Патенты с меткой «тиристор»

Симметричный тиристор с током управления любой полярности

Загрузка...

Номер патента: 238016

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Евсеев, Челноков, Тучкевич, Василенко, Думаневич

МПК: H01L 29/747

Метки: тиристор, полярности, током, симметричный

...пятислойной структуры позволяет получить симметричную относительно начала координат переключающую управляемую вольт-амперную характеристику с током управления при гиобой полярности источника в цепи управления сравнимой величины.У этой пятислойной структуры типа гг - р - гг - р - гг к верхнему 14 и нижнему 15 элект.родам выведены области р-типа, называемые в дальнейшем шунтами, Проекции шунтов на верхнюю или нижнюю плоскость основания пластины пересекаются только в области управляющего электрода и имеют общий отрезок прямой в остальной части, что позволяет рационально использовать пластины с целью получения приборов на большие токи,Особенность данной конструкции состоит в том, что на нихкней плоскости пластинки шунтировка выполнена...

Симметричный тиристор с однополярным управлением

Загрузка...

Номер патента: 238017

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Евсеев, Думаневич

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, однополярным, тиристор, управлением

...же типом проводимости.Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка 40 оги сзг и,диффузионной длиной 0,3 л,и, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 - то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика тиристора.На фиг. 1 обозначены: 1 - слой исходного кремния с электронным типом проводимости;2, 3 - слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 - 80 як р - гг-переходы 4, 5; 6, 7, 8 - слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 - 12 лк р - гг-переходы гг,...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 464033

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Чашников, Шуман, Карцо-Сысоев

МПК: H01L 11/00

Метки: тиристор

...база выполнена на основе кремния р-типа с концентрацией акцепторной примеси 10" - 104 см в , а узкая база, по которой осуществляется управление, выполнена и-типа путем диффузии донорной примеси с поверхностной концентрацией 10" - 10" см - . Лавинная инжекция, являясь самым быстрым механизмом переключения тиристоров, в структурах с высокоомной базой р-типа осуществляется при меньших напряжениях и на большем участке переходной характеристики, чем в структурах с высокоомной базой и-типа. Поэтому такие структу, ры обладают меньшим временем нарастаниятока (временем включения). Тиристоры с высокоомной р-базой при прочих равных параметрах имеют длительность переходного процесса включения в 2 - 3 раза меньшую, чем тиристоры с...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 482837

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Челноков, Думаневич

МПК: H01L 21/761

Метки: тиристор

...тем, что структура тиристора изготовлена па кремнии с почти собственной проводимостью. Прилегаюгцпе к широкой базовой области р - и-переходы обладают повышенной скоростью рекомбинации, а следовательно, коэффициенты передачи тока у соответствующих триодов малы. При примыкании области объемного заряда к р - тг-переходу увеличение тока через структуру не происходит, так как имеет место большой ток утечки в р - и-переходе ПзРаспределение напряженности электрического поля в области р - 1 т-перехода, изготовл=нного,на кремнии с собственной проводимостью, почти линейно без четко выраженного максимума (у существующих тиристоров максимум обязательно имеется) .Критическое значение напряженности электрического поля Е,р, при котором наступает...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 363410

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Евсеев, Локтаев, Дерменжи, Думаневич, Конюхов

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ....

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 455685

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Никитин, Корольков

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...состава,Указанный ход ширинь запрещенной зоны может быть получен в материалах на основе полупроводников с различной шириной запрещенных зон, образующих непрерывный ряд твердых растворов. При приложении к эмиттерным областям пропускного напряжения и подаче включающего импульса включенное состояние начинает распространяться от электрода управления по всей ппошадт структуры, В зависимости от используемого материала управляющей базы существует несколько причин, приводяших к ускорению распространения включенного состояния.В том случае, когда в качестве базовой области используются полупроводники, например, с прямой зонной структурой (дЕ Сад, йРДь, 1 пЦаИ, где доля излучательной рекомбинации велика, инжектированные носители вблизи элекЗаказ...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 401274

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...из напыленного алюминия толщиной 1 мкм, Размеры остальных областей и омических контактов соответствуют дан.ным на чертеже.В тиристоре по третьему варианту омическийконтакт к области 6 затвора, представляющийсобой пал ыле иную полоску алюминия шириной 36 мкм и длиной 136 мкм, выходит эа крайобласти. б затвора на 100 мкм на перемычку 5 ианодную область 2. Укаэанный контакт на всемсвоем протяжении за пределами области 6 эакорочен с областями 5 и 2. Аналогияо омическийконтакт 10 к катодной области 4 выходит эа крайобласти 4 на 5 мкм и закорочен на этом протяжениис областью 3, благодаря чему осуществляется шун.тирование катода, Размеры остальных областей иомических контактов не отличаются от деталейтиристора, приведенного на чертежеВ...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 341378

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Полякрв

МПК: H01L 21/10

Метки: тиристор

...граничащая спусковой областью,Напряжение пробоя пусковой облзсти подполевым электродом ниже, чем на остальной частиграницы с управляющей областью, и зависит отвеличины напряжения смешения на полевомэлектроде, а води мости.Над границей пусковой области 5 и управляющей области 3 размещен полевой электрод, состоящий из диэлектрического слоя 6 и электрода 7,Кобластям 1,3,4 и 5 подсоединены контакты 8.11, Эти контакты н металлический электрод 7имеют выводы 12. 16 соответственно.Если между выводами 12 и 14 приложено внешнее напряжение таким образом, что на вывод 12подается плюс, а на вывод 14минус, а междувыводами 13 и 16 так, что вывод 13 смещаетсяположительно относительно вывода 16, то тиристорзаперт, а под металлическим электродом 7 в...

Симметричный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 326917

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Евсеев, Думаневич, Фалин

МПК: H01L 21/00

Метки: симметричный, тиристор

...й/О 1 ограничивается величиной лучшем случае порядка 30 А/мкс. Этот пара метр накладывает значительные ограничения на схемные применения приборов.Предлагаемый симметричный тиристор допускает критическое . значение Й/Й до 000 А/мкс благодаря тому, что пятислойиая структура управляется с полощью самовозбуждающегося (регенеративного) управляющего электрода по току или напряжению как для прямой, так и для обратной ветви.На фиг.и 2 изображен один из возможных вариантов предложенной пятислойной структуры,Симметричный тиристор содержит дополнительные областии 2 в правом и левом тиа напряжение на силовых полярность (плюс свер а, а управляющей цепи вльное смещение (минус аления), проводящий канал чально непосредственно у у32697формула...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 594904

Опубликовано: 25.02.1978

Автор: Петер

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...на левой стороне нагрузочный сегмент 8. Нагрузочный сегмент 8 частично закрываетуправляющий электрод.Как только на управляющий электрод 7 подается ток, он направляется по пути, обозначенному стрелой, к )1первой эмиттерной зоне 1. На стороне,окруженной нагрузочным сегментом 8,управляющий ток, поступая с управляющего электрода 7,должен пройти поднагрузочным сегментом 8. Такой путьоднако создает высокое сопротивлениедля управляющего тока, что обьясняется уменьшением легирования в зависимости от глубины в первой областибазы 2. Поэтому ток концентрируетсяв основном на выемке 9 в нагрузочномсегменте 8 (через которую он может восновном идти по поверхности первойбазовой области на правую сторонупервой эмиттерной области 1). Этовызывает повыаение...

Силовой двухоперационный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 661658

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 29/74

Метки: силовой, тиристор, двухоперационный

...и 44 областями изоляции 45-50 вэмиттерных слоях. Соединенные ссиловым электродом 40 области 13,15 и 17 базового слоя 2 прилегают кизолированным от силового электрода44 областям 19, 21, 23 базового слоя3 и наоборот соединенные с силовымэлектродом 44 области 18, 20 и 22.слоя 3 прилегают к изолированнымот силового электрода 40 областям12,14 и 16 базового слоя 2Области первого вцда 27-31 примыкаютк областям второго вида 32-36.Электрод управления 51 подключенк изолированной от силового электрода 40 40:области 12 базового слоя. Непоказанная на чертеже остальнаячасть структуры 1 выполнена аналогичным образом.Работа прибора происходит следую щим образом;При наличии положительного напряжения на аноде 44 и отрицательного .на катоде 40 на...

Двухоперационный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 457421

Опубликовано: 05.06.1979

Авторы: Линийчук, Грехов

МПК: H01L 29/00

Метки: двухоперационный, тиристор

...эмитте- ра технический институт и Описаннйе конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключаеый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов р-л-р ф пг), приАвыполнении. Условия, "р-о.р ф.ра также за счет низкого сопротивления растекания управляемой базы и повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.Наличие в слоЕ широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направлен к анодному эьиттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины р.п.р, что сокращает время переходных процессов включения и выключения.Улучшение .частотных харак,.еристик достигается также за счет действия встроенного поля в...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1088676

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Масаеси, Наохиро, Цутому, Масахиро

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...облучения, Известное устройство применимо при изготовлении тиристоров, раГ-ботающих в частотно-импульсных режимах, т.е. для относительно тонкихструктур и, следовательно, для приборов с невысоким напряжением( с 2000 В).Целью изобретения является увеличение инжектирующей способноститиристора при высоких рабочих токахи напряжениях,Указанная цель достигается тем,что в тиристоре, содержащем зашунтированный п-эмиттерный слой, рв-базовую область и -базовую область ибР-эмиттерный слой, акцепторная примесь введена с уменьшением концентрации от п-эмиттерного слоя вглубьрб-базовой области, причем ее концентрация на границе с о -эмиттерЕным слоем находится в интервале(1"8)10"см , листовое сопротивление рбазовой области - в интервале 500-1500 Ом/а,...

Симметричный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 397121

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Евсеев, Думаневич

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, симметричный

...приложении сигнала управления ("+" на электрод 19 и "-" на электрод 17, обычно электрически свя " занный с электродом 16) включение начинается на участках 6 и 7. Это, например, достигается радиальной кон-, струкцией структуры с управляющим электродом, расположенным в центре .круга (фиг,2), или дополнительным шунтированием гг -О-перехода в слоях 4 и 8В направлении пропускания тока принцип действия аналогичен принципу действия тиристора с регенеративным управлением.Для обратного включения, когда 5 к верхнему основному электроду приложено положительное относительнонижнего электрода напряжение, при подаче управляющего сигнала вначале начинает проводить участок, рас- О положенный под металлическим контактом управляющего электрода 19, т.е,...

Симметричный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 397122

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Евсеев, Думаневич

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...структура содержит участки в базовых слоях, время жизни неосновных носителей в которых по крайней25иере в 1,5 раза больше, чем в остальной части структуры, расположенныетак, что проекции границ этих участков на поверхность структуры с управляющим электродом охватывают границы ЗОэмиттерных переходов на расстояниине менее толщины узкой базы и иэолировапные от основного токосъема состороны структуры свободегой отуправляющего электрода.На чертеже показана схема структу35ры тиристора, управляемого в прямомнаправлении током положительной, ав обратном направлении - током отрицательной полярности, Схема содержитслой 1 исходного нпзколегированногополупроводника электронного типа,слои 2 и 3 дырочного типа с умеренной степенью легирования,...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 252482

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Грехов, Крюкова, Шуман

МПК: H01L 21/66

Метки: тиристор

...в течение процесса включения.В настоящее время используют эмиттер с поперечным полем. Особенностью такой конструкции является наличие достаточного протяженного участка И -слоя, свободного от металлического контакта, при этом возможность увеличения д 3(д 1 обосновывается пали чием двух областей включения, т.е. увеличением площади включения.Однако такая конструкция для диффузионного эмиттера не эффективна, так как про. текание достаточно большого тангенциального тока вдоль участка эмиттера, свободного от металлического контакта, приводит к появле нию искрения и постепенной потере запирающих свойств тиристора,Целью изобретения является исключение возможности возникновения тангенциального тока через в -слой эмиттера с большим...

Симметричный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 349356

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...половиной кольцевой областидырочного типа проводимости, а отэмиттерной области дырочного типа полукольцом с электронным типом проводимости и полукольцом области дырочного типа проводимости,На фиг.1 схематично изображено сечЕние симистора; на фиг,2 - полупроводниковая пластина, вид сверху и снизу.Предложенный симистор состоит из исходного монокристаллического кремния 1 с проводимостью электронного типа, дырочных слоев 2 и 3, получен ных. диффузией, эмиттерных слоев 4 и 5 п-типа, кольцевой области 6 с электронным типом проводимости, полу- кольцовой области 7 с электронным типом проводимости, электронно-дырочных переходов 8-13, управляющего электрода 14, верхнего и нижнего силовых электродов 15,16 соответственно,Такая...

Высоковольтный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1455952

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Буякина, Астафьев, Агаларзаде, Куузик, Локтаев, Мартыненко

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, высоковольтный

...параллельной главной поверхности и являющейся серединой и-базового слоя 5. Главная поверхностьпересекает краевую конусообразную поверхность 3 под углом = 30-35При подаче обратного напряжения на структуру образуется слой объемного заряда по обе стороны заблокированного р-п-перехода, границы которого выходят на торцовую поверхность структуры. Если в объеме структуры максимальное значение блокируемого напряжения определяется шириной и-области и электрической прочностью полупроводникового материала, то на ее поверхности в месте выхода р-и-перехода вследствие резкого сужения ширЙгТираж 450," венного комитета по 113035, Иосква, Ж-З ГКНТ ССС Проиэводствен ательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 з 145 нц области...

Схема для коммутации тока с контакта на тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1797727

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Эрнст

МПК: H01H 33/16, H01H 33/04

Метки: контакта, тиристор, схема, коммутации

...помощью размыкающихся с задержкой контактов 3, 4, 5, 6,Перед коммутацией как контакт 1, так иконтакты 3, 4, 5, 6 замкнуты, тиристор 230 находится в непроводящем состоянии,Процесс коммутации инициируется сподводом поджигающего импульса к управляющему электроду тиристора 2, которыйпереводит его в проводящее состояние; уча 35 сток анод-катод становится низкоомным.Непосредственно после этого размыкаетсяконтакт 1, Контакты 3,4,5, 6 являтюся показамкнутыми.В этот момент времени соответствует40 схеме параллельного включения тиристора2 с омическими сопротивлениями 7, 8, 9, 10,Подлежащий коммутации ток протекает1797727 Формула изобретения 1, Схема для коммутации тока с контакта на тиристор, причем тиристор включен параллельно контакту, о т л и ч...

Фотонно-инжекционный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1804667

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Кижаев, Пашков, Львов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, фотонно-инжекционный

...в этом оптотранзисторе. Оп-. тический резонатор типа Фабри-Перо, образованный передним 12 и задним 13Э 1804667О перпор Фиг, 7 зеркалами обеспечивает положительную обратную связь в активной (слой 5) области светодиода.Фотонно-инжекционный тиристор - источник лазерного излучения с двумя оптот ранзисторами (фиг.2) представляет собой р -Р-Р.-М-п -р -Р-Р-М-и -структуру, где на + О О +подложке 1, например из р -ОаАв эпитаксиальным методом сформированы слои: РАО,з 5 Оао,кАв - 4, Р-АО,О 5 Оао,9 о 5 Ав - 5, 10 М-АО,з 5 Оао,о 5 Ав - 6, и -ОаАв - 2, р -ОаАв -3, Р-АО,з 5 Оао,65 Ав - 4 Р-АО,овОао.з 5 Ав - 5, МАО,з 5 Оао,65 Ав - 6, и -ОаАв - 7.Электроды тиристора имеют металлические контакты; катода - 8, анода - 9, управ ляющего электрода - 10,...

Силовой запираемый тиристор

Номер патента: 1616450

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Дерменжи, Шмелев

МПК: H01L 29/743

Метки: запираемый, силовой, тиристор

СИЛОВОЙ ЗАПИРАЕМЫЙ ТИРИСТОР, содержащий полупроводниковую структуру со множеством радиальных полосковых эмиттеров, сгруппированных в несколько концентрических участков, в пределах которых эмиттеры имеют одинаковые размеры и расположены под равными углами один к другому, и базовую область, охватывающую эмиттеры и снабженную металлизацией, контактирующей с управляющим электродом, причем ширина неметаллизированных частей базовой области в пределах каждого из концентрических участков одинакова, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости к высоким скоростям нарастания анодного тока при включении и повышения допустимого значения запираемого тока, ширина неметаллизированных частей базовой области увеличивается от одного из концентрических...

Тиристор

Номер патента: 908198

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Думаневич, Рухамкин, Граужинис, Ковров, Генералов, Кузьмин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...

Тиристор

Номер патента: 1026610

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин, Ханстин, Юрченко, Иоспа

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в области шунтов на том же расстоянии под n-эмиттером выполняются дополнительные участки с концентрацией акцепторной примеси, составляющей не менее 5 1016 см-3.

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1766221

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Думаневич, Юрков, Кузьмин, Тандоев

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор на основе кремниевой многослойной p-n-p-n+ структуры, снабженной распределенными по площади структуры шунтами в виде цилиндров с проводимостью р-типа в эмиттерном слое n+-типа проводимости, причем шунты расположены так, что в поперечном сечении линии, проведенные через их центры, образуют равносторонние треугольники, отличающийся тем, что, с целью повышения dU/dt-стойкости, уменьшения времени выключения, времени включения и прямого падения напряжения путем оптимизации шунтировки, расстояния между шунтами D и диаметры шунтов Dш выбраны удовлетворяющими условиям:D = (A1 п+A2)

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением

Номер патента: 1574122

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Кузьмин, Иванов, Васютинский, Сурма, Шмелев, Асина, Бромберг

МПК: H01L 29/74

Метки: управлением, регенеративным, быстродействующий, тиристор

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением, включающий многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогательной и основной n+- p n p+ -структур с шунтами, p-области управляющих электродов вспомогательной и основной n+- p n - p+ -структур, а также участки повышенной рекомбинации (УПР) носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости к di/dt при включении, участки повышенной рекомбинации в n-базе расположены в области вспомогательной n+- p n - p+ -структуры, под p-областями...

Тиристор, проводящий в обратном направлении

Номер патента: 1085451

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Дерменжи, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: обратном, проводящий, тиристор, направлении

Тиристор, проводящий в обратном направлении, полупроводниковая структура которого содержит первый эмиттерный слой, зашунтированный на отдельных участках с первым базовым слоем, однородно разветвленный управляющий электрод, контактирующий с первым базовым слоем, второй эмиттерный слой, зашунтированный с вторым базовым слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических параметров и температурной стабильности электрических характеристик, второй базовый слой имеет выход на поверхность второго эмиттерного слоя в виде локальных участков, которые расположены в пределах проекции разветвленного управляющего электрода.

Запираемый тиристор

Номер патента: 1349615

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Макаров, Беленков, Бономорский, Куузик, Агафонов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, запираемый

Запираемый тиристор, содержащий четырехслойную p-n-p-n структуру, состоящую из катодного и анодного эмиттеров, узкой и широкой баз, а также металлических электродов к ним, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих токов и напряжений, узкая база выполнена секционной с расстоянием между секциями, не превышающим удвоенную ширину широкой базы, а в приповерхностной части широкой базы вдоль и посередине между секциями узкой базы, а также с внешней стороны периферийных секций сформированы связанные между собой дополнительные области того же типа проводимости, что и широкая база с концентрацией примеси, превышающей концентрацию примеси в широкой базе не менее чем на порядок,...

Мощный быстродействующий тиристор

Номер патента: 1366006

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Зильберглейт, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: мощный, тиристор, быстродействующий

Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхности прямоугольную сетку, причем высота h выступа, диаметр b структуры с выступами и и толщина h0 структуры без выступов связаны следующим соотношением:при ширине выступа d

Тиристор

Номер патента: 592292

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Костина, Грехов

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор с шунтировкой эмиттерного перехода, выполненной в виде каналов, проходящих от базового слоя сквозь эмиттерный слой к токоподводящему электроду, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выключения и уменьшения времени выключения, контакт к шунтирующим элементам выполнен в виде барьера Шоттки.