Патенты с меткой «сверхпроводниковый»

Измерительный сверхпроводниковый модулятор

Загрузка...

Номер патента: 391488

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Рабухин

МПК: G01R 19/18

Метки: модулятор, сверхпроводниковый, измерительный

...параллельно первичной обмотке трансформатора, причем один из электродов подключен к источнику модулирующеыо тока.На чертеже приведена электричеакая схема модулятора. Параллельно первичной сверх- проводящей обмотке трансформатора 1, являющеыося входом устройства, включен джозефсоновокий переход, состоящий из электродов 2 и 3, разделенных тонким слоем диэлектрика. Один из электродов, например 3, подключен к источнику 4 переменного тока, а выходом модулятора является вторичная обмотка о трансформатора 1. 5 Устройство в процессе работы всегда остается в сверхпроводящем состоянии (вторичная обмотка 5 трансформатора 1 несверхироводящая). Если ток от измеряемого источника постоянного напряжения, подключенного 10 ко входу устройства,...

Сверхпроводниковый приемник теплового излучения

Загрузка...

Номер патента: 807938

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Алфеев, Колесников

МПК: H01L 39/08

Метки: теплового, приемник, излучения, сверхпроводниковый

...переходит в смешанное состояние, которое характеризуется тем, что в нем образуется множество мелких нормальных областей, имеющих цилиндрическую форму и располагающихся параллельно приложенному полю.При этом часть внешнего магнитно О го потока проникает в сверхпроводник через нормальные области, причем величина магнитного потока, проходящего через каждую нормальную область, квантуется и имеет постоянное значение, равное 2.0710 1 Вб. Количество квантов магнитного потока определяется величиной суммарного магнитного потока, проходящего через сверхпроводниковую пленку, который зависит от температуры при заданной величине внешнего магнитного поля. Зависимость суммарного магнитного потока, проходящего через сверхпроводник, от температуры...

Сверхпроводниковый элемент с отрицательным дифференциальным сопротивлением

Загрузка...

Номер патента: 1121724

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Песковацкий, Поладич, Еру

МПК: H01L 27/18

Метки: отрицательным, дифференциальным, элемент, сверхпроводниковый, сопротивлением

...содержащемгальванически соединенные сверхпро"водящую и резистивную пленки.на изолирующей подложке, пленки соединеныпоследовательно и поперечное сечениесверхпроводящей пленки монотонно уве-.личивается к границе пленок,На чертеже изображен сверхпроводниковый элемент с отрицательным дифференциальным сопротивлением.Сверхпроводниковый элемент состоит из подложки 1, на которой расположены пленка 2 сверхпроводящего металла.и пленка 3 резистивного металла.Пленка 2 сверхпроводящего металлаимеет монотонно увеличивающуюся ширину от меньшего значения М до большего - Ч где она гальванически соеЭдинена с .резистивной пленкой 3, То 1724 2 торых существует отрицательное дифференциальное сопротивление, пропорционален длине пленки, и при длинепленки...

Сверхпроводниковый флюксметр

Загрузка...

Номер патента: 1281010

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Дорошенко, Тункин, Масалов, Бахтин

МПК: G01R 33/035

Метки: флюксметр, сверхпроводниковый

...9.Устройство работает следующим об 55разом.Измеряемйй магнитный поток и, какследствие, выходной сигнал двухконтактного сверхпроводящего квантового ингерфероетр 9 и 1 су 1 иру тся;инитным потоком ив 1 Одимык кГуко обратной связи при протекаиии через нее синусоидального тока через разделительный конденсатор 6 от генератора 8. Сигнал с двухконтактнаго сверхпроводящего квантового интерферометра 9 поступает на усилитель 2 переменного тока, а затем - на первый вход синхронного детектора 3, опорной частотой которого служит сигнал генератора, 8. Выходные сигналы Ч, и Ч (фиг. 2), получаемые при Ф=Ф, и Ф=Ф, изменяются с частотой модуляции и находятся по отношению друг к другу в противафаэах. Напротив, при Ф=Ф, выходной сигнал...

Сверхпроводниковый датчик постоянного тока

Загрузка...

Номер патента: 1413685

Опубликовано: 30.07.1988

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, сверхпроводниковый, постоянного

...витки также включены градиентометрически, т,е, по отношению к полям имеющим криволинейную геометрию, лежащим в плоскости, перпендикулярной оси цилиндров (например, от проводника с током, проходящего параллельно оси цилиндров), такие витки будут включены градиентометрическими и наведенные этими полями токи в витках будут взаимно компенсироваться. Передающая обмотка состоит из двух одинаковых секций, образованных проводом, продетым через все витки датчика у одного торца и также через все нитки у другого торца, Обмотка входит и выходит через соседние витки и, следовательно, наводит в них суммирующиеся токи. Переход обмотки от одной секции к другой также осуществляется через соседние по образующей цилиндра витки, включенные...

Сверхпроводниковый магнитоградиентометр для биомагнитных измерений

Загрузка...

Номер патента: 1624376

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Горбач, Куликов, Козлов

МПК: G01R 33/035

Метки: магнитоградиентометр, сверхпроводниковый, биомагнитных, измерений

...блока регистрации и управляемого резистивногоделителя 13 напряжений, а также сброс интегратора 21 блока 8 для установки нулевогосигнала на выходе магнитоградиентометраи (в простейшем случае) может быть выполнен в виде набора коммутирующих элементов (переключателей), подключенных кисточнику напряжения для формированияна своих вьходах сигналов определенногоуровня,Магнитоградиентометр работает следующим образом,Приемный градиентометрический контур располагают вблизи биомагнитного объекта. Изменяющееся магнитное полебиомагнитного обьекта воспринимаетсякрайним витком 2 градиентометрическогоконтура и преобразуется квантовым интерферометром 6 в напряжение, которое поступает с блока 8 съема сигнала на блок 11регистрации. Требуемый...

Сверхпроводниковый электронный болометр

Загрузка...

Номер патента: 1597055

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Воронов, Гершензон, Федосов, Федорец, Гольцман

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, сверхпроводниковый, электронный

...УРМ,3.279.017, оснащенной источником магнетройного распыления, твк и катодным распылением в триодной системе (на установке УРМ 3,279.014. Подложками для Фотоприемников гелиевого уровня служили полированный лейкосап" Фир толщиной 0,3-0,5 мм и кварц толщиной 0,1-0,25 мм. Формирование топо- . логического рисунка ЧЭ по фиг.2 осуществлялось как методами фотолитографии с применением фоташаблонов, из" гОтовленных электронной литограФией, твк и прямой электронной литограФией.Ширина полоски, образующей замкнутую четырехзвенную прямоугольную структуру составляла 0,8 мкм, длина большей стороны прямоугольной Фигуры 500 мкм, длина меньшей стороны 3 мкм, размеры соединительных перемычек 30 ф 30 мкм. Один ЧЭ содержит 210 последовательно...

Сверхпроводниковый магнитный сепаратор

Загрузка...

Номер патента: 1715428

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Березин, Петров, Буянова, Товма, Буянов

МПК: B03C 1/30

Метки: сепаратор, сверхпроводниковый, магнитный

...в плоскости, проходящей через центр катушки возбуждения, при этом одна из обечаек скреплена по торцам с гелиевой ванной, а другая - с наружным кожухом. Теплозащитный экран 3, расположенный с внешней стороны гелиевой ванны, размещен между силовыми обечайками 9 и имеет тепловой контакт с опорным кольцом 10. Внутри вертикального теплого отверстия криостата проходит магнитопровод.11 се 1 а-, ратора, оканчивающийся двумя полюсными наконечниками 12. Магнитный поток полюсов замыкается через вращающийся (роторный) сепарационный блок 13, снабженный рабочими камерами 14, в которых находится обогащаемый материал. Криостат может быть установлен на фундаментной плите, либо непосредственно связан с магнитопроводом сепаратора.Предлагаемое...

Сверхпроводниковый коммутатор тока

Загрузка...

Номер патента: 1635846

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Волков, Исаков

МПК: H01L 39/10

Метки: сверхпроводниковый, коммутатор

...магнитным экраном. Число контактов в устройстве сведено к мисимуму, С а токонесуцнй элемент и сверхпроводящие магнитные экраны могут быть выпалнены из высокотемпературных сверх- проводников. 1 з.п. ф-лы, 3 ил том ввода 2 и контактами вьсвода 3 и 4причем последние разделены магнитньщэкраном 5. Около кадого контакта вывода установлены магнитьс 6 и 7 с обмоткой возбуждения,стройство работает следум. омент, когда управткл 0 ченьс, рабочий элецый до температуры для данного сверх дится в сверхпроводяток 1 , подведенньсй 2, распределяетсяпо изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРЖ, Раушская наб., д. 4/5 онзвопственно-издательский комбинат Патент , г, Ужгород Гагарина, 1 по сверхпроводящим цепям, подключенщю к контактам вывода 3 и 4, н...

Сверхпроводниковый обмоточный провод с циркуляционным охлаждением для импульсных сверхпроводящих магнитных систем

Номер патента: 1612820

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дедюрин, Батаков, Акопян, Костенко

МПК: H01B 12/00

Метки: магнитных, импульсных, обмоточный, сверхпроводниковый, циркуляционным, охлаждением, систем, сверхпроводящих, провод

1. СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ОБМОТОЧНЫЙ ПРОВОД С ЦИРКУЛЯЦИОННЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ, содержащий скрученные сверхпроводниковые многоволоконные проволоки, размещенные в герметичном корпусе из нержавеющей стали или алюминиевого сплава, отличающийся тем, что, с целью уменьшения затрат на охлаждение и повышения эксплуатационной надежности путем реализации возможности обнаружения локальных тепловых возмущений в проводе, по продольной оси провода выполнен сквозной канал, сверхпроводниковые многоволоконные проволоки размещены в пространстве между стенками канала и герметичным корпусом, а внутри канала размещены по крайней мере два световода.2. Провод по п.1, отличающийся тем, что стенки канала выполнены...

Сверхпроводниковый туннельный диод

Номер патента: 1575858

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Гусельников, Снегирев, Белоусов, Тагер

МПК: H01L 39/22

Метки: сверхпроводниковый, туннельный, диод

СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, содержащий два электрода, эмиттер и коллектор из сверхпроводника, разделенных полупроводниковой прослойкой, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной рабочей частоты и мощности, полупроводниковая прослойка выполнена в виде многослойной квантовой гетероструктуры, состоящей по крайней мере из двух полупроводниковых материалов, различающихся шириной запрещенной зоны, причем слой узкозонного материала расположен между слоями широкозонных материалов и образует потенциальную яму для основных носителей заряда, содержащую по крайней мере один квантовый уровень.

Сверхпроводниковый магнитометрический прибор

Номер патента: 1535285

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Федоров, Минашкин, Байков

МПК: H01L 39/22

Метки: магнитометрический, прибор, сверхпроводниковый

Сверхпроводниковый магнитометрический прибор, содержащий сверхпроводниковый трансформатор магнитного потока, связанный со сквидом, и блок обработки сигнала со сквида, отличающийся тем, что, с целью увеличения мгновенного динамического диапазона, трансформатор магнитного потока связан с дополнительным сквидом, выход блока обработки сигнала которого через преобразователь соединен с катушкой, индуктивно связанной с контуром квантования основного сквида в противофазе с трансформатором потока, причем коэффициент трансформации трансформатора магнитного потока в дополнительный сквид меньше, чем в основной.

Сверхпроводниковый регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 1445483

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Самусь, Зубков

МПК: H01L 39/22

Метки: регистр, сдвига, сверхпроводниковый

Сверхпроводниковый регистр сдвига, содержащий подложку, на поверхности которой расположены основные сверхпроводящие электроды, соединенные друг с другом посредством основных двухконтактных интерферометров, образующих основную периодическую структуру ячеек, и основную шину управления, индуктивно связанную с указанными ячейками, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей регистра сдвига за счет обеспечения возможности обработки информации при ее передвижении, он содержит дополнительные сверхпроводящие электроды, соединенные дополнительными двухконтактными интерферометрами, образующими дополнительную периодическую структуру ячеек, дополнительную шину управления,...

Сверхпроводниковый пленочный логический элемент

Загрузка...

Номер патента: 1208986

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Тябликов, Самусь, Махов, Гудков

МПК: H01L 39/22

Метки: сверхпроводниковый, элемент, логический, пленочный

Сверхпроводниковый пленочный логический элемент, содержащий экран, два изолированных от него сверхпроводящих электрода, расположенные над ними и соединенные распределенным джозефсоновским контактом, подводящие шины, подсоединенные к средней части электродов, и по крайней мере одну управляющую шину, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и расширения функциональных возможностей логического элемента путем увеличения коэффициента усиления, каждый электрод выполнен в виде сплошной пластины, подводящие шины подсоединены к средней части участков, образующих джозефсоновский контакт, а шины управления расположены над остальной частью пластины.