Патенты с меткой «структур»

Страница 9

Устройство для обработки структур данных

Загрузка...

Номер патента: 1709328

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Шибанов, Мельников, Дигоран, Силантьев, Смирнов

МПК: G06F 15/00

Метки: данных, структур

...при этом задействуются узел 23 оперативной памяти (далее обозначаемый ОЗУ), регистр 28 (далее обозначаемый Р 1), регистр 30 (далее обозначаемый Р 2).Система команд узла 25 предварительной обработки содержит одиннадцать команд: запись в Р 1; считывание из Р 2; запись и считывание в ОЗУ; логическое сложение; логическое умножение; арифметическое сложение; арифметическое вычитание; сдвиги; условные переходы (с помощью группы 71 регистров) выдача сигнала "Поиск"; выдача сигнала "Готовность".Для обработки массива, записанного в узле 23 оперативной памяти, элемент которого имеет вид (Х,УУИ), где Х - ключ, а УУй - семантический указатель, может быть использована микропрограмма, блоксхема которой представлена на фиг. 13.В качестве примера...

Способ измерения высокочастотных характеристик ускоряющих структур

Загрузка...

Номер патента: 1711349

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Козлюк

МПК: H05H 7/00

Метки: высокочастотных, характеристик, ускоряющих, структур

...измеряемого ускоряющего участка по продольной координате вдоль ускоряющей структуры. Это позволяет провести зондирование структуры после сборки ее с точки зрения эффективности ускорения.Инжектируемый электронный .пучок поступает в пространство взаимодействия ускоряющей структуры, в котором импульсом мощности СВЧ"питания Формируется электрическое поле обратной волны. При равенстве скоростей электронов и Фазовой скорости ускоряющей гармоники электрического поля создаются оптимальнце условия для захвата частиц в режим ускорения в том сечении ускоряющей структуры, в котором вцполняется это равенство.При подаче на вход структуры РдиР электроны, находящиеся в окрестности максимума ускоряющей гармоники электрического поля, уско ряются...

Способ определения взаиморасположения органов и структур

Загрузка...

Номер патента: 1711832

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Брызицкий, Кавун, Марчук, Сумко, Винниченко, Круцяк, Кругляк, Ватаман, Малеванная

МПК: A61B 6/00

Метки: взаиморасположения, органов, структур

...определения. Сущность изобретения: при неподвижном положении объекта проводят поочередное контрастирование поверхностей органов и структур путем аппликации рентгеноконтрастного состава и изготовление рентгенограммы, После удаления каждой рентгенограммы аппликат удаляют, результаты рентгенографии суммируют перенесением всех излучаемых органов и структур на общую схему, Положительный эффект: позволяет уточнить синтопию изучаемых органов и структур и повысить информативность топографо-анатомических исследований. м.казана синтопия органов плода.иняты следующие обоэтопическое поле" левого - "синтопическое поле" ика; 3 - "синтопическое - "синтопическое поле" лезы,нского пола. Теменно-пямм, теменно-копчиковый1711832 Составитель А....

Устройство для контроля монтажных структур

Загрузка...

Номер патента: 1712903

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Якшов, Киреев

МПК: G01R 31/02

Метки: структур, монтажных

...34, счетчик 35, первый 36 и второй 37 элемент НЕ, пятый 38 и шестой 39 элементы И и третий элемент ИЛИ 40.Блок 1 управления, первый 2 и второй 3 регистры эталонов, первый 4 и второй 5 блоки сравнения, счетчик 6 цепей и счетчик 7 контактов, блок 8 предварительной обработки информации, блок 9 распределения информации, блок 10 ввода информации, блок 11 печати, регистр 12 вывода, блок 14 фиксации сигнатуры и состояния аналогичны и устройству-прототипу и выполнены на аналогичных элементах. Блок 13 анализа цепей содержит стандартные цифровые элементы серии К 555. Оптоэлектронные ключи 16 и 17 блока анализа цепей могут быть выполнены, например, на основе оптотранзисторов типа ЗОТ 110 или АОТ 110 или им подобных.Устройство работает...

Устройство для измерения токовых шумов резистивных структур

Загрузка...

Номер патента: 1714526

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Демидович, Белавин

МПК: G01R 19/02

Метки: токовых, резистивных, структур, шумов

...усилителе 6 сигнал разбаланса подается на первый синхродетектор 11, причем амплитуда сигнала пропорциональна величине разбаланса, а фаза сигнала зависит от знака разбаланса, Выходной сигнал первого синхродетектора 11, который пропорционален величине разбаланса входного блока 5, а полярность этого сигнала зависит от знака разбаланса, подается соответственно на первый 12, второй 13 и третий 14 компараторы, амплитудные характеристики которых приведены соответственно на фиг, 2 - 4, причем третий компаратор 14 является нуль-индикатором, а первый и второй компараторы одинаковы и различаются только величиной порогового напряжения.Выходные сигналы первого и второго компараторов определяют режим работы блока управления 15, который...

Устройство для измерения коэрцитивной силы доменосодержащих структур

Загрузка...

Номер патента: 1718161

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Талуц, Грязев, Нестеренко

МПК: G01R 33/05

Метки: силы, доменосодержащих, коэрцитивной, структур

...второго выхода дешифратора 11 (фиг.2 е) устанавливает триггер 12 в единичное состояние. Высокий уровень с выхода триггера 12 поступает нэ управляющий. вход коммутатора 27 и,вызывает изменение полярности подключения напряжения, вырабатываемого источ- .5ником 26 питания, к входу биполярного источника 28 тока, что изменяет полярность тока и магнитного поля, создаваемого катушкой 29, на противоположное (фиг,2 л). Под действием магнитного поля происходит 10 сдвиг доменных. границ образца в другую сторону от равновесного положения.Импульс на третьем выходе дешифратора 11 полукадровой длительности (фиг.2 ж) появляется после завершения переходных процессов, вызванных изменением полярности магнитного поля в катушке 29, Этот импульс поступает на...

Способ определения внутричерепных структур головного мозга

Загрузка...

Номер патента: 1734695

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Биттерлих, Хобта

МПК: A61B 8/00

Метки: структур, головного, мозга, внутричерепных

...и измерительнойметкой прибора определяется расстояние 45до него. Пульсирующий эхо-сигнал стробируется с помощью детектора эхо-пульсацийи изменение высоты эхо-сигнала в течениепульсового цикла записывается на регистраторе в виде пульсовой кривой (эхопульсограммы). Одновременно с регистрациейэхопульсограммы производится синхронная запись реоэнцефалограммы в битемпоральном отведении, Затем осуществляетсясравнительный зронометрический анализ 55произведенной записи, во время которого сопоставляются по времени идентичные точки на эхопульсографической и реоэнцефалографической кривых и, согласно предкидентификация отражающей ультразвук внутричерепной структуры по фун кционал ьной принадлежности к артерии, мозговому желудочку или вене.Эти...

Устройство для удаления ионов загрязнения с поверхности полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1623498

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Сазонов, Журавлев, Северцев, Микертумянц

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнения, поверхности, ионов, удаления, полупроводниковых, структур

...предварительно заменив катионоселективные мембраны анионоселективными и осуществив переплюсовку, т. е. приложив к структуре отрицательный потенциал, а на электроды - положительный.В устройстве достигается значительная экономия воды эа счет того, что один и тот же объем деионизованной воды можно использовать многократно при сохранениивысокого качества очистки полупроводниковой структуры, так как ионы загрязнения в процессе очистки непрерывно выводятся из отмывочного раствора и его чистота в процессе очистки не ухудшается,Одновременно в устройстве обеспечивается и экономия электроэнергии, так как наличие мембраны между электродами позволяет приблизить их друг к другу. Воэможность уменьшить расстояние между электродами в устройстве...

Способ лечения посттравматических контрактур мягкотканых структур

Загрузка...

Номер патента: 1736510

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Счастный, Семикин, Немсадзе, Шукин, Выборнов, Крестьяшин, Кузнечихин, Кузовлев

МПК: A61N 1/32, A61N 2/04

Метки: структур, мягкотканых, посттравматических, контрактур, лечения

...относительно низкие частоты (0,8-2,5 Гц), так как установлено, что наиболее выраженное приращение ударного объема кровенаполнения в сегменте конечности происходит в интервале частот 0,8 - 2,5 Гц.Кроме того, при проведении лечебных процедур амплитуда напряженности индуцированного электрического поля колебалась от 0,05 до 0,1 В/м, так как установлено, что максимальное значение избыточного объема кровенаполнения за время процедуры достигается именно в этом интервале амплитуд напряженности.Длительность самой лечебной процедуры не должна превышать 15 - 30 мин, так как установлено, что выраженный максимум положительных изменений ударного объема кровенаполнения у пациента во время сеанса ЭМВ наблюдается именно в этом интервале...

Штамм соматических структур макроскопического гриба вешенки обыкновенной рlеurотus оsтrеатus продуцент плодовых тел съедобного гриба

Загрузка...

Номер патента: 1739895

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Гойхман, Юрчук, Горбач, Додылева

МПК: C12N 1/14, A01G 1/04

Метки: тел, рlеurотus, гриба, продуцент, обыкновенной, съедобного, плодовых, соматических, структур, макроскопического, штамм, вешенки, оsтrеатus

...12,86 .+ 0,14 мм в сутки. Температурные оптимум роста мицелия - 28 С, От места инокуляции агаровой среды мицелий распространяется кругами, равномерно, причем сначала развиваются субстратные, а затем воздушные гифы, Край колонии до 3-х сут выглядит прижатым, В последующем, при рассмотрении сверху край колонии бахромчатый, Реверзум выглядит аналогично, Гифы бесцветные. Ширина их варьирует в пределах 4,2 - 7,6 мкм, а длина клеток 25 - 80 мкм, Верхушечные клетки гиф имеют гомогенную структуру протоплазмы, По мере роста мицелия и его дифференциации на 3 - 6 сутки в клетках мицелия появляются вакуоли и жировые включения. Ветвление гиф вначале дихотомические. Впоследствии на 3 - 4 сут с появлением пряжек гифы густо переплетаются,...

Способ определения высокочастотных параметров ускоряющих структур

Загрузка...

Номер патента: 1742896

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Смирнов, Соколов

МПК: H01J 9/42

Метки: структур, высокочастотных, параметров, ускоряющих

...поглощающейнагрузкой 5 и фокусирующей системой 6,СВЧ-тракт 7, связанный с ускоряющей секцией и оканчивающейся согласованнойнагрузкой 8, содержащей калиброванныйответвитель 9, подключенный к измерительной детекторной головке 10 и частотомеру 11; 30Способ реализуют следующим образом.Непрерывный электронный пучок изинжектора 1, удерживаемый магнитным полемсистемы 6, проходит пространство взаимодействия ускоряющей структуры 4. В такойсистеме возникает автогенерация СВЧмощности, распространяющейся навстречупучку, по типу лампы обратной волны(ЛОВ),и регистрируется измерительной детекторной головкой 8, если ток инжекции, измеряемый системой 3, ббльше пороговогозначенияОпз 45где Оп - напряжение инжекции, соответствующее примерному синхронизму...

Способ лечения комбинированных поражений структур переднего отдела глаза

Загрузка...

Номер патента: 1745240

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Маложен, Каспаров

МПК: A61F 9/00

Метки: поражений, комбинированных, структур, отдела, глаза, лечения, переднего

...1,0 - 1,5 мм.Отступив на 2 - 3 мм от наружного края насечки на склере на трубочку-капилляр накладывают П-образный перекидной шов и (супрамид, нейлон (9/О - 10/О), предварительно определив его длину так, чтобы про,ксимальный конец можно было бы зафиксировать к радужке. Несквоэную насечку на роговице осколком бритвенного лезвия переводят в сквозной разрез и роговичными ножницами иссекают сквозной диск патологически измененной роговицы. Через трепанационное отверстие в роговице производят необходимые элементы реконструкции переднего отдела глаза: пластику, экстракцию мутного хрусталика, удаление остатков хрусталиковых масс или капсул, переднюю витрэктомию, имплантацию интраокулярной линзы, формирование зрачка, освобождение угла передней...

Способ лечения детей с асептическими некрозами костно хрящевых структур

Загрузка...

Номер патента: 1750700

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Семикин, Немсадзе, Кузовлев, Счастный, Бакин, Кузнечихин, Воробьев, Щукин, Краснов

МПК: A61N 2/00

Метки: лечения, детей, некрозами, асептическими, структур, костно, хрящевых

...фрагментация хоботкового отростка бугристости этой кости. Проведен курс бесконтактной электромагнитной стимуляции по следую щей методике: в полость контура, состоящего из 6 спаренных соленоидов, поместили сегмент конечности таким образом, чтобы очаг патологического процесса располагался по центру системы соленоидов. Парамет ры действующего поля: частота 0,8 Гц,напряженность индуцированных электрических полей 0.05 В/м, продолжительность воздействия - 10 мин, Самочувствие больного после 10 сеансов улучшилось, жалоб 15 нет. При осмотре: кожные покровы в области бугристости большеберцовой кости без воспалительных изменений, боль отсутствует при пальпации и перкусии, Через 1 мес после лечения на рентгенограммах опреде ляется нормальная...

Способ контроля зарядовой стабильности структур диэлектрик полупроводник с приповерхностным -переходом

Загрузка...

Номер патента: 1755218

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Воинов, Кураченко, Гущик, Чернуха

МПК: G01R 31/26

Метки: диэлектрик, переходом, структур, приповерхностным, зарядовой, стабильности, —полупроводник

...достаточно длительном процессе эксплуапробоя, воздействие коронными разрядом, тации, Потенциал электрода выбирается таполярность которого соответствует инвер- кой полярности, чтобы в приповерхностной сии приповерхностной области р-и-перехо- области р-п-перехода возникал инверсный да, изменяют величину потенциала слой. Величина потенциала, необходимая коронногоразрядаиодновременноизмеря для возникновения инверсионного слоя, ют электрический ток, протекающий через тем больше, чем меньше величина заряда .р-п-переход, причем потенциал коронирую- структуры диэлектрик-полупроводник, что щего разряда увеличивают до тех пор, пока иллюстрирует фиг.1. О появлении инверсноток начинает немонотонно увеличиваться, а го слоя судят по возрастаию...

Штамм соматических структур макроскопического гриба рlеurотus оsтrеатus (jаsт. f )кuммеr

Загрузка...

Номер патента: 1755735

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Цофина, Шалашова, Сычев, Казокин, Кипень, Негруцкий, Демкович

МПК: A01G 1/04

Метки: оsтrеатus, макроскопического, кuммеr, гриба, jаsт, структур, штамм, соматических, рlеurотus

...внутри при этом на 4-6 С выше, что соответствует температурному оптимуму вегетативной фазы развития гриба. С появлением зачатков тел шляпок и ножек) гриба полиэтиленовые оболочки с контейнеров сниимэют, а темпе 101535 фельно-глюкозном агэре составил 11,4.ф.0,1 мм/сутки. Скорость роста мицелия в чашках Петри на сусло агаре при оптимальной температуре составляет 11,80+0,2 мм/сутки,Отношение к углеводам. Наибольшее накопление биомассы штаммом УВ 1017 имело место нэ среде, содержащей лактозу, мальтозу, маннит и галактозу.Отношение к источникам азота. На среде с мочевиной, нитратом аммония, сульфатом и нитратом развивается достаточно интенсивно, По результатам накопления биомассы лучшими для культуры штамма оказались глютаминовая и...

Штамм соматических структур макроскопического гриба вешенки обыкновенной рlеurотus оsтrеатus продуцент плодовых тел съедобного гриба

Загрузка...

Номер патента: 1755736

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Юрчук, Горбач, Гойхман, Додылева

МПК: C12N 1/14, A01G 1/04

Метки: плодовых, соматических, продуцент, макроскопического, оsтrеатus, структур, гриба, вешенки, съедобного, обыкновенной, штамм, тел, рlеurотus

...куляции Максимальный прирост миелия, ммДиаметр колонии на 7-ые сутки,мм на сутки 13 1.1 11 Предлагаем.Дон 112,Р. согпцсораеМ 200 90 82 86 5-6 76 19 20 25 28 28 Культуральные признаки. На суслоага- ном конкурсном сортоиспытании в произре культуры колоний снежно-белые. Тексту- водственных условиях НПО "Виктория" на ра ватная. Высота воздушного мицелия до 3 субстрате, состоящем из смеси соломы с мм, По мере появления пряжек на гифах и кукурузной кочерыжкой в соотношении 2:1, тяжей, на мицелии формируются примор В сравнейии с культйвируемыми в произдии, имеющие положительный фототро- водстве штаммами отличается большей скопизм. Скорость роста на суслоагаре ростьюлийейногороста(табл.1)идружным составляет 12,06+0,13 мм/сутки, Темпера-...

Способ создания образцов сравнения для лазерного и вторично ионного масс-спектрометрического количественного анализа примесей на поверхности кремния и структур на его основе

Загрузка...

Номер патента: 1756827

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Изидинов, Разяпов, Назаров

МПК: G01R 1/00

Метки: лазерного, основе, структур, создания, поверхности, кремния, анализа, количественного, масс-спектрометрического, ионного, образцов, вторично, примесей, сравнения

...и (2)величинами концентрации примеси в интервале 10-10 5 мас.0 в исходном расгворе.Предлагаемый способ характеризуютследующие свойства:простота операций, общедоступностьлабораторного оборудования и оснасткидля создания ОС;простота и точность регулирования впределах не менее 4 порядков содержайиястандартизируемого элемента-примеси;возможность высокой точности прогнозирования содержания примеси и направлейного его изменения на основе простогосоотношения, параметры которого мотутбыть найдены путем простых расчетоввследствие высокой восп роизводймостисвойств матрицы из СПК;тонкая структура и равномерное распределение микропор (обусловливает равномерное распределение примеси пообъему СПК);большая толщина СПК (100 - 200 мкм);что позволяет...

Способ изготовления структур мдп-интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1487759

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Саночкин, Перов, Крюков

МПК: H01L 21/8232

Метки: структур, мдп-интегральных, схем

...Рмци 51 .с и слоя нттт рида кремния .эце удалян)т, я используют в качествемежслойцой изоляции полцкремциеныхттИн первого уронця. Затем осаждаютвторой слой поликремция 9 (йттГ.А) 511 е 5 ирутот его и плазмохкмическкм травлением через маску двух слоев поликремния формируот области плавающего зат-вора 10 и управляющего затвора 11,причем травление проводят н цаправле".нки, перпеНдикулярном направлению поликремниевых шин перного уровня(фиг.5),Формирование областей истоков истоков 12 элементов памяти проводятпгмплацтаццей ионов мьпцьяка Б участкикремниеной подложки, нс:.срытые послесамосовмещенцаго транления первогои второго слоев полккремния, Ня заклсчительной стадии изготовленияструктур элемецтов памяти формируютторцовый оксид кремния 13...

Способ формирования полицидных структур

Загрузка...

Номер патента: 1584653

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Ерков, Девятова, Голод

МПК: H01L 21/285

Метки: полицидных, структур, формирования

...ОсаЗЩЯть толикрсмний не имеет смысля, т.к, в этои случае полкремний начиняет расти па зоне неравномерно, Из черте- жа виде 0, что с павьддеев 1 ем темпера туры гряеичцые дявлееге 1 е ОсязКце 1 еил слоев умецьшаютсл. Боэможе 1 ы трц ва. - рианта выряще 1 ваЕЛЕл полцце 1 дцой структуры в еденам технологическом процессе иэ газовой смеси, составленной 50 нз источников кремния и силицндообра" эуощего металла одцовремееИо измене" нием одного иэ параметров давления в реакторе Р, соотношения реагентов К, температуры в реакторе Т).Бсетри варианта в реаепезяциирав 11 оцее 11 еы и лвллютсл техЕИЕческиии эквивалентами. Силицидцые слои осаждаотся поцепному ряэветвлене 1 ому мехянЕЕэиу р я слои паликремЕв 1 язя счет пиролизякремнийсодержащего...

Прозрачный материал для электронно-лучевого формирования в нем рефракционных интегрально-оптических элементов и структур

Загрузка...

Номер патента: 1765129

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Бывалин, Изынеев, Длугач, Копылов, Ормонт, Кравченко

МПК: C03C 23/00, G11B 11/03

Метки: элементов, нем, интегрально-оптических, рефракционных, прозрачный, структур, электронно-лучевого, формирования, материал

...радиационные свойства стекол, 20Применение фосфатных стекол указанного выше состава по новому назначениюстало возможным благодаря эффекту, заключающемуся в том, что при энергии3 - 30 кэВ и дозе поглощенных электроновб 10 эл/см остросфокусированный электронный пучок производит вфосфатных стеклах физико-химические изменения, приводящие к существенному увеличению их показателя преломления, 30В указанном узком интервале концентраций стекла сохраняют практически одинаковую способность изменять показательпреломления под воздействием электронного пучка, что было установлено с помощью интерференционно-микроскопических измерений, Также было установлено, что электронное облучение изменяет не только показатель преломлениястекла, но и его...

Способ определения толщины эпитаксиального слоя кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Шаталов, Пашкова, Прохоров, Миттенберг

МПК: H01L 21/66

Метки: слоя, толщины, эпитаксиального, структур, кремниевых

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Устройство для контроля структур трикотажных полотен

Загрузка...

Номер патента: 1772251

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Цитович, Капустинский, Петров, Жилкина, Джермакян

МПК: D04B 35/20

Метки: полотен, трикотажных, структур

...диаФрагм 7. 8. и 9, 10 находятся на разномудалении от обьектива 5. Одна пара диафрагм 7, 8 находится в плоскости увеличенного сфокусированного изображения структур, параллельных плоскости сагиттального сечения, создаваемого цилиндроической линзой 4 и обьективом 5. а другая пара диафрагм 9, 10 находится в плоскости увеличенного сфокусированного иэображения других структур, параллельных плоскости меридионального сечения,создаваемого цилиндрической линзой 4 и объективом 5. Благодаря этому обеспечивается одновременное раздельное представление трансформированного изображения взаимно перпендикулярных структур, которые контролируются. При этом изображение одних структур лежит в плоскости диафрагм 7, 8, а изображение других структур,...

Способ определения объема клеточных структур биологической ткани на электронограммах

Загрузка...

Номер патента: 1774218

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Григорьев

МПК: G01N 1/28

Метки: объема, биологической, структур, ткани, клеточных, электронограммах

...активного дыхания, Очевидно, что локальное конформационное состояние ультраструктуры, соответствующее митохондриям темного типа, отражает лишь циклические измене ния клеточного дыхания, и нейрон фактически находится в функционально активном состоянии. В результате реконструкции семи срезов толщиной по 50 нм, обозначенных цифрами 1-1, 2-1, 3-1, 4-1, 5-1, 6-1, 7-1, 10 плоскости, соотвегствующие указанным срезам, в митохондрии, обозначают цифрами 1 - 7, Например, срез 1-1 соответствует плоскости 1, срез 2-1 - плоскости 2, Определяем обьем, Для этого определяем пло щадь каждого среза митохонгдрии и складываем их, 51-1 (241 нм )+Яг" (51 нм +296 нм )+Из(48 нм +262 нм + + Ял(17 нм +481 нм )+35-1 (16 нм + + 218 нм )+55-1 (22 нм +110 нм )+ 20 ч...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Овчаренко, Калинин

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Способ намотки бесконечных протяженных структур

Загрузка...

Номер патента: 1777594

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Владимир, Милан, Франтишек

МПК: B65H 54/32

Метки: намотки, структур, протяженных, бесконечных

...переработки в ткань представляется наиболее целесообразной мягкая форма початка со скругленным мес том перехода с цилиндрической в коническую часть, причем такая форма намотки не может быть обеспечена известным способом.Вышеуказанные недостатки устраняются при намотке предлагаемым способом бесконечно протяженных структур, особенно вискозных волокон, прядомых, отделываемых, скручиваемых в непрерывном процессе и наматываемых в форме копса 5 10 таким образом, что при подаче материала на вращающийся цилиндрический или конический патрон и раскладывании материала вдоль патрона перекрещивающимися витками путем сообщения нитеводителю поо 15 50 55 Графическое изображение хода нитеводителя со смещением положения точек изменения направления...

Способ изготовления периодических структур на сегнетоэлектрических кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 1782323

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Колесников, Кострицкий, Маньянов

МПК: G03H 1/18

Метки: структур, периодических, сегнетоэлектрических, кристаллах

...меньше, чем для электро нов и голограмма "живет" более длительноевремя, чем время, необходимое для работы ОЗУ. Для получения стабильной (живущей несколько лет), контрастной периодической структуры, полученную "протонобусловленную" фазовую голограмму обрабатывают врасплаве монокарбоновой кислоты, В качестве активной среды может быть взята любая монокарбоновая кислота (оксинафтойная, пальмитиновая, бензойнаяФ и др.), служащая источником ионов Н для топотактической реакции протонного заме,+ +щения О =Н, которая преимущественно протекает в областях с повышенной концентрацией протонов (по эстафетному характеру). Следствием этого является дальнейшее увеличение концентрации протонов в вышеупомянутых областях. Сегнетоэлектрический кристалл...

Способ разбраковки структур с -переходом по чувствительности к импульсным электрическим перегрузкам

Загрузка...

Номер патента: 1785053

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Головизнин, Стриха, Радзиевский, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: разбраковки, переходом, импульсным, чувствительности, электрическим, структур, перегрузкам

...1 х структур по калибровочной зависимости. Техническая сущйость предложенного способа поясняется чертежом, на котором на фиг, 1 показана схема для измерения величин изменений термочувствительных параметров на однократных импульсах, где 1 - исследуемый переход, 2 - ограниченное сопротивление, 3 - токосъемное сопротив ление, 4 - измеритель напряжения на исследуемом переходе, 5 - измеритель напряжения пропорционального току черезпереход 5, 6 - генератор импульсов,на фиг. 2 приведена калибровочная зависимость,где ЬЧ-изменение напряжения лавинного пробоя под действием эталонного импульса.Чр - амплитуда разрушающего импульса, измеренная с помощью известного способа пошагового увеличения амплитуды импульса до разрушения...

Устройство для контроля дефектности полупроводниковых пластин и структур

Загрузка...

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Петросян, Файфер, Митюхляев, Дюков, Сагань, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: пластин, дефектности, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Способ определения амплитуды вертикальных тектонических движений локальных структур

Загрузка...

Номер патента: 1785574

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Прищепа, Шишкин

МПК: G01V 1/00

Метки: структур, локальных, вертикальных, амплитуды, движений, тектонических

...по геапогцчесг Ог у разрезу обуспонпена глав" ныг образог необратиггьп.1 и преабразованичг 1 т, проигодчщцг 7 г в породе в теченгге длительного геологического врегени, прц погру т енг 7, Эта зависимость аппракс 1 г 1 т 1- рретсл пинсйнОй с угпэзыг 1 козфф 14 т 1 ентам й Прчаднчтцц породы в результате текгонцчес ц днц+енцй с ней не процсьодТни ани дапьнейшц; преобразований, и позгог 1 у значение сгорости рзспрастраненцч н ней упругик волн осгаетсч практичесг ц неизменным Пусть в момент маг сгп 7 дчьнага пдпеопогру+ентч спач аггплцгуда структуры быпзНз а н ддпьнейшег 7 при обще 1 поднчтиц агпптТуда ст(зуТуры стала Л Н В силу сгаздннага выше, соотнетстнующце цзмененип значений сгоростц распрастрдненич упруги волн н слое, Отвечающие изг 7...

Устройство для контроля угловых положений элементов периодических структур осесимметричных деталей

Загрузка...

Номер патента: 1789850

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Семенов, Заморский

МПК: G01B 7/30

Метки: угловых, положений, периодических, осесимметричных, элементов, структур

...для управления индикатором 14 настройна вход блока 13 синхронизации, В момент ки датчиков,поступления сигнала с формирователя 3 на- Блок 11 разрешения счета. (фиг.2) рабочала отсчета на вход коммутатора 9 и уста- тает следующим образом. В момент поступновкиего в состояние и 1 и (что происходит ления на его первый вход О-триггер 9при каждом, поступлении импульса начала 45 устанавливается в единичное состояние,отсчета) на входах блока 13 синхронизацйи при этом логическая ячейка 2 ИЛИ 23 устакоды сбвпадают и на его выходе появляется навливает в единичное состояние О-триггерразрешающий потенциал; поступающий на 21, в результате чего на выходе 1 блока 11вход импульсного фазометра 15, Как только разрешения счета появляется сигнал разрепервые...