C30B 11/00 — Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера

Способ выращивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 116935

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Витовский, Земцов

МПК: C30B 11/00

Метки: расплава, выращивания, кристаллов

...устанавливаемая вне высокотемпературной зоны печи, ниже кольца, мало зависит от колебаний температуры верхней горячей зоны печи, что позволяет вести процесс без нарушения его скорости, при устойчивом положении изотер. мической поверхности кристаллизации.3) Изотермическая поверхность кристаллиза обращенная в случае отсутствия кольца выпуклостью книзу, ст тся обращенной кверху, в результате чего нарастание нового слоя алла начинается в середине сосуда и идет к периферии.Это обстоятельство позволяет получа стые (без включений) кристаллы, даже не пользуясь безук стыми исходными материалами. ции,ановикрист ть более чи оризненно чи1116935 Устройство позволяет, кроме того, вести кристаллизацию при зна;ительном перегреве расплава, что...

Способ выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 122478

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Муратов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...больше диаметра получаемого монокристалла.Высота ампул для монокристаллов размером 40 Х 40 составляет 200 - 250 лм, Нижнюю часть ампул оттягивают на конус с углом 100 - 120, причем толщина стенок конуса у самого носика - не более 1,0 им.К верхней части ампулы припаивают шлиф из стеклянной трубки меньшего диаметра с внутренним отверстием 8 - 20 яд и толщиной стенок 1,5 - 2,0 мм,После засыпки в ампулу соли, ампулу по всей ее поверхности обклеивают листовым асбестом толщиной 1,0 - 1,5 мл, предварительно смоченным глиняной водой, содержащей до 20% глины из шамота или огнеупора с добавкой 10 - 20% корундового порошка и поваренной соли из рас чета 30 - 50 г/л. После этого ампулу загружают в печь без предварительной сушки термостойкого слоя....

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 132613

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: ускоренного, расплава, кристаллов, выращивания

...печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из...

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 132614

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Хаимов-Мальков, Степанов, Васильева, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: ускоренного, кристаллов, расплава, выращивания

...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...

Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений

Загрузка...

Номер патента: 163759

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Юбретеии

МПК: C30B 11/00

Метки: монокристаллов, высокотемпературных, выращивания, разлагающихсясоединений, зонной, аппарат

...регулируется путел 1 отпускания натянутой струны. 25 ддлов рЬлд- давлеуса, в ель ц оцокрис атурных ава под и из кор нагреваля выращивания л стки высокотемпер единений из расплго газа, состоящн рого установлен Аппарат д и зонной оч гающихся со ннем инертно полости кото В известных аппаратах для выращивания монокристаллов и зониой очистки высокотемпературных разлагающихся соединений з расплава под давлением инертного газа контейнер связан с внешним электродвигателем штоком, проходящим через уплотнение,Отличие предлагаемого аппарата состоит в том, что его корпус снабжен направляющей полостью, в которой установлены спиральная пружина и совершающий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с внешним...

Устройство для направленного отвода тепла

Загрузка...

Номер патента: 169795

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Маликов

МПК: C30B 11/00

Метки: направленного, отвода, тепла

...описываемого устройства является то, что трубки установлены внутри корпуса коаксиально друг другу и могут совместно перемещаться относительно корпуса в продольном направлении.На чертеже изображено устройство, общий вид.В цилиндрическом корпусе 1 установлена подвижная система из двух коаксиально расположенных трубок: внутренней трубки 2, через которую поступает охлаждающая жидкость, и внешней трубки , через которую она отводится. Трубки могут совместно перемещаться относительно корпуса с помощью привода или вручную. На дне корпуса укреплена металличшайба 4 с коническим углублением 5 вре, на которую устанавливают тигель сплавом, имеющий коническое дно. Скоотвода тепла в процессе выращиваниясталла регулируют. перемещая...

174171

Загрузка...

Номер патента: 174171

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всесоюзный, Крайнюков, Кисиль

МПК: C30B 29/50, C30B 11/00

Метки: 174171

...узком температурном интервале, Предлагаемая ампула отличается от известных тем, что в нее по скользящей посадке вставлена соответствующего размера диафрагма с отверстием для отбора монокристаллической затравки. Такая конструкция облегчает выращивание монокристаллов и повышает их выход. При этом возможна замена деформированной диафрагмы новой и, следовательно, многократное использование ампулы в широком температурном интервале.На чертеже показана конструкция предлагаемой ампулы.Она изготовлена из графита и имеет форму цилиндра с коническим дном 1 под углом 120 - 130, заканчивающимся коническим сум, но с острым углом, например 20 - ысота ее - 150 лглс В конусное дно амвставлена диафрагма 2 до упора, с тром 22 лл и высотой 12 лглс,...

289665

Загрузка...

Номер патента: 289665

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Рыбин, Киргинцев, Институт

МПК: C30B 11/00

Метки: 289665

...соединенные с источником охлаждающей среды, Для создания в полости контейнера вакуума он снабжен отростком 9 10 с вакуумным краном 10, расположенным возле одного из шлифов.Выращивают монокристаллы следующимобразом.На выступе керна олного из шлнфов 15 укрепляют затравку 11, имеющую диаметр,близкий к диаметр контейнера. Исходную загрузку в виле стержня помешают в полость контейнера, На выступе керна другого шлпфа укрепляют стаканообразный приемник 12 заг-о рязненного материала. Контейнер эвакуируют,по трубкам 8 полают воду в полости кернов шлифов и сообщают контейнеру вращательное движение. С помощью нагревателя 3 созлают зону в контакте с затравкой после чего -"5 нагреватель приводят в лвнжение вдоль контейнера.По окончании прокола зоны...

Тигель для высокочастотной индукционной нлавки

Загрузка...

Номер патента: 291736

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бел, Родионов, Некрасов

МПК: C30B 11/00, C30B 15/10

Метки: тигель, высокочастотной, нлавки, индукционной

...соед)шснпй могут быть использованы тшли изкварца, питрида бора, нитрида а;)юминия, окиси а,помпнпя, окиси мапшя, окиси циркоппя,окиси бериллия, крбида кремния и дрм) их Высокотемпературных соедппсшп. ласти мсталлур ние относится к ободикоВ.тигли для высокочастотной индукавки, материал в которых расплав)ет разогрева токами высокой частовой подставки для тигля. Недостатиглей является то, что в них невозавать большое электрическое сопротсм самым получить необходимое ния количество тепла. Изобрстс.гии полупро Извсстпь циоппой пл, )яетс 5 За с ты графито ком таких т можно созд тивлснис и для плавлеасмый тиге;сть нагреваиэлектричсскотличается тзазор мсткдпорошком.теже изобраи ь позволяет уве,.шчить эфи использовать его для их...

Устройство для плавки немагнитных материалов

Загрузка...

Номер патента: 351574

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Сорин, Ордена, Денисюк

МПК: C30B 11/00

Метки: немагнитных, плавки

...устройство отличается от известного тем, что индуктивно нагреваемый элемент выполнен с двойными стенками, сплетенными из проволоки, промежуток меж- ДУ КОТОРЫоМИ ЗЙПОЛНЕН ОТРЕЗКа МИ ПРОВОЛОКЦ.Такое вьсполнение устройства ооеспечцвает улучшение условия теплопередачи ц предотвращение разрушения.На чертеже изображена схема ичными та 2, стенки ой, например 1 стром 0,4 - нкамц заполо,волоки,диаеме.нт выдоробления Предмет изобре ни редлагас- формамц исла, карбида так, чтобы на дна было выустановки инмого устроиства с разлитигля.Тигель 1 из тугоплавкогоили нитрида изготавливаютего боковой поверхности иполнецо посадочное место д дуктивно нагреваемого элеменкоторого сплетены цз тугоплав 1вольфрамовой, проволоки дца1 .ил 1, а...

Способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава

Загрузка...

Номер патента: 422450

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Басистое, Голуб, Маркина

МПК: C30B 11/00

Метки: расплава, кристаллизацией, направленной, веществ

...нагревателя над поверхностью твердой фазы очищаемого вещества способствует выравниванию фронта кристаллизации. Однако при этом под нагревателем создаются самые неблагоприятные условия для конвекции расплава, Концентрирование примеси в слое расплава под нагревателем снижает эффективность очистки и вынуждает сильно перегревать расплав во избежание захвата загрязненного расплава твердой фазой.Цель изобретения - устранение захвата расплава твердой фазой.Для этого нагревателю, установленному свободно по вертикали и оказывающему давление на твердую фазу, сообщают движение по горизонтали,Кристаллизация при таких условиях позволяет устранить захват расплава твердой фазой при минимальном перегреве расплава, в результате чего по...

Устройство для разделения и очистки веществ

Загрузка...

Номер патента: 693575

Опубликовано: 07.06.1984

Автор: Мавлонов

МПК: C30B 11/00

Метки: разделения, веществ

...центробежные силы, возникающие при вращении, подвоздействием которых примеси удаляются от Фронта кристаллизации, Эффект 35 удаления примеси иэ дифФузионного слоя тем больше, чем выше плотность удаляемой примеси в случае, если Фронт кристаллизации перемещается от центра к периферии. 40На фиг.1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг, 2 график распредЕления примеси в зависимости от скорости вращения центрифуги. 45Устройство состоит,иэ герметичного горизонтально установленного контейнера 1 с очищаемим веществом, помещенного в центрифугу 2. Для создания расплавленной зоны предназначен нагреватель 3 выполненный в виде печи, для передвижения которой вдоль контейнера 1 предусмотрен механизм 4 передвижения и вращения.Устройство...

Способ получения криокристаллов и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1458448

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Кильк, Лыхмус, Кальдер, Ниэдрайс, Кинк

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: криокристаллов

...нижнего тордне криостата выполнены канавки 16,. ца кристалла осуществляется с помо- заполненные металлическим индием. щью средства 1 О охлаждения, через коКриокристаллы получают следующим торое пропускают газообразный или образом. жидкий хладагент из гелиевого сосуВ ампулу 1 впускают через трубку ЗО да (не показан). Для компенсации пе газПроводят охлаждение с помощью реохлаждения проводят нагревателем средства 10 ниже температуры тройной , 11. Контроль температуры для роста точки, что ведет к ожижению газа. Вы- кристалла осуществляется датчиками ращивают криокристалл направленной 14 температур. Наружный кожух криоскристаллизацией путем дальнейшего охтата имеет вывод к каналу вакуумнолаждения. Градиент температуры полу- ультрафиолетового...

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Загрузка...

Номер патента: 1031256

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Старостин, Богдасаров, Резников, Елисеев, Суходольский, Емельянов, Ильин, Федоров

МПК: C30B 11/00

Метки: тугоплавких, выращивания, окислов, монокристаллов

...перемещения в полости нагревателя, токоподводы в верхней части снабжены сухарями и скобами, последовательно охва.тывающими друг друга, образуя гнездо для крепления клина и конца нагревателя, и виполненными в средней части с выемками, в которой установлены сухари между клиньями и концами нагревателя, а нижние полувитки нагревателя расположени в два ряда в шахматном порядке.55 вид нагревателя с токоиодводами ваксонометрии.Устройство содержит камеру, в которой размещены экраны 1, Внутриэкранов неподвижно установлен прутковый нагреватель сопротивления,нитки которого образованы верхними 2 инижними 3 полувитками,причем нижниеполувитки расположены в два ряда вшахматном порядке, а концы 4 нагревателя соединены с токопроводами...

Способ получения криокристаллов направленной кристаллизацией газа в ампуле

Загрузка...

Номер патента: 1587080

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Маринин, Литвинов, Прохоров, Леонтьева

МПК: C30B 29/02, C30B 11/00

Метки: кристаллизацией, газа, ампуле, криокристаллов, направленной

...существенное влияние оказывает теплообменник в виде цилиндра с открытым дном (фиг.2). Он позволяет откачивать пары жидкого хладагента с части его поверхности. При откачке его из внутреннего объема теплообменника до минимальных температур охлаждается как хладагент, так и ампула 2. При откачке хладагента, находящегося снаружи теплообменника, уменьшением давления охлаждается хладагент. тогда как ампула 2 может находиться при более высоких температурах, что важно как при получении криокристаллов, так и при проведении экспериментов с ними. Если в процессе роста криокристалла давление газа настолько увеличивается, что теплообмен стал слишком большим, его можно понизить откачкой гелия из гелиевого криостата, Если на ампулу 2...

Способ плавления иили кристаллизации веществ

Загрузка...

Номер патента: 1620510

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Сторожев, Приходько, Жариков

МПК: C30B 11/00, C30B 30/06

Метки: кристаллизации, веществ, плавления, «и—или»

...250 мм и размерах пластин по50 мм частота колебаний пластины 12выбрана равной 157 Гц, а пластины13 - 168 Гц,что меньше предельнойвеличины 7000 Гц, а значения амплитуд заданы равными 3,25 и 3,15 ммдля пластин 12 и 13 соответственно,что обеспечивает создание структурыконвекции с циркуляционным потоком18, Созданная структура конвекпииобеспечивает пятикратное ускорениепроцесса,П р и м е р 3. На Фиг. 3 предлагаемый способ использован для оптимизации процессов плавления исходного вещества и перемешивания расплава 21 в прямоугольном контейнере 22, при движении которого вниз относительно нагревателя 23 происходит рост кристаллов 24, В исходном процессе тепломассоперенос в расплаве характеризуется наличием циркуляционного потока...

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ

Загрузка...

Номер патента: 1624063

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Багдасаров, Кеворков, Сытин

МПК: C30B 11/00

Метки: тугоплавких, кристаллов, выращивания, веществ

...с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел 1 а до- -,О, НитЕЛЬНЫХ ЭКраНОВ, ВЫПОЛНг.ННя В форме усеченных конусов с углол 1 раскрытия 9 - 11, установленных на вепем горизонтальном экране раструбами вверх, Получены кристаллы иттрий-алюминиевого Я граната и его модификации. 1 ил,Контеинер 4 с исходным материдгом пол 1 ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кг)исталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2. Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает нд внугреннюю повеохносгь конусов 7 и...

Способ получения дисперсных частиц

Загрузка...

Номер патента: 1638217

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Савченков, Кремко, Куприянов

МПК: C30B 11/00, C30B 29/62

Метки: частиц, дисперсных

...ц = 75 В и Т = 750 А. Диафрагму устанавливают на расстоянии 120 мм, а бункер - на расстоянии 250 мм от горелки, Расход газов: С 1 А = 12 л/мин; ОК -- 10 л/мин.Вакуум поддерживавтся на уровне 10 мм рт.ст. В течение часа получают 8 кг монокристаллов ТЮ. Выгорание материала составляет 20 от исходного количества порошка;Контроль качества получаемых моно- кристаллов производится с помощью ра- . стрового электронного микроскопа Напо 1 аЬ. Размер частиц монокристаллов сферической и нитевидной форм находится в диапазоне от 5 до 0,01 мкм.П, р и м е р 2. Через плазменную горелку (тип НВ) пропускают порошковый материал никелид титана (ПН 55 Т 45) гранулометрическим составом от 40 до 20 мкм. Рабочие параметры установки П70 В и 1 = 700 А....

Устройство для группового выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1666584

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Сурков, Авхутский, Квашнин, Синев, Чернявец

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, группового

...графитовых дисковемным пироуплотнение поверхностным слоем 11 пирографита, полученным за счет поверхностного пироуплотнения. По крайней мере в одном из дисков 9 и 10 выполнены фрезерованием каналы 12, В загрузочном бункере 1 и тиглях 4 условно показан момент перетекания расплава 13. Диски 9 и 10 и тигли 4 могут быть склеены карбонизуемым клеем с добавкой углеродной крупки (смола ФФН) с последующей термообработкой,им обраУстроиство работает следующ зом,В загрузочный бункер 1 помещ ту СаР 2 и нагревают до 1420 С, и образующийся расплав 13 перете отверстие 3 и центральный иэ т каналы 12 и заполняет равномерн ли 4, устанавливаясь на одинаковочто обеспечивает симметричность теплового поля ао время кристаллизации, начинающейся от конусов...

Ампула для выращивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 1673652

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гресь, Ковалева, Смирнов, Сухостат

МПК: C30B 11/00

Метки: ампула, кристаллов, расплава, выращивания

...стенки 3 - 4 мм. Кольцевые углубления 3 имеют глубину 1,5 - 2 мм и ширину " 0,3 мм (угол смачивания расплавом галогединов щелочных металлов кварцевого стекла 10). Углубление получают путем сварки цилиндрической поверхности ампулы с конусным дном по наружной поверхности с предварительной их установкой на расстоянии, равном заявляемой ширине зазора. Углубление может быть еще получено механической выборкой внутренней по1673652 верхности ампулы в месте соединения цилиндра с конусом с помощью алмазного диска толщиной, равной заявляемой ширине.В таблице приведены данные испытаний при различных значениях глубины и ширин ы кол ьцево го углубления. В 85 случаях из 100 на стадии оплавления происходило быстрое отделение конусного дна и кристаллы...

Графитовый нагреватель

Загрузка...

Номер патента: 1691431

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Синев, Степанов, Чернявец, Сурков, Квашнин

МПК: C30B 15/14, C30B 11/00

Метки: графитовый, нагреватель

...имеет форму полого цилиндра с вертикальными прорезями, выполненными попеременно сверху и снизу. По торцам цилиндра в. прорезях выполнены гнезда, в которых установлены армирующие элементы в форме штырей из электроизоляционного, теплостойкого и прозрачного материала, такого как лейкосапфир, циркон, рубин или гранат. Нагреватель обеспечивает повышение качества продукции на 4,8 о . 1 з.п. ф-лы, 1 ил,Графитовый нагреватель работает следующим образом.При подаче питающего напряжения на несущие элементы 2 происходит разогрев цилиндра 1. При этом штыри 5 и 6 препятствуют деформациям цилиндра 1 как в радиальном, так и в осевом направлениях, д Использование прозрачного материала для О изготовления штырей улучшает условия теплообмена между...

Устройство для группового выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1775510

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Попенков, Гриднев, Пушкарев

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, группового, кристаллов

...4, а нэ нем - дополнительный теплоиэолятор, состоящий иэ колпака 5 и керамического, например; алундового, стакана 6. На дно стакана помещен графит 7, имеющий коэф 5 10 15 20 25 30 35 40 50 55 фициент черноты излучения, близкий к единице. Последовательно за нагревателем 1 установлен холодильник 8.Устройство работает следующим образом.Включают нагреватель 1, разогревают блок 2 додостижения температуры на уровне фронта кристаллизации, равной температуре плавления сплава, Эту температуру контролируют с помощью пирометра излучения типа АППИР-С, визируемого на графит, находящийся на дне стакана 6, После приплавления нагреватель 2, теплоизоляторы и электропроводной блок 2 синхронно перемещают вдоль образующих контейнеров с заданной скрростью....

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1580884

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Смирнов, Михайлов, Чиненов

МПК: C30B 11/00

Метки: кристаллов, выращивания

...температуры. Печь выводят на режим, при котором температура в камере плавления достигает на 100 С выше температуры плавления вещества в ампуле температура йодида натрия 651 С).В дальнейшем процесс осуществляется автоматически, При достижении в камере плавления заданной температуры происходит плавление помещенного в ампулу 11 вещества 12 по асей высоте ампулы. Образующийся расплав за счет различия плотностей расплава и исходного вещества заполняет только нижнюю половину ампулы 11. За счет того, что выделяемая мощность нагревателем 5 нижней секции 2 локализована, ее становится достаточно для поддержания необходимой температуры в нижней части нагревателя 4 верхней секции 1,В результате система регулирования температуры нагревателя...

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава

Загрузка...

Номер патента: 575807

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирман, Нагорная, Смирнов, Иванов

МПК: C30B 11/00

Метки: расплава, кристаллизацией, направленной, кристаллов, выращивания

...края.2. Устройство по и.1, о т л ч а ю щ е е с я тем, цто высота лодильника равна 0,2-0,3 диамето пулы. чем перемешивание расплава в ампуле имеет слабую интенсивность.Цель изобретения - повышение скорости роста и качества кристаллов вследствие улучшения условий конвективного перемешивания расплава в области фронта кристаллизации.С этой целью холодильник выполнен в виде цилиндра с внешним диаметром, равным 0,2 - 0,4 внутреннего диаметра печи, и толщиной 0,05-0,15 диаметра ампулы и установлен в зоне нагревателя на расстоянии 1-2 диаметров ампулы от его нижнего края. Высота холодильника равна 0,2-0,3 диаметра ампулы.575807 Редактор Т,Шаргано хред М.Моргентал Кор 1.Филь Заказ 1088 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Способ выращивания кристаллов сложных оксидов

Загрузка...

Номер патента: 1457463

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Коваленко, Балакирев, Стрювер, Промоскаль, Асланов

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: кристаллов, выращивания, оксидов, сложных

...в центре, Надотверстием устанавливают трубу 11,служащую для подачи сырья иэ бункераПлавным увеличением мощности падвадимой от источника 12 идукционног(1нагрева к идукгарушихту нягре,вают и доводят пО расплавления, Необходимый уровень расплава получаютпутем дополнительной подачи шихтыиз бункера 7.После наплавления трубу11 отводят в сторону, доводят -асплавда температуры затравленил,. Онускаот .в него вращаощуюся затравку 9 и прова"дят затравление. Плавным изменением скорости опускания тигля 3 в пределах0,02-0,2 мм/ч по зависимости, представленной на фиг. 2, асущестнлиотразращиванне кристалла да заданногопоперечного размера (примерно 35 мм),После раэращивания коррекцию поперечного размера кристалла осуществляют изменением...

Способ получения кристаллов соединений а в

Загрузка...

Номер патента: 1478680

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Кулик, Комар, Кобзарь-Зленко

МПК: C30B 29/48, C30B 11/00

Метки: соединений, кристаллов

...снижения содержакислорода.На фиг.1 и 2 покаэаньпускания кристаллов сульи кадмия соответственно,1 - спектры кристаллов, пбез дезоксидации, кривыекристалллов, полученных,цацией. ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Вкаочают нагрев, посл дезоксидации проводят вакуумировани и заполнение ростовой камеры инерт ным газом, После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 вл,Ф оксида цинка, смешивают в...

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов

Загрузка...

Номер патента: 1658668

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Катрич, Качала, Калашников, Данько, Адонкин, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 13/00 ...

Метки: оксидов, выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...паров воды (более 3:10 мг нэ 1 дм) приводит к увеличению расхода вольфрама и молибдена и загрязнению кристаллаэ этими примесями.Аналогично связывается кислород, десорбирооэнный с поверхности.экраноо и нагревателя, Дальнейшее пооьииение температуры не приводит к каким-либо процессам, способным вызвать мзссоперенос молибдена и оольфрэма в зону нагреоа.В процессе плавления оксида алюминия и его кристаллизации при указанных выше давлениях сколько-нибудь заметной реакции между расппэоом и компонентами газовой середы не установлено. Таким образом, проведение кристаллизации о защитной восстановительной а 1 мосфере/ состоящей иэ Лг, И 2 и СО, в отличие от вакуума ипи атмосферы инертного гзэз (зргона) полностью ликвидирует процесс...

Способ выращивания кристаллов корунда

Загрузка...

Номер патента: 1445270

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Шлее, Данько, Качала, Шерафутдинова, Катрич, Аверин, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 29/18

Метки: корунда, выращивания, кристаллов

...проплавление. для чего включают механизм 5 перемещения тигля и со скоростью 100 мм/ч передвигают тигель 4влево до положения, когда часть его носикас затравочным коисталлом окажется в 35зоне нагрева 1 (30 мм затравочного Из приведенных данных видно, что при превышении верхнего и занижении нижнего предельных значений интервала скоро стей выход годного продукта уменьшается,Производительность электропечи при использовании предлагаемого способа увеличивается с 60 кг корунда в год до 80 кг. Материалоемкость технологического про цесса при этом снижается на 25-30,. В коисталла при этом остаются в зоне 3 отжига), В этом положении тигля 4 проводят затравление. Повышают мощность нагревателя 2 до величины, при которой длина зоны расплава в тигле...

Способ синтеза и наплавления шихты германоэвлинита и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1649852

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Загвоздкин, Бурачас, Бондарь, Литичевский, Пирогов, Горишний, Кривошеин, Рыжиков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: германоэвлинита, синтеза, шихты, наплавления

...теплового поля и улучшает качество кристалла, а предотвращениеразрушения и продление срока эксплуатации платинового тигля снижает себестоимость кристалла;Скорость охлаждения до 970+70 С недолжна превышать 200 С/ч, так как дальнейшее увеличение скорости приводит к неравномерному затвердеванию расплава идеформации рабочего тигля, с другой стороны скорость менее 50 С/ч неоправданноувеличивает продолжительность процессаи, следовательно, его себестоимость.Скорость дальнейшего охлаждения должна быть не менее 200 С/ч, так как применьшей скорости возможно образование.метастабильных фаэ, и не более 600 С/ч,так как при большей скорости происходитместная закалка и появление хрупкости тигля.Наличие бункера позволяет производить весь процесс...

Устройство для выращивания кристаллов

Номер патента: 850765

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Емельченко, Ушаковский

МПК: C30B 11/00

Метки: кристаллов, выращивания

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыкованных открытыми краями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью исключения попадания расплава в разъем для стыковки стаканов, на их краях выполнены цилиндрические проточки, а затравкодержатель установлен на дне стакана с внутренней проточкой.