Гальцев

Полупроводниковая структура

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Глущенко, Петров, Гальцев

МПК: H01L 29/72

Метки: структура, полупроводниковая

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Способ изготовления источника диффузионного легирования

Номер патента: 1347794

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Душкин, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/225

Метки: легирования, источника, диффузионного

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ , включающий теpмическую обpаботку пластин нитpида боpа в окисляющей сpеде, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности источника диффузионного легиpования, на пластины нитpида боpа наносят слой двуокиси кpемния и последующую теpмическую обpаботку пpоводят до полного пеpехода слоя двуокиси кpемния в каплевидные фоpмы боpсиликатного стекла пpи 1000 - 1200oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слой двуокиси кpемния наносят толщиной 0,5 - 1,5 мкм.

Способ получения стержневых отливок из поликапроамида

Загрузка...

Номер патента: 1750193

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Хох, Гальцев, Ожегов, Москов, Фролов, Колганов

МПК: C08G 69/18

Метки: отливок, стержневых, поликапроамида

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕРЖНЕВЫХ ОТЛИВОК ИЗ ПОЛИКАПРОАМИДА путем анионной активированной полимеризации капролактама, включающий плавление лактама, сушку барботированием инертного газа, приготовление растворов активатора и катализатора в расплаве капролактама, смешение полученных растворов, заполнение полученной смесью нагретой формы, выдержку смеси в форме при температуре полимеризации под давлением, прикладываемым одновременно с заливкой смеси в форму, распрессовку формы и охлаждение отливок, отличающийся тем, что, с целью снижения пористости стержневых отливок с соотношением длины и диаметра 10 - 30, выдержку смеси в форме при температуре полимеризации проводят под давлением 1 - 8 кгс/см2.

Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Колычев, Глущенко

МПК: H01L 21/28

Метки: структур, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Способ изготовления транзисторных структур

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Способ изготовления планарных -переходов

Загрузка...

Номер патента: 671601

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Гальцев

МПК: H01L 21/22

Метки: планарных, переходов

...создают контакт 7 мент вкаочения кольца40 к сформированнойобластй 5, 6,Наиболее блйэким техническим речке- Пример. Полупроводниковыйматеринием является способ изготовления планар- ал кремний, поверхность пластин которого ных р-п-переходов, включающий создание в: сориентирована в кристаллографической переходном полупроводйиковом теле одно- плоскости 100), подвергают термическому . го типа проводимости области противопо окислению, Режим-комбинированнаясреложного типа проводимости путем да увлажненного и сухого кислорода. Т- диффузии через маску. 1100 - 1200 С. В выращенном термическомСпособ предусматривает создание ба- окисле 10 г толщиной. достаточной для мазовой области, змиттерной области, рас- скирования от последующих операций...

Способ изготовления вч транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Гальцев, Бреус

МПК: H01L 21/265

Метки: транзисторных, структур

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Способ изготовления вч р -р транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 845678

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Аноприенко

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторов

...слой бтолщиной 0,4 мкм, Далее фотогравировкойв маскирующем слое б вскрывают окно 7через которое формируют и -область подла 0гированной пассивной базы 8 с целью сжения последовательного сопротивле:имежду эмиттерным и базовым котактомДиффузию осуществляют из греххлористоО Фостора РС 1, в две стадии, загон куфооа ведут при температуре 9800 Гизкотемпературная разгон ка ,Т,":сухОЙ и уэлд)кненной вОдяными парами среде со следующими дйффузионьк 1 и параметрами: Й. 15 омlг и Х=2 м,.толщиной окисла 9- 0,35 мкм. Далее в "зокисла б с помощью фотогравировки вскрывают окно 10. через которое диффузией бора и формируют эмиттернуО Обэсть 11.45Диффузию осуществляют из борного ангидрида В 20 з в две стадии, Первая стадия - загонка проводится при...

Способ изготовления мощных вч и свч транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: свч, транзисторов, мощных

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Планарная транзисторная структура

Загрузка...

Номер патента: 1272927

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Татьянин, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 29/73

Метки: планарная, транзисторная, структура

...заряда основных носителей ТЬка - электронов), расположенной в высакаомцой полупроводниковой 2 подлояскепленарной базовой аблас" тц 2 второго типа проводимости, эмгсттерцых областей 3 первого типа проводимости, йасснвирующего Обнасти с поверхности структуры, днэлектри" 25 ческога покрытия се толщиной с 1 ц с положительным знаком пастолцйага заряда коцтагстцьхх огсац 5 ц 6 соответственно к базовой и эмиттерцой Облас лм ц метахглпзцрОезаглньпс к ц 1 гм кантк" ЗО тов 7 и 8, 9 в , граница не расппгреннай эа пределами контактов базовой 7 и эмцттерцой 8 металлизацней, а 10 и, 1 - расширенные вне контактов и базовой облстц соответственно безовыс и эмиттерцые металлизированные контакты с постолццой длиной а12 и пснрцной /с 1 13 промежутка...

Способ изготовления быстродействующих транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Грищук, Красножон, Глущенко

МПК: H01L 21/306

Метки: структур, быстродействующих, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Способ управления источником сварочного тока

Загрузка...

Номер патента: 1786622

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гальцев, Джура, Ремха, Ганоченко

МПК: H02M 7/48

Метки: источником, сварочного

...с управляющимвоздействием задающего блока 16, и протекания зарядных токов конденсаторов ЯСцепей и узлов искусственной коммутации,Например, при поступлении управляющего сигнала 017-1 на коммутирующий тиристор 24 в цепях: "+" - 9 - 7 - ЗО - 24-29-2-3 - 39-38: - "-" и "+" -9 - 7 - 30 - 24 - 47 - 46-31 - "-" протека./ют зарядные токи, В результате к первичнойобмотке трансформатора 2 прикладываетсяимпульс экспоненциально изменяющегосянапрякения, а на его вторичной обмоткеформируется ограниченное напряжениеОь,При поступлении в эту же половину периода импульса управления 0172 на тиристор 26 аналогично образуются цепи; "+" -9-7-30-26-28-3-2-43-42 - "-" "+" - 9 - 7 - ЗО -26 - 51 - 50-31 - "-" и формируется напряжение 02 х,При смене...

Способ определения угла входа пули в преграду

Загрузка...

Номер патента: 1751640

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Гальцев, Леонтьев, Бахтадзе

МПК: F41J 5/00

Метки: входа, угла, преграду, пули

...считать ориентировочное определение угла входа пули в йреграду, 4 основанное на эмпирических выводах, но- (Я сящих в большей степени субъективный ха- а рактер.Цель изобретения - повышение точности определения угла входа пули в преграду,Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения угла входа пули в преграду, основанному на фиксации а входного пулевого повреждения с прилегающим к нему на наружной поверхности преграды поясками обтирания или осаднения, измеряют максимальную ширину поясков обтирания или осаднения через центр пулевого повреждения, измеряют расстояние от центра пулевого повреждения до видимых границ вытянутой части поясков обтирания1751640 Формула изобретенияСпособ определения угла входа пули впреграду,...

Электромагнитно-акустический преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 1744642

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Гальцев, Толипов, Гуревич

МПК: G01N 29/24

Метки: электромагнитно-акустический

...внутри индуктора, представляющего собой два располокенных в параллельных плоскостях сооснцхэлектропровадящих кольца с гальванической связью между ними.При подаче на преобразователь электрического сигнала токи в кольцах протекаютв одинаковых направлениях, поэтому ЭДС,наводимые токами в катушках, взаимноуничтожаются и на вход усилителя электрический сигнал не поступает, что сокращает"электронную" мертвую зону.При приеме упругих волн токл в кольцахпротекают в противоположных направлениях, в результате ЭДС, наводимые токами вкатушках, суммируются,Генератор оказывается нагружен наниэкоомную нагрузку, а на усилитель подается сигнал с высокоомных катушек, В результате повышается эффективностьрегистрации ультразвуковых волн,На фиг. 1...

Устройство для определения характеристик направленности электромагнитноакустического преобразователя

Загрузка...

Номер патента: 1744637

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Маскаев, Гуревич, Гальцев

МПК: G01N 29/04

Метки: характеристик, преобразователя, направленности, электромагнитноакустического

...подключенный к катушке 3 индуктивности ЭМАП, установленной на плосксм торце образца 1, последовательно подключенные пьеэопреобразователь 4, установленный у сферической поверхности образца 1, усилитель колебаний 5 и индикатор б, последовательно включенные термопару 7, пптенциометр 8, регулятор 9 тока и индуктор 10, охватывающий образец 1 у плоского торца, последоватегьно соединенные вторую термопару 11, второй пстенциометр 12 и блок 13 управления с электроклапаном 14 и охватывающую сферический конец образца 1 рубашку 15, термопары 7 и 11 установлены соотве гственно у г.лоского и сферического торцов образца 1, Когпролыруемый ЭМАП включает катушку 3 индуктивности, подключенную к генератору 2, и систему намагничивания в виде полюсов...

Устройство для ультразвукового контроля металлических изделий при нагреве

Загрузка...

Номер патента: 1739191

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Гуревич, Гальцев

МПК: G01B 17/02

Метки: ультразвукового, нагреве, металлических

...двух электромагнитных клапа- нов, включенных в водяную и пневматическую сети трубопровода и сопла (не показаны), Бок 12 состоит из процессора интерфейса, оперативного запоминающего . устройства (ОЗУ) и постоянного запоминающего устройства (ПЗУ) (не показаны),Устройство для ультразвукового конт- роля металлических изделий при нагреве работает следующим образом.Для осуществления ультразвукового ,контроля изделия 4 оператор включает блок питания (на чертеже блок питания и его связи с другими блоками не показаны) и синх-, ронизатор 1. Импульсы от синхронизатора 1 поступают на вход генератора 2 и на второй вход счетчика 7. Счетчик 7 обнуляется. Генератор 2 формирует импульсы тока, поступающие на преобразователь 3, где они преобразуются в...

Устройство для контроля состояний сложных динамических систем

Загрузка...

Номер патента: 1725231

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Казаков, Гальцев

МПК: G06F 15/46

Метки: состояний, систем, сложных, динамических

...с входами элемента 9 и первыми входами эле-, ментов 11 группы 10, вторые входы которых соединены с выходами блока 3 памяти, входы которого соединены с выходами регистра 2 и вторыми входами входов элементов 7 группы 6. Выходы блока 4 памяти соединены с группой входов 16 счетчика 5, вход 17 которого соединен с выходом формирователя 8 импульсов, вход которого подключен к выходу элемента 9. Выход генератора 13 тактовых импульсов соединен с входом 18 элемента 14, выход которого соединен с входом 19 регистра 1, с входом 20 регистра 2 и с входом 21 счетчика 5, выход которого соединен с входом 22 элемента 12, группа входов 23 которого соединена с выходами группы 10, а выход элемента 12 соединен с входом 24 элемента 14 и является выходом...

Устройство для контроля состояний сложных динамических систем

Загрузка...

Номер патента: 1716483

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Казаков, Гальцев

МПК: G05B 23/02

Метки: динамических, сложных, состояний, систем

...которого является входом устрой-. 40 ства для подключения выходов контролируемой системы. Выход элемента 14 соединен с входом 37 регистра 2.Выходы группы 8 связаны с входами элемента 10, выход которого - с входом 45 38 элемента 16, выход которого сое"динен с входом 39 элемента.1 и является выходом устройства.Настройка устройства на конкретную систему осуществляется загрузкой в блоки 3 и 4 для каждого состояния системы переходного инварианта и Ко" да, характеризующего длительность про" текания переходного процесса соответ- ственно. Переходной инвариант пред- . 55 ставляет собой двоичный вектор, содержащий единицы в трех разрядах, со-. держимое которых в кодах состояний не меняется при переходе в любое из допу" 6отимых состояний. В...

Устройство для определения характеристик направленности электромагнитно-акустического преобразователя

Загрузка...

Номер патента: 1658075

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Гуревич, Гальцев, Маскаев

МПК: G01N 29/04

Метки: направленности, характеристик, электромагнитно-акустического, преобразователя

...магнита 16, установленных вблизи плоского торца образца 1.Устройство работает следующим образом,Высокочастотный ток, поступающийот генератора 2 к ЭИА-преобразователю, эа счет объемной магнитострикциив области парапроцесса при повышенных температурах материала образца 1возбуждает упругие продольные волны.Область парапроцесса достигается сильным магнитным полем магнита 16 ЭМАпреобразователя25ТермоЭДС с термопары 7 через потенциометр 8 поступает на регулятор9 цилиндрического индуктора 10. Индуктор 10 нагревает плоский торец образца 1 до температуры, близкой точкеКюри, что увеличивает эффективностьвозбуждения в ферромагнитном образце1 продольных ультразвуковых волн ЭИАпреобразователем,Для повышения точности измерениянеобходимо...

Устройство для рентгенофлуоресцентного анализа

Загрузка...

Номер патента: 1427987

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Бердиков, Гальцев, Иохин

МПК: G01N 23/223

Метки: рентгенофлуоресцентного, анализа

...анализ на содержание в пробе разных сочетаний химических элементов. 45Перестройка конусной сборки кристаллов на другой энергетический диапазон осуществляется путем изменения расстояний коллиматор-детектор и коллиматор-середина отражающей поверхности кристалЛа 9 конусной сборки.В устройстве расстояние каллиматор-детектор изменяется, что необхо-. дима для перестройки конусной сборки 4 кристаллов. Цилиндрическая сборка 5 в предлагаемом устройстве перемещается вдоль оси ОУ, но ана всегда располагается так, что расстояния коллиматор-кристалл и кристалл-детектор равны друг другу. Это обеспечива-" ет Регистрацию излучения, Отраженного под углом Брэгга От цилиндрической сборки 5 кристаллов. После такого перемещения цилиндрическая сборка...

Устройство для рентгенофлуоресцентного анализа

Загрузка...

Номер патента: 1336706

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Иохин, Гальцев, Бердиков

МПК: G01N 23/223

Метки: анализа, рентгенофлуоресцентного

...кристалл-детектор равны друг другу. В этом случае радиус сборки определяет угол Брэгга 8, а следовательно, для данного типа кристалла и энергетический диапазон излучения, регистрируемого детектором 6. При перестройке анализатора на другой диапазон исследуемых элементов гибкую ленту с кристаллами надевают на цилиндрическую оправКу, радиус которой обеспечивает нужный для настройки на данную энергию угол Брэгга,Затем эту оправку со сборкой 4 кристаллов на ней устанавливают на общее для всех оправок основание 7.Излучение пробы, отраженное от кристаллов, попадает на детектор 6 и регистрируется им.Фокусировка лучей, падающих с йротяженного источника излучения (каковым является проба), происходит с помощью коллиматора 3, который расположен...

Устройство для рентгенофлуоресцентного анализа

Загрузка...

Номер патента: 1549323

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Гальцев

МПК: G01N 23/223

Метки: анализа, рентгенофлуоресцентного

...3 с кристаллами 10 перемещаются по радиальным лазам 8 корпуса1 одновременно и с одинаковой скоростью, что приводит к изменению радиуса сборки кристаллов, д следовательно, и энергии настройки устройства, Стыковка кристаллов внахлест исключает появление просветов между ними при увеличении радиуса и связанном с эти уменьшении ее светосилы.При этом кристаллы поворачиваютсявокруг оси, проходящей через точкиих крепления, плотно прижимаясь всевремя друг к другу под действиемгибкой стяжки. Для осуществления перестройки на нужную энергию при непрерывной работе устройства в его конструкцию введен указатель 20, проградуированный в единицах энергии,базируемый на внешней стороне корпуса кристаллодержателя. элементов создано устройство,...

Способ акустического контроля движущихся ферромагнитных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1492268

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Каунов, Гальцев, Гуревич, Маскаев

МПК: G01N 29/04

Метки: движущихся, ферромагнитных, акустического

...Кюри, охлаждают, например, воздушнойсмесью, подаваемой при помощи сопла 2на расстоянии от зоны ввода и приемаакустических колебаний от катушкииндуктивности), выбранном из условияполучения максимальной величины сигнала на катушке 4 индуктивности,Возникновение ультразвуковой волны объясняется явлением магнитострик Оции, причем амплитудное значение ультразвукового сигнала пропорциональновеличине 39 /ЭН, где % - константамагнитострикции; Н - напряженностьполяризующего магнитного поля, Известно, что величина Э / Э Н максимальна в точке Кюри (6 ) железа иосплавов на его основе (770 С), поэтому амплитуда у.з. сигнала имеет максимум в точке Кюри (фиг.3), Как вццно из Фиг.1, эона контроля должнабыть расположена в той части...

Устройство для сравнения чисел в системе остаточных классов

Загрузка...

Номер патента: 1427358

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Краснобаев, Пеньков, Медведев, Гальцев, Горбенко

МПК: G06F 7/04

Метки: чисел, классов, системе, сравнения, остаточных

...19, ачисло В - в регистре 18, Если КК,то с выхода "Равно" блока 9 сигналпоступает на первые входы элементовИ 21, 22, 23, при этом если= = 0или с = Я = 1, то сигнал с инверсного выхода сумматора по модулю два 20открывает третий элемент И 21, выходной сигнал которого открывает группыэлементов И 10, 11, и в этом случаев регистрах 18 и 19 содержатся равныечисла, т,е. А = В; если= О, 3 = 1,то с прямого выхода, сумматора 20 сигнал цоступает на первые входы элементов И 24,.25, сигнал с выхода первогоподрегистра ( = 1) через элементыИ 25, 22 и элемент ИЛИ 26 открываетгруппы элементов 13 и 15, аналогичновышеприведенному случаю А В, еслиО(= 1, Д = О, то будут открыты группы элементов И 12, 14,Формула изобретенияУстройство для сравнения чисел в...

Стабилизирующий источник питания

Загрузка...

Номер патента: 1408431

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Гальцев, Шевцов, Сарычев, Фомин

МПК: G05F 1/577

Метки: питания, стабилизирующий, источник

...с соответствующей из пар выводов для подключения дополнительных нагрузок (например с выводами 20.1 и 21.1, 20.Х и 21.Х).Источник питания работает следующим 5 образом.Входное напряжение Е складывается снапряжением вольтдобавки, трансформируемым во вторичные обмотки 5 и 6.1 - 6,Х выходного трансформатора 3 регулируемого преобразователя 2 напряжения. Суммирование напряжений в канале, охваченном обратной связью, осуществляется выпрямителем 11, а в остальных М каналах выпрямителями 12.1 - 12 М Напряжение с выхода выпрямителя 11 через фильтр 14 поступает на выводы 18 и 19 и на вход блока 1 управления. В последнем осуществляется импульсная модуляция сигналов, подводящихся к управляющему входу регулируемого преобразователя 2 напряжения. Таким...

Частотный асинхронный электропривод с экстремальным управлением

Загрузка...

Номер патента: 1283930

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Безаев, Данилкин, Голыгин, Гальцев

МПК: H02P 7/42

Метки: частотный, экстремальным, асинхронный, управлением, электропривод

...(фиг. 2 в). После этого сигналы с выходов компа раторов , 8 и 9 и ицверторов 10, 11 и 12 поступают на входы "1" логических элементов 13-18 И 2, на вторые входы которых приходят импульсы с ситемы 5 управления автономного инвертора 3 напряжения, которые синхронизированы с моментами открытия и закрытия тиристоров автономного инвертора 3 напряжения. Соответствующие импульсы системы 5 управле ния показаны на фиг. 2 г, д. Таким образом, логические элементы 13- 18 И 2 выделяют соответствующие импульсы, длительность которых равна углу протекания тока диодов обратного 45 моста, так как в момент закрытия тиристора ток замыкается через соответствующий диод обратного моста. Время, в течение которого ток будет протекать через соответствующий диод...

Консольная опалубка

Загрузка...

Номер патента: 1259048

Опубликовано: 23.09.1986

Автор: Гальцев

МПК: E04G 11/20

Метки: опалубка, консольная

...несущейрамы 1 крепятся опорные катки 14.Каждый зацеп 3 состоит из коробки 15,пальца 16 и вилочной пластины 17,входящей в зацепление с оголовком18 крепежного анкера 4. Каждый зацеп3 установлен во внутреннюю полость19, образуемую жестко закрепленнымик вертикальным элементам 7 опалубочного щита 2 верхних 20 и нижних 21направляющих. Палец 16 зацепа 3 входит в пазы 22 опорных пластин 23,жестко закрепленных к несущей раме1. Палец 24 шарнира 8 входит в овальные отверстия 25, выполненные в верполного раскрепления опалубки несущаярама 1 под действием собственного весаперемещается вниз, палец 16 скользитпо наклонным паэам 22 опорных пластин23 и отводит зацеп 3 вправо. 7 ил. 1тикальных элементах 7 опалубочногощита 2. В нижней части опалубочногощита...

Асинхронный электропривод с экстремальным управлением

Загрузка...

Номер патента: 1251273

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Данилкин, Безаев, Голыгин, Гальцев

МПК: H02P 1/36

Метки: электропривод, асинхронный, экстремальным, управлением

...11. Импульсы отрицательной полярности, проходя через диод 11 (фиг. 2 д), поступают на вход триггера 12. Для установки триггера в начальное нулевое положение нг его синхронизирующий вход подается сигнал для установки его в нулевое положение при подключении тиристорного регулятора напряжения 2 к сети, Таким образом, каждый раз импульсы отрицательной полярности перебрасывают триггер в другое устойчивое состояние, так что на его выходе будут импульсы прямоугольной формы, длительность которых равна 180 эл..град. (Фиг, 2, е). Данные сигналы, йоступая с выхода триггера 12 на синхронизирующий вход 3 тиристорного регулятора напряжения 2, обеспечивают синхронизацию системы управления тиристорного регулятора напряжения 2 относительно момента...

Стенд для испытания плит-оболочек на водонепроницаемость

Загрузка...

Номер патента: 1250861

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Глебова, Сергеев, Гальцев, Хангильдин

МПК: G01M 3/00, G01M 19/00

Метки: плит-оболочек, водонепроницаемость, стенд, испытания

...подвижная 3 устанавливается на основание 1 на колесах 4 и соединена с неподвижной 2 гидроцилиндрами 5 посредством шарниров 6. Колеса 4 оборудованы ребордами 7, предотвращающими смещение подвижной площадки 3 в поперечном направлении, Подвижная площадка 3 снабжена опорными кронштейнами 8 для установки блока 9 плит- оболочек 10. Площадки 2 и 3 в рабочем положении соединяются стяжными болтами 11. Блок 9 состоит из отдельных плит-оболочек 10, соединенных горизонтальными 12 и вертикальными 13 швами и имеющих внутреннюю полость 14. К блоку 9 подведен 25 штуцер 15 с каналом для подвода воды, соединенным с внутренней полостью 14. Плиты-оболочки 1 О вначале соединяются швами 12 и 13 в две панели - правую 16 и левую 17, а затем соединяются в блок...

Устройство для ультразвукового контроля ферромагнитных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1244586

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Каунов, Маскаев, Гуревич, Гальцев

МПК: G01N 29/04

Метки: ультразвукового, ферромагнитных

...высокочастотного генератора 7, а вход последнего через усилитель 6 связан сизмерительным мостом 5,Устройство работает следующим образом.С помощью системы 3 охлаждения поверхность контролируемого ферромагнитного изделия (не показана), имеющая т мпературу выше точки Кюри, охлаждается в зоне высокочастотнойкатушки 3 и индуктора 9 до проявления ферромагнитньгх свойств.В результате этого силовые линии магнитного поля, создаваемого электромагнитом 1, замыкадотся через поверхцостньди слои изделия, в которое становится возможным ввод и прием ультразвуковых колебаний. Катушка 4 ццдуктцвности регистрирует переход охлаждаемого слоя изделия из парамагнитного состояния в ферромагнитное и наоборот эа счет изменения магнитного сопротивления...