайки

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов, содержащая золото, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины остаточных механических напряжений в кристалле, она дополнительно содержит порошок силицида гафния с размером частиц 2-7 мкм при следующем соотношении компонентов, мас.%: Силицид гафния15-30 ЗолотоОстальное

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 928736

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Конюшенко, Зеленин, Урецкий

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, приборов, припой, пайки, полупроводниковых

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Загрузка...

Номер патента: 1176728

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Снитовский, Гурский, Готлиб, Зеленин

МПК: G02F 1/13

Метки: индикаторов, жидкокристаллических

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий нанесение на две стеклянные подложки групп прозрачных токопроводящих областей, контактных площадок и внешних электродов, нанесение поверх них защитного диэлектрического слоя двуокиси кремния, разделение подложек на пластины, нанесение на пластины слоя, задающего ориентацию жидкого кристалла, соединение пластин попарно по периметру герметизирующим веществом, удаление участков диэлектрического слоя с внешних электродов путем травления в кислородсодержащей плазме, заливку жидкого кристалла в пространство между пластинами, герметизацию и создание контакта между внешними электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Загрузка...

Номер патента: 1294144

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Снитовский, Тарасевич, Зеленин, Гурский, Готлиб

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на одной подложке прозрачных токопроводящих электродов, а на другой прозрачных сплошных областей токопроводящих электродов, разделение подложек на сегментные и общие пластины, нанесение на каждую пластину ориентирующего слоя, соединение пластин, заполнение полости между ними жидким кристаллом, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных индикаторов и улучшения качества изображения, прозрачные токопроводящие сегментированные электроды формируют катодно-реактивным напылением пленки In 2O3SnO2, толщиной 0,1-0,12 мкм, в кислородно-аргонной плазме с последующей ее...

Испаритель для нанесения нихромовых пленок

Загрузка...

Номер патента: 1120706

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин

МПК: C23C 14/26

Метки: испаритель, пленок, нихромовых, нанесения

1. Испаритель для нанесения нихромовых пленок, состоящий из нихромовых проволочных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы, он снабжен стержнем из нихрома, а проволочные элементы выполнены в виде спиралей, одна из которых навита на стержень и между ее витками размещена смесь из порошков хрома и никеля, а другая навита на стержень между витками первой, причем шаг t между витками первой и второй спиралей выбран из выражения 1,4 d t 1,9 d, где d - диаметр проволоки.2. Испаритель по п.1, отличающийся тем, что соотношение...

Способ сборки жидкокристаллического индикатора

Загрузка...

Номер патента: 1471870

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Силич, Готлиб, Гурский, Снитовский, Зеленин

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллического, сборки, индикатора

Способ сборки жидкокристаллического индикатора, включающий нанесение по периметру общей пластины склеивающей термореактивной полимерной прокладки на основе эпоксидноноволачного блоксополимера, в который введены распорные элементы, размещение на общем электроде припойного материала переходного контакта, совмещение рисунков электродов общей и сегментной пластин и соединение пластин склеивающей прокладкой под действием температуры и давления 45-100 кПа, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности и снижения сопротивления переходного контакта при соединении пластин, их нагревают до температуры плавления прокладки, как минимум одной из них сообщают вынужденные ультразвуковые...

Сплав на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 923215

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Конюшенко, Гурский, Зеленин, Савотин

МПК: C22C 21/14

Метки: алюминия, сплав, основе

Сплав на основе алюминия, содержащий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения электромиграционной стойкости сплава при повышенных температурах, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: медь1,0-8,0 окись алюминия0,1-8,0 кремний0,5-1,5 циркон0,1-2,0 алюминийостальное

Способ изготовления жидкокристаллического индикатора

Загрузка...

Номер патента: 1409031

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Гапонов, Готлиб, Зеленин

МПК: G02F 1/13

Метки: индикатора, жидкокристаллического

Способ изготовления жидкокристаллического индикатора по авт. св. 1176728, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности индикатора, герметизацию заливочного отверстия производят при нагреве ячейки до температуры, на 10-30°С превышающей верхний предел диапазона рабочих температур индикатора.

Способ обработки тонких проводящих пленок мопи мп-систем

Загрузка...

Номер патента: 1345956

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Скрипниченко, Чачин, Гурский, Мелещенко, Конюшенко, Зеленин

МПК: H01L 21/268

Метки: проводящих, мопи, пленок, тонких, мп-систем

Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·1011(0,1 - 1,2) Дж/Ом·м и K f = 26,79·1011(0,1 - 1,0) Гц/Ом - коэффициенты...

Мишень для магнетронного распыления в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 1580860

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Столетов, Корж

МПК: C23C 14/32

Метки: мишень, распыления, магнетронного, вакууме

Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из материала, коэффициент линейного расширения которого превышает коэффициент линейного расширения материала диска, и жестко соединены с поверхностью углублений, причем их толщина составляет 0,3-0,5 толщины диска.

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1059778

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Овсянников, Зеленин, Гурский, Конюшенко

МПК: B23K 35/28

Метки: пайки, полупроводниковых, кристаллов, припой, приборов

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Загрузка...

Номер патента: 1405533

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Готлиб, Зеленин, Долганов, Гурский

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на стеклянных пластинах прозрачных электродов, нанесение поверх электродов ориентирующего слоя, выполненного из полимера, удаление этого слоя в местах расположения герметизирующего вещества, соединение пластин попарно по периметру герметизирующим веществом и заливку в образованную между пластинами полость жидкокристаллического вещества, отличающийся тем, что, с целью повышения влагоустойчивости жидкокристаллических индикаторов, удаление ориентирующего слоя осуществляют локальным нагревом сфокусированным лазерным излучением.

Сплав для резистивных пленок и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 1281058

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Зеленин, Гурский, Жебин

МПК: C22C 1/02, C22C 3/00, H01C 7/00 ...

Метки: пленок, сплав, резистивных

1. Сплав для резистивных пленок, содержащий кремний, железо, хром и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью снижения разброса удельного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента сопротивления резистивных пленок, он содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний32,3-33,0 Железо35,7-37,2 Хром13,0-13,7 ВольфрамОстальное 2. Способ получения сплава, включающий плавление компонентов в...

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек

Загрузка...

Номер патента: 1105022

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Кутилов, Гурский, Сигалов, Покрышкин

МПК: G01N 21/47, G01N 21/88

Метки: полупроводниковых, подложек, качества, поверхности

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек, содержащее смонтированный на станине предметный столик, расположенные на одной оптической оси лазер, коллиматор и полупрозрачное зеркало, видикон и видеоконтрольное устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения качества контроля, оно дополнительно снабжено механизмом разделения потоков, состоящим из штыревых фиксаторов, пневматического сопла и светочувствительных датчиков положения полупроводниковой подложки, блоком импульсов запуска, генератором развертки, ключом, видеоусилителем, первым компаратором, задатчиком уровня срабатывания первого компаратора, первым счетным...

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1321261

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Снитовский, Гурский, Зеленин, Готлиб

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на две стеклянные подложки последовательно наносят электропроводящее покрытие, содержащее группы прозрачных областей, контактные площадки и внешние электроды, и защитный диэлектрический слой двуокиси кремния, удаляют участки диэлектрического слоя с внешних электродов ионно-химическим травлением в скрещенных электрическом и магнитном полях, разделяют подложки на пластины, наносят на пластины ориентирующий жидкий кристаллический слой, соединяют пластины попарно путем установки по периметру между ними прокладки, герметизируют их по периметру, заливают жидкий кристалл в пространство между пластинами через...

Сплав на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 882236

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Бобков, Зеленин, Гурский, Царев

МПК: C22C 21/12

Метки: алюминия, сплав, основе

Сплав на основе алюминия, включающий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезионных свойств, он дополнительно содержит магний при следующем соотношении компонентов, мас.%: Медь0,1-8,0 Окись алюминия0,1-8,0 Кремний0,5-1,5 Магний0,5-5,0 АлюминийОстальное

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Загрузка...

Номер патента: 1426279

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Снитовский, Зеленин, Готлиб, Гурский

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на стеклянных пластинах формируют прозрачные токопроводящие электроды, наносят поверх электродов ориентирующий слой из органической пленки, соединяют пластины попарно по периметру, заполняют образованную между пластинами полость жидким кристаллом, герметизируют отверстия и образуют неуправляемые знаки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения путем выполнения неуправляемых знаков в одной плоскости с синтезируемыми, неуправляемые знаки образуют до соединения пластин местным нагревом по крайней мере одной из стеклянных пластин со сформированным на ней ориентирующим слоем.2. Способ...

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов

Загрузка...

Номер патента: 1289308

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Готлиб, Рубцевич, Дударчик, Гурский, Зеленин, Паничев

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, немагнитных, вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации областей травления и увеличения скорости их травления путем повышения концентрации ионов над заданными областями пластин, система формирования магнитного поля снабжена полюсными накладками, выполненными в виде свободных масок, и установлена между парой электродов на одном из них.

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в мдп-структурах

Загрузка...

Номер патента: 1526515

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структурах, дозы, поглощенной, мощности, ионизирующего, излучения

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и...

Способ измерения удельного контактного сопротивления

Загрузка...

Номер патента: 1284430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Зеленин, Гурский, Бобченок, Автюшков

МПК: H01L 21/66

Метки: сопротивления, удельного, контактного

Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление удельного контактного сопротивления по формуле где U = U1 - U2;S к - площадь...

Установка ионного легирования

Загрузка...

Номер патента: 1144560

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Гурский, Круковский, Автюшков, Борисов, Бобченок

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования, ионного

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со...

Устройство для измерения характеристик мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1143197

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Гурский, Сигалов, Покрышкин, Таратын

МПК: G01R 31/26

Метки: характеристик, мдп-структур

Устройство для измерения характеристик МДП-структур, содержащее генератор тестового сигнала и генератор напряжения смещения, выход которых соединены с первой клеммой для подключения испытуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, усилитель напряжения, вход которого также соединен со второй клеммой для подключения испытуемой структуры, сумматор, логический элемент "И", блок задержки, блок сравнения, выход которого соединен со стробирующим входом блока измерения напряжения, выход которого соединен с первым входом блока обработки и отображения информации, отличающееся тем, что, с целью...

Установка ионного легирования

Загрузка...

Номер патента: 1292601

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Симонов, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и...

Способ изготовления омических контактов

Загрузка...

Номер патента: 1163765

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Войтик, Бобченок, Автюшков, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

Загрузка...

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Гурский, Бобченок, Борисов, Автюшков

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, планарного, создания, транзистора, кремниевого

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Кисляк, Гурский, Зеленин, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: приборов, полупроводниковых, контактов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Способ изготовления пленочных резисторов

Загрузка...

Номер патента: 1358653

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Шишмолин, Гурский, Зеленин, Жебин

МПК: H01C 17/00, H01C 3/00

Метки: резисторов, пленочных

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на 30-50 K ниже температуры начала рекристаллизации резистивной пленки в течение 40-60 мин, а импульсную токовую тренировку осуществляют перед подгонкой сопротивления импульсами длительностью 10 -5 - 5·10-4 с, причем амплитуду каждого последующего импульса увеличивают на 3-5 В и...

Способ измерения напряжения инверсии мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1464810

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Сигалов, Гурский, Покрышкин

МПК: H01L 21/66

Метки: инверсии, мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряжение смещения изменяют со скоростью 101-10 3 В/с, периодически выдерживают его на постоянном уровне, осуществляя в эти моменты дифференцирование, а напряжение инверсии определяют по напряжению смещения, при котором производная становится больше нуля.

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: H01L 21/66, G01N 27/22

Метки: легирующей, полупроводниках, профиля, концентрации, примеси

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .

Устройство для вакуумно-плазменного травления

Загрузка...

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Зеленин, Готлиб, Гурский, Григоров

МПК: H05H 1/00, H01L 21/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...