C30B 33/04 — с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц

421875

Загрузка...

Номер патента: 421875

Опубликовано: 30.03.1974

МПК: C30B 29/10, C30B 33/04

Метки: 421875

...с)рыми устаиовлеиы фотоэлектрические л;ггикц стспсищ прозрачности кристалла, соеди ,ссинс с системой автоматического регулир дция цдгрева, а в резонаторе рясположецы ; ЕГЛОИЗОЛП)УоиИС ПРОК,35)ДКР ДЛ 5 РДЗС 3 с(- ия кристалла.Пд серт(О Е ПОКяэяцд ПрЕдЛЯГ;ЕМяя уетяИс)3 Г .0.3 содержит высокочасттцый генератор 7.резонатор 2, В который помецают кристдл,сы 3, окна 4, фотоэлектрические датчики 5, ьк.почеише в схему б автоматического регу,3 ОВДИИ 53, 3 Л )ЗЛРУК)Ц ЦРОКЛДДКИ 7,В исходим положении обрдодтывде)ый . р(сстялл 3 псомещдют в резонатор 2 иа тепло;.033 рт Оиис пр)окл;.ки 7. По,ости)кепи 3 )езопаторе;С 3 сии УО-тс ) гключдют систеятомдтическог регулирования, котрдя ,; (; О Очере. Вкю д ст всочастти ы й ( ,с,Р Р ОР . П ) ц ЭТО;(ОП 3 ОС...

Способ изменения окраски минералов

Загрузка...

Номер патента: 1693135

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 33/04, C30B 29/22

Метки: минералов, изменения, окраски

...образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу -квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(1,1 - 1,3).10 Р. Окраска кальцита слабо-чайвная, а после отжига при 30-40 С в течение15 - 20 мин - чайная,П р и м е р 3, Серые, белые, серовато-белые некондиционные образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу -квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(2,1 - 2,3).10 Р. Окраска слабая медово-жел 8тая, а после отжига при 40 - 50 С в течение20 - 25 мин - медово-желтая средней интенсивности,П р и м е р 4. Серые, белые серовато-белые некондиционные образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу-квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(2,8 - 3,2),10 Р, Окраска образца - медовожелтая, а после термообработки при 40...

Способ изменения окраски минералов

Загрузка...

Номер патента: 1693136

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: изменения, окраски, минералов

...флюо 60 оита опускают в канал у-источника Со и облучаюту-излучением со средней энергией у-квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой 7,8.10 Р, Нет заметно- го изменения в окраске, Термообработка при 40-45 С в течение 25 - 30 мин приводит к образованию светло-салатового цвета,П р и м е р 2. Серые, белые, серовато-белые или слабоокрашенные образцы природного Флюобитв опускают в канал у-источника Со и облучвют у-излучением со средней энергией у -квантов 1,25 МэВ, интегрвльной дозой (1,2-1,8) 10 э Р,Окраска бледно-зеленая и бледно-голубая, а после термообрвботки при 50-600 С в течение 30-35 мин - синевато-зеленая и синевато-голубая.П р и м е р 3. Серые, белые, серовато-белые или слабоокрашенные образцы природного флюо 60 оита опускают в канал у...

Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1693137

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/34, C30B 33/04

Метки: окраски, минералов, изменения, ювелирных

...ф о р мул а изобретения Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий, включающий их гамма-облучение и последующую термообработку, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью придания турмалину интенсивной красно-малиновой окраски, облучение ведут интегральной дозой (7,8-8,1) 10 Р, а термообработку проводят при 80-90 С в течение 30 - 40 мин,Составитель Ф.МамаджановТехред М. Моргентал Корректор М,Демчик Редактор Н,Яцола Заказ 4056 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 трмалина опускают в канал у-источника в Со и облучают у -излучением со средней...

Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей

Загрузка...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Сафин, Мельникова, Шапурко

МПК: C30B 33/04, C30B 33/02, C30B 29/12 ...

Метки: молекулярных, кристаллов, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Способ облагораживания пренита

Загрузка...

Номер патента: 1717677

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Миронова, Назарова, Остащенко

МПК: C30B 33/02, C30B 33/04

Метки: пренита, облагораживания

...10-20 мин при 170-190 С.П р и и е р.1. Кристалл пренита облучают потоком электронов дозой 5 10 эл/см, после чего он приобретает коричневато-розовый цвет, затем помещают в му1717677 Таблица 1 Таблица 2 фельную печь и выдерживают при 150 С в течение 10 мин, Кристалл приобретает телесный цвет, ювелирной прозрачности добиться не удается, При увеличении времени термообработки происходит обесцвечивание образцов.П р и м е р 2. Кристалл пренита облучают потоком электронов дозой 10 эл/см,16 2 после чего он приобретает коричневато- желтый цвет, затем помещают в муфельную печьи в течение 15 мин выдерживают при 170 С, Кристалл приобретает красивый лимонный цвет, При увеличении времени термообработки происходит посветление окраски и полное...

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 33/04, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 33/04, C30B 29/12

Метки: щелочно-галоидных, монокристаллов

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов

Загрузка...

Номер патента: 1730223

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Спицына, Зайцева, Пополитов, Васев

МПК: C30B 33/04, C30B 29/14

Метки: элементов, дигидрофосфата, оптических, дейтерированных, аналогов, калия, кристаллов

...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...

Способ обработки кристаллов l f

Загрузка...

Номер патента: 1772223

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Васев, Спицына

МПК: C30B 33/04

Метки: кристаллов

...ОР со скоростями нагрева От 1 до 8 град/мин, Более низкие и более высокие скорости нагревания кристаллов приводят соответственно к отжигу с уменьшением концентрации палучаемьо; ЦО и к быстрому переходу К-ЦО из одно 1 а типа в другой, поэтому 11 ала вероятность фиксации определенного типа ЦО с их максимальной концентрацией. При достижении максимальной температуры (Т) атжи-а, например 285 С, температуру образцов с 1 вкают до комнатной естественным образам, т,е. Не контролируя скорость их Ох "аждения, При максимальной Т Об;1 аэцы выдерживались не более 2-3 мин, так как более длительная гыдержка Образцов при максимальной Т приводит к преобразовани 1 о К-ЦО и к снижению их концентрации,На фиг. 2 показан процесс преобразования К-ЦО с ПП...

Способ обработки щелочногалоидных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Ширан, Чаркина, Гектин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: щелочногалоидных, монокристаллов

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1609211

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондарь, Горишний, Кривошеин, Рыжиков, Пирогов, Зеленская, Бурачас

МПК: C30B 33/04, C30B 29/32

Метки: сцинтилляционных, термообработки, кристаллов

...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...

Способ упрочнения кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1813126

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Сипягин, Калинин

МПК: C30B 29/04, C30B 33/04

Метки: кристаллов, упрочнения

...к упрбчнениюкриСталлбв в результате быстрого обжигайапряжений в областях, прилегающих к указаннь 1 м микродефектам,Облучение осуществляют с плотностьюмощнбсти излучения В импульсе определяемой из зависимости;ом-КБВеличина коэффициента К изменяется в диапазоне 2,5 - 4,2 и его изменение обратно пропорцйональнс изменению линейного размера кристалла. Для малых размеров Я = 0,2, К=4,0-4,2, адля 8=2,0-2,8 и К=2.5 - 2,6.Следует Отметить, что если даже принять прямую линейную завйсимость 3 = 0,2 - -К=4,2; Я =2;8 - К= 2,6, для нахождения по известной величине, значений К и псдстановки их в экспериментальную зависимость, то полученная величина р обеспечит эффект упроцнения, но не максимальновозможный, В действительности же зависимость К- Я...

Способ повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца

Загрузка...

Номер патента: 1816815

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Перстнев, Васев, Бережкова

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: кристаллов, хлорида, свинца, повышения, пропускания, оптического

...Уф-части спектра до указанного в формуле изобретения флюенса. После такой обработки пропускание этого образца в Уф-области спектра возрастает на 11-15, Спектр поглощения обработанного световым потоком кристалла показан на фиг, 1, кривая 2, Далее этот образец используют для практических целей в УФ-части спектра,Одним из достоинств предлагаемого способа является то, что толщину кристаллов хлорида свинца не доводят до минимальной величины, при которой механические свойства образцов резко ухудшаются. За счет увеличения пропускания образцов после их обработки по заявляемому способу толщину кристаллов можно увеличивать на 11-157 Э, поэтому механические свойства образцов повышаются. Кристалл становится более устойчивым к внешним механическим...

Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 33/04, C30B 29/12

Метки: щелочно-галоидных, монокристаллов

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Способ получения кристаллической кремниевой пленки

Загрузка...

Номер патента: 1422957

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Романов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/04

Метки: кремниевой, пленки, кристаллической

...аморфного Р толщиной 80 нмв реакторе пониженного давлению посредством разложения моносилана при 580 С,Облучение осуществляют ионами 75 Аз+с энергией 16 кэВ дозами 10-5 105 смЗОпри температуре аморфной пленки, изменяемой от ЗОО до 700 С,С помощью метода дифракции быстрыхэлектронов на отражение исследуют структуру пленок. 35Полученные данные сведены в таблицу. Как видно из таблицы, начиная от температуры 500 ОС и выше, в аморфной пленке под действием ионов Аз образуются ориентированные по с 110 направлению кристаллические зародыши. В результате получены кристаллические пленки с осью текстуры110, параллельной направлению пучка ионов.Далее проводят второе облучение ионами 31 с энергией 60 кэВ дозой 5 1016 см. при температуре кристалла,...

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а в

Загрузка...

Номер патента: 769836

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Файнер, Загоруйко, Тиман

МПК: C30B 33/04, C30B 29/46

Метки: пьезополупроводникового, соединений, основе

...к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1...

Способ обработки монокристаллов иодата лития

Номер патента: 1558052

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Сафонов, Семенов, Головей, Исаенко

МПК: C30B 33/04, C30B 29/22

Метки: монокристаллов, иодата, лития

1. СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ, включающий их -облучение, отличающийся тем, что, с целью снижения оптической плотности и повышения прозрачности монокристаллов в длинноволновой области спектра, облучение ведут до дозы поглощения 180 - 720 Гр.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона в коротковолновую область, после -облучения дополнительно проводят облучение монокристаллов ультрафиолетовым светом длиной волны 270 - 300 нм интенсивностью 4 - 5 мВт/см2 в течение 2,5 - 3 ч.

Способ получения монокристаллических постоянных магнитов на основе сплава fe-co-cr-mo

Номер патента: 1723853

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Сидоров, Алексеев, Винтайкин, Гриднев, Кузнецов

МПК: C30B 29/52, C30B 1/06, C30B 33/04 ...

Метки: магнитов, fe-co-cr-mo, монокристаллических, основе, постоянных, сплава

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ СПЛАВА FE-CO-CR-MO, включающий отливку поликристаллической заготовки из исходных компонентов с добавлением легирующей примеси, выращивание монокристалла и последующую обработку путем нагрева, закалки от температуры 1250 - 1300oС до комнатной температуры, повторный нагрев и ступенчатое охлаждение в магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитных и механических свойств, в качестве легирующей примеси используют германий в количестве 0,1 - 2,0 мас. %, а закалку ведут со скоростью 15 - 30 град/с до 700 - 750oС и далее со скоростью 70 - 100 град/с.

Способ получения микрокристаллов с микровыступом

Номер патента: 1776099

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Шредник, Власов, Голубев

МПК: C30B 29/62, C30B 33/04

Метки: микрокристаллов, микровыступом

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОКРИСТАЛЛОВ С МИКРОВЫСТУПОМ из металлов с объемноцентрированной кубической решеткой, включающий нагрев кристалла в виде острия до температуры T0, лежащей в интервале T1 T0<T<sub>пл, где Tпл - температура плавления, а T1 - температура начала поверхностной самодиффузии атомов металла, приложение к кристаллу электрического поля и увеличение его напряженности до появления термополевого микровыступа, наблюдение ионной эмиссии с острия в полевом эмиссионном микроскопе и многоступенчатое снижение напряженности электрического поля с величиной ступени, не превышающей 3% от...

Способ изготовления полупроводниковых пластин

Номер патента: 1566814

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Шуляковский, Новиков, Константинов, Тюнькова

МПК: C30B 33/04, C30B 29/40

Метки: пластин, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых пластин, включающий механическую обработку слитка, обработку лазерным излучением и резку, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин, обработке излучением подвергают всю внешнюю поверхность слитка при следующих параметрах излучения:Мощность излучения, Вт - 3,40 - 3,90Длительность импульса, с - 0,004 - 0,006Коэффициент перекрытия луча - 0,4 - 0,5д