Патенты с меткой «структур»

Страница 8

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 1620972

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Романов, Богданович, Ярмолицкий, Пилипович

МПК: G02B 27/42

Метки: структур, периодических

...нормально на эталонную структуру 3, Испытав дифракцию на структуре 3, пучок проходит объек1620972 50 2,405 4с7(п-",)т или 2 Ь ( 4,8 мкм. 55Выбираем световод с диаметром сердте о цевины 2 Ь=4 мкм. Для эффективного вводаУВ излучения в световод необходимо, чтобыж были равны числовые апертурь световода.г тив 4, в фокальной плоскости которогоформируется система дифракционных порядков. Два симметричных порядка проходят световоды 6 и 7 и попадают в5объектив 5. За объективом 5 под угломдруг к другу распространяются два коллимцрованных пучка, которые формируютинтерференционную картину в плоскостизаготовки 9. Пространственная частотао интерференционной картины равна)10 = 2 щ Я. (2)При перемещении каретки 8 с эталонной структурой 3 и заготовкой...

Способ определения состава поверхностных загрязнений кремниевых пластин и структур

Загрузка...

Номер патента: 1624314

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Изидинов, Разяпов

МПК: G01N 31/22, H01J 49/26

Метки: поверхностных, кремниевых, структур, загрязнений, пластин, состава

...а затем в режиме модулированной добротности.Введение добавки комплексообразователя обеспечивает, с одной стороны, повышение степени концентрирования и снижение потерь за счет образования устойчивых комплексов определяемых примесей в объеме фтористо-водородной кислотю, а с другой - визуализацию (возможность контроля) области локализации сухого остатка после испарения кислоты благодаря флуоресценции образовавшихся поверхностных комплексов при сканировании исследуемой поверхности излучением лазера в режиме свободной генерации с плотностью мощности, не превышающей значения, при котором происходит испарение вещества, Последующее воздействие лазером (предварительно оконтуренной области размещения анализируемой пробы) в режиме...

Способ определения распределения электропроводности полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1624354

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Емец, Шварц, Городжа, Гордиенко, Тхорик, Стрилько

МПК: G01R 27/02

Метки: полупроводниковых, электропроводности, структур, распределения

...из от края пласти ны к центру соответственно. Теоретическая кривая на фиг,2 соответствует отношениям Яг =- 0261-0,3 и ЯЗ- РФ=0,4 дляТ" 30045 К, а теоретическая кривая на фиг.3 - Яг = 0,4 и Яз - 0,4 для Т 77 К.Экспериментальные значения напряжения О 1 на потенциальных зондах и значения функции 1(р) = полученные для 50Ойразличных температур Т.При сопоставлении теоретической кривой с экспериментальными значениями смещение ЛЬ = 1(р )-и, где О 1О 1 55РКЕ 1- потенциал на внешнем слое образца;р в - сопротивление на квадрат внешнего слоя, равно Ь Ь-0,25 и Ь Ь-0,3 для Тметра структуры (точки А и В), неподвижный потенциальный зонд располагают на конце перпендикулярного диаметра (точка С), подвижный потенциальный зонд последовательно перемещается...

Способ выявления волокнистых структур сосудистой стенки

Загрузка...

Номер патента: 1627884

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Башкин, Курдюков

МПК: A61B 10/00, G01N 1/28

Метки: структур, стенки, сосудистой, волокнистых, выявления

...0,8-1,2 мм. Глубина введения до 1-1,5 см, Катетер перевязывают ли; атурой Для инъекции применяют 0,5 Х-иый водный раствор азотиокислого серебра. Введение осуществляют в количестве 4 мл ца 100 г массы гивотного, Затем готовят водньп раствор стандартного проявителя (объем равен объему азотнокислого серебра). Вве,801627884) С )1 /2 Л 61И тгя повышеиге точтсполцого выптлетняр госудигтой стенвводят фотопроявитсльОрганы животного приоцвет.Органы извлекают,их в пара тц, готовиткие срезы и исследова1627884 что не требует его дополнительной обработки. Формула изобретения 0,15 2,7 0,6 2 э 1 20 0,15 2,5-2,7 0,4-0,6 Составитель Л. СтебаеваТехред А.Кравчук Корректор И. Кучерявая1 /.ф лд Редактор Л. Веселовская Заказ 333 Тираж 390 ПодписноеВНИИПИ...

Способ окраски препаратов эмбриологических структур растений

Загрузка...

Номер патента: 1631424

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Камелина, Жинкина, Проскурина

МПК: G01N 33/48

Метки: структур, растений, препаратов, окраски, эмбриологических

...остатков фуксинсернистой кислоты); вода водопроводная проточная или часто сменяемая 2 ч; вода дистиллированная 5 мин.(57) Изобретение относится к ботанике, а именно к области эмбриологии высших растений, и может быть использовано при эмбриологических исследованиях растительных объектов с целью изучения основных эмбриональных структур и пригоговления наглядных пособий для учебных заведений, Целью изобретения является повышение информативности препаратов. Для этого срезы освобождают от парафина, окрашивают, обезвоживают, заключают в бальзам, окраску препаратов проводят последовательно реактивом Шиффа, алциановым синим и гематоксилином по Эрлиху,Окраска алциановым синим; к сусная 30 5 мин; алциановый с 20 мин; кислота уксусная 3 Д 5 м...

Способ анодного соединения структур

Загрузка...

Номер патента: 1632957

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Цапулин, Волков, Рыжаков

МПК: C03C 27/02

Метки: соединения, структур, анодного

...электронагревателя 6 до рабочей температуры, одновременно с помощью амперметра 7 контролируют ток через соединяемые детали. 3 ф3 1632957 4 Составитель Т.Парамоноваедактор И.Дербак Техред М.Дидык Корре Л,Пилипенк О Заказ 595 Тираж 309 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,10 При достижении вариации величины тока в пределах 5% от установившегося значения отключают подогрев металлической плиты, изменяют полярность5 приложенного напряжения и выдерживают в течение времени остывания соединяемых деталей до нормальной температуры.Соединение осуществляется следующим образом: у катодной...

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1638219

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Барисс, Силамикелис

МПК: C30B 19/06

Метки: полупроводниковых, структур, многослойных

...отработанного расплава. Корснабжен крьппкой 1 со сем. Перемещение контейнвляют штоком 18.Устройство работает сл углубление й 9, совмеи углубле; сатор 8. Наконтейнер 1 щают исход- в-р асппавов, 3. Устройверху размещают поршни1638219 10 1 Э ство закрывают крьппкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения растворарасппава 11. Затем температуру пош- жают и приступают к выращиванию эпи 5 таксиапьных слоев. Для этого штоком 18 контейнер 1 перемещают, Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость 16. После выращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до...

Устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1499631

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Рыскин, Борунова, Резников

МПК: H01L 21/66

Метки: стабильности, полупроводниковых, структур, зарядовой

...заряда. При этомряда,на пластине оценивСоставитель К.БеленоТехред А.Кравчук едакт Корректор Н.Борисова монин Подписи Заказ 1900 ж 377 и ГКНТ СССР открытиям д. 4/5ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям 113035, Москва, Ж, Раушская ннно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,оизво 3 149963 чине падения напряжения на токосъемном резисторе 6, затем по сигналу "измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя 5 и элемента 7 памяти, переключатель 5 переходит в положение, при котором основание 3 соединяется со вторым входом измерителя 4 10 электрических параметров, а элемент памяти 7 запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе б,...

Устройство для электрофизиологических исследований структур головного мозга

Загрузка...

Номер патента: 1648356

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Мгебришвили, Панозишвили

МПК: A61B 5/04

Метки: структур, электрофизиологических, головного, мозга, исследований

...21 расположена параллельно кон. цу крестовины и прикреплена одной стороной к центральной части крестовины с возможностью перемещения свободной ее стороны с помощью регулировочного винта 24, установленного на том же конце крестовины. К свободной стороне верхней плоской пружины 21 прикреплен кронштейн 23, расположенный в плоскости, перпендикулярной плоскости расположения пружины 21. Нижняя плоская пружина 22 расположена параллельно кронштейну 23 и прикреплена к нему одной стороной с возможностью перемещения свободной ее стороны с помощью регулировочного винта 25,установленного на кронштейне 23.Подготовка предлагаемого устройства к работе осуществляется следующим образом.В нижнюю часть 3 вертикального корпуса с помощью зажима 9...

Устройство для получения полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1650799

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Алесковский, Дрозд, Румянцева, Щекочихин, Алексеев, Губайдуллин

МПК: C30B 25/00

Метки: полупроводниковых, структур

...загрузки реактора 1 производят откачку из него аргона с помощью форвакуумного насоса 11, открыв при этом вентили 12, 13, 14. Затем реактор вакуумируют припомощи диффузионного насоса 15 до давления не выше 10 Па, при этом закрывают вентиль 14 при открытых вентилях 12, 13 и 16, Отключают форвакуумный насос 11 и напуск в него воздуха, открывают вентиль 14 при закрытом вентиле 16, Синтез многослойной периодически чередующейся структуры на поверхности партии образцов с толщиной каждого слоя по 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений селенида цинка и селенида кадмия начинают с напуска металлоорганического соединения цинка, открывая вентиль 17, закрывают его и открывают вентиль 16. Затем подают селенистый водород, Для этого...

Среда для культивирования соматических структур макроскопических грибов

Загрузка...

Номер патента: 1655352

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Мартыненко, Баранова, Скорикова, Гержикова

МПК: A01G 1/04

Метки: соматических, среда, грибов, культивирования, структур, макроскопических

...27 С и ведутконтроль за скоростью их роста, (ЛСкорость роста соматических структурштаммов баэидиомицетое на известнойсреде составляет 4,5-5,0 ммУсутки (см. таб.лицу примеры 11 - 13), Длительность полно- аго зарастания чашки 9 - 10 сут,Результаты влияния состава питательной среды на скорость роста соматическихструктур высших базидиомицетов приведены в таблице.Приготовление питатегласно изобретения осущещим образом.1655352 30 Составитель ю,Б,РогачевРедактор Н.Киштулинец Техред М,Моргентал Корректор В,Гирняк Заказ 2003 Тираж 384 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Берут 30 г...

Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений а в

Загрузка...

Номер патента: 1659536

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Жуков, Бестаев, Томаев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/46

Метки: основе, структур, соединений, полупроводниковых

...нарващивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают стрктуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки, Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво.4дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05 С/мин.В результате получены структуры РЬТеРЬо,ваяло,2 Те, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 1663599

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Пилипович, Ярмолицкий, Богданович, Романов

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...оптическими осями объективов 4 и 5,Оптическая ось объектива 6 параллельна оптическим осям объективов 4 и 5, является их осью симметрии и пересекает эталонную структуру 3 в точке пересечения последней с осью расширителя 2, Передняя фокальная плоскость объектива 6 совмещена с общей задней фокальной плоскостью объективов 4 и 5. Эталонная структура 3 размещена на каретке 9, которая установлена с возможностью перемещения в направлении, . перпендикулярном штрихам эталонной структуры 3. На подвижной ка ретке 9 за объективом 6 установлена такжезаготовка 10.Устройство работает следующим образом.Выходящий из источника 1 когерентно го излучения пучок расширяется системой 2и падает на эталонную структуру 3 подуглом О к ее нормали. Величина угла...

Способ нагрева структур полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: структур, приборов, полупроводниковых, нагрева

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...

Способ контроля точности изготовления круговых структур

Загрузка...

Номер патента: 1670387

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Ларионов, Григорьев, Рафиков, Лукин

МПК: G01B 11/16

Метки: точности, структур, круговых

...комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Л - длина волны используемого источника света.Формула изобретения Способ контроля точности изготовления круговых структур, выполненных в виде чередующихся прозрачных и непрозрачных кольцевых зон, заключающийся в том, что измеряют характеристики кольцевых зон и определяют отклонения характеристик от расчетных, по которым контролируют точность изготовления кольцевых зон, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения производительности и точности контроля, в процессе изготовления выполняют не прозрачные метки кольцевой формы в нескольких непрозрачных кольцевых зонах...

Имплантируемый электрод для стимуляции слуховых структур

Загрузка...

Номер патента: 1673132

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Ростовцев, Кофанов

МПК: A61N 1/04

Метки: имплантируемый, структур, электрод, слуховых, стимуляции

...электрод для стимуляции слуховых структур содержит корпус 1, выполненный из изоляцйонного материала, и контактный элемент 2 в виде пучка проволок из многожильного проводника 3, покрытых палладием, Участок корпуса 1, прилегающий к проксимальному(имплантируемому) покрытому палладием концу контактного элемента 2, выполнен в виде отогнутых лепестков 4. При этом на корпусе 1 установлена с возможностью осевого перемещения изолирующая шайба 5. К нерабочему концу 6 электрода присоединена клемма проводника электростимулятора (не показана).П р и м е р. Применение данного имплантируемого электрода для стимуляции слуховых структур при диагнозе: двусторонняя нейросенсорная тугоухость 1 Ч степени.Под местной инфильтрационной анестезией...

Установка для получения многослойных полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом жидкофазной эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Васильев, Гарбузов, Арсентьев, Журавкевич

МПК: H01L 21/208, G05D 27/00

Метки: методом, эпитаксии, гетероэпитаксиальных, структур, полупроводниковых, жидкофазной, многослойных

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...

Способ получения двумерных структур

Загрузка...

Номер патента: 1679450

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Николаев, Чечель

МПК: G02B 5/18

Метки: структур, двумерных

...диэлектрика или органического вещества. Толщина этого слоя зависит от размера выжигаемых линий и приблизительно равна их ширине. Ширина выжигаемых линий определяется дифракционным пределом фокусировки лазерного луча, составляющим величину, равную 1,22 А /и, где А - длина волны света, и - показатель преломления материала тонкого слоя. Для используемых в промышленности лазеров эта величина составляет 0,5 - 1,0 мкм.Затем на этот слой наносят по методу Ленгмюра-Блоджетт органический слой из раствора амфифильных органических молекул с полярными, гидрофильной и гидрофобной группами на концах молекул в инертном растворителе, например, 0,1 - 0.3-ный1679450 Составитель А,ГуоовРедактор А.Бандар Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец...

Устройство дефектоскопического контроля планарных структур

Загрузка...

Номер патента: 1684597

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Комиссарик, Семин, Шелест, Лопухин, Телешов

МПК: G01B 21/00

Метки: структур, планарных, дефектоскопического

...попасть на выход коммутатора 11 независимо от того, какой сигнал, присутствует на втором входе коммутатора11.С выхода коммутатора 11 видеосигналпоступает на второй вход блока 14, в котором осуществляется одновременное совмещение позитивного изображения КПС снегативным изображением ЭПС. При сложении обоих разностных изображений возникает полная разностная картина,характеризующая отличие изображенияКПС от ЭПС, при этом будут выделены дефекты как на самой металлизации, так и научастках между металлизацией,Генератор 5 тактовых импульсов генерирует тактовые импульсы частотой 10 МГц.В генераторе 5 осуществляется принудительная синхронизация тактовых импульсов кадровыми и строчнымисинхроимпульсами, поступающим на егокадровый и строчной...

Устройство для измерения емкости полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1684728

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Шлык, Сысоев, Титов, Линник

МПК: G01R 27/26

Метки: емкости, полупроводниковых, структур

...автогенератора, выход которого соединен с сигнальным входом блока 9, введенного вкачестве элемента обратной связи между блоком 8 и варикапом автогенератора. Выход блока 9 соединен с варикапом 6. Управляющий вход блока 9соединен с одним из выходов блока 10управления, второй выход кбторого 45подключен к управляющему входу выключателя 3.Устройство для измерения емкостиполупроводниковых структур работаетследующим образом, 50В зависимости от сигналов блока 10управления устройство обеспечиваетдва режима работы: режим стабилизациичастоты и режим измерения емкости,к частоте опорного генератора блока 8. Блок 9 передает выходной сигнал блока 8 на варикап 6 и Г - (Я,",:В режиме измерения емкости блок 9 находится в состоянии хранения, выключатель...

Способ получения многокомпонентных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 1686043

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Кульчицкий, Кемарский, Надирашвили

МПК: C30B 23/08, C30B 29/40

Метки: структур, многокомпонентных, эпитаксии, молекулярно-лучевой, методом

...атомов и молекул, полностью осаждается криопанелями сверхвы соковакуумной технологической камеры.На чертеже приведены зависимости интенсивности молекулярных пучков от времени, где 1 - зависимость для первичных молекулярных пучков, 2 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при непрерывном осаждении компо 10 20 25 30 35 40 45 50 55 нентов, 3 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при импульсном осаждении (по предлагаемомуспособу),Площадь, ограниченная кривыми 2 и 3 иосью времени, отображает число десорбированных атомов или молекул за время 1, При непрерывном осаждении в течение достаточно длительного периода почти всеатомы или молекулы, попадающие на поверхность подложки, оказываются десорбированы...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 1697040

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Пилипович, Ярмолицкий, Романов

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...2 расположен на пути пучка от источника 1 излучения. За расширителем установлен оптически связанный с ним светоделительный блок 3, Светоделительный блок 3 имеет коэффициент деления 2 и его выходные оси параллельны оптической оси расширителя 2, В выходящих из свето- делителя пучках под углом а к его выходным осям установлены плоскопараллельные пластинки 4, 5. толщиной д, которые оаз1697040 составитель В,Кравчеедактор Г.Наджарян Техред М,Моргентал орректор В,Гирняк каз 4305 ВНИИПИ Госу Тираж ственного ко 113035, МоПодписноениям и открытияя наб., 4/5 и ГКНТ СССР итета по изобре ва, Ж, Раушс Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 устройства перемещения с аэростатическими направляющими. При перемещении...

Питательная среда для культивирования соматических структур макроскопических грибов рlеurотus оsтrеатus

Загрузка...

Номер патента: 1697627

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Соломко, Федоров

МПК: C12N 1/14, A01G 1/04

Метки: среда, структур, культивирования, рlеurотus, грибов, питательная, макроскопических, соматических, оsтrеатus

...предлагаемой среде имеет светлую окраску, приятный грибной аромат, содержит 35 н 2 общего продукта, 2012истинного белка, 1,9 СФ липидов, витамины группы В, мкг/г;Тиамин 12,0 Рибофлавин 25,0 Ниацин 280,0 Пиридоксин 6,0 Биотин 0,4 7 золы, в составе которой преобладают Ки Р,П р и м е р 2. На питательной среде смаксимальным содержанием питательныхкомпонентов также получают повышенный выход биомассы гриба. Используя 90 воды от заданного объема, растворяют после-: довательно глюкозу, аммоний сернокислый,магний сернокислый и экстракт дрожжевой при следующем соотношении компонентов, г/л:Глюкоза ЗО,О Аммоний сернокислый Р О Магний сернокислый 1,0 Экстракт дроеой 0,5Вода ДО 1 литраПитательную среду стерилизуют в автоклаве при 112 С в течение 20...

Способ определения количества тканевых структур на гистоцитологическом препарате и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1698677

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Пустовойт, Скобелев, Петровичев, Иванов, Чвыков, Фаенов, Шеховцов, Шабаров

МПК: A61B 10/00, G01N 33/48

Метки: препарате, структур, количества, тканьевых, гистоцитологическом

...полного внутреннего отражения световода или диайрагМирования части изображения аппертурой световода. Линза 12 согласуетвыходной торец световода 13 с фоточувствительным элементом 14 акусто. 50оптического фильтра, который позволя"ет производить измерения спектров назаданных длинах волн, выбираемых заранее блоком управления и обработки15, связанным с микроЭВМ 16;55Устройство работает следующим образом. В плоскости диайрагмы 4 объективом 6 строится изображение 5 микропрепарата 1, освещаемого проходящим, отраженным или возбуждающим люминесценцию излучением, Диафрагмой 4 выбирают поле зрения, с которого снимается спектральная инйормация. Выбор поля зрения производят при визуальном наблюдении через окуляр 9. Излучение, пройдя пластинки...

Устройство для обработки структур данных

Загрузка...

Номер патента: 1698891

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Мельников, Копылов, Смирнов, Шибанов, Галицкий

МПК: G06F 15/00

Метки: структур, данных

...групп блоков обработки (блоков обработки) сформированной конфигурации. Последовательность работы блоков обработки конфигурации обеспечивается за счет формирования в блоке 4 синхронизации сигнала ПЗ при получении сигналов готовности Г от блоков обработки. Блок 4 синхронизации 5 работает таким образом, что по завершенииполучения множества Г 1, .Га сигналов готовности с выхода блока 4 выдаются сигналы ПЗ блокам обработки, Формат УСз,. поступающий на вход задания режимов ра(1)10 боты блока 4, содержит поле УСз, соответствующее номерам блоков обработки данной конфигурации, которые являются источниками сигналов ГцГщ, и поле(Ъ15 Значение УСз записывается в регистр 48,значение УСз - в регистр 50. Поступающие на входы блока 4 сигналы 7...

Способ лечения низких структур общего желчного протока

Загрузка...

Номер патента: 1700575

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Мамедов, Джавадов, Сеидов

МПК: G09B 23/28

Метки: структур, протока, лечения, общего, низких, желчного

...длиной 4 см на сосудистой ножке. Из него выкроен лоскут трапециевидной формы, который1700575 Составитель А. ЛычковаТехред М,Мэргентэл Корректор Т. Малец Редактор Н, Рогулич Заказ 4469 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производствекно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 затем ушит на дренажной трубке и превращен в конус. Непрерывность кишечного тракта восстановлена анастомозом конец в конец, Верхний конец трубки, надетый на проводник, проведен в резецировэнный холедох и далее через правый долевой проток, правую долю печени выведен на диафрагмальную поверхность. Дищтальный отрезок холедоха перевязан и перитонизирован....

Способ определения однородности кристаллографических характеристик материалов и структур

Загрузка...

Номер патента: 1704048

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ефимов, Иванов, Лучинин, Флоринский, Павленко

МПК: G01N 23/203

Метки: структур, однородности, характеристик, кристаллографических

...кодтраст за счет каалираоаияэлектронов на фоне более сльцых видовКантРаСта (таК Х, Ках ТОПОДРс;. -=-СК 1 й ИЛИ:страст за счет атамцадо цал ера).Сда кснтГ "стг.Поставленая цель;,эстдается тем,:.о .а.ч," й -О, с с". Г аз рс тс 1 ргруют,СЛЭО 1 Я Брэдда, даСтатаОЭ ловтЬ УГОЛ:-здда ца оелу, саотоетстсусш, ю удло 5 10 15 20 25 30 35 л 0 45 50 55 сай,; 1 е "че,",нсй" ли раоцсй ей "белсй" ца ти линии каналирооания.Сущность предлагаемого изобретения с тсцки зре:я пост: лсцОй цел;1 заклачается в следующем. Необходимым услооием реализации изоестнода способа яоляется РЕДИСтРсЦЯ МаЛЫХ ИЗМЕНЕН ЧИСЛа ОтРаженьх электроноо, вызоачцых эффектом каналирооания электронов.На чертеже приведена схема реализации способа.Образец помещают о микроскоп 1.В...

Способ разбраковки полупроводниковых структур на пластине по группам годности

Загрузка...

Номер патента: 1704194

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Кузнецов, Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: структур, пластине, годности, разбраковки, полупроводниковых, группам

...активной части структур, проверку электрических параметров указанных областей. маркировку структур по результатам проверки. о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности разбраковки, контрольные области формируют на поверхности, свободной от защитных пленок, в количестве, соответствующем числу групп годности, а маркировку производят нанесением меток на зти области,2. Способ поп,1, отл ича ющийс я тем, что нанесение меток производят злектроэрозионны," путем. Составитель И.Петрова Редактор С,Патрушева Техред М.Моргентал Корректор С.ЧерниЗаказ 65 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,...

Способ соединения структур

Загрузка...

Номер патента: 1705252

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Рыжаков, Волков, Цапулин

МПК: C03C 27/02

Метки: структур, соединения

...одиночного импульса и трансформатор 10 высокого напряжения. Выходная обмотка трансформатора подключена к деталям соединяемой структуры,Для реализации предлагаемого способа обезжиренные детали структуры в приспособлении устанавливают в герметичной камере 5, Ориентируют структуру направлением изгиба маложесткого упругого элемента нормально вектору гравитационной вертикали. Коммутируют источник 3 напряжения через электроды 4 с деталями соединяемой структуры, Заполняют камеру 5 инертным газом, например сухим азотом, и производят нагрев структуры от нагревателя 6 до 300-400 С, обеспечивая при наложении электростатического поля на соединяемые детали структуры их соединение. После набора заданной температуры деталями структуры включают...

Устройство для сборки пространственно-стержневых структур наполнителя нетканых материалов

Загрузка...

Номер патента: 1708968

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Мозгунов, Антипов, Воронков, Клейменов, Яковлев

МПК: D04H 13/00

Метки: наполнителя, сборки, структур, нетканых, пространственно-стержневых

...Цель ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР САНИЕ ИЗ изобретения - улучшение эксплуатационных характеристик за счет механизации процесса формирования пространственно- стержневой структуры и исключения повреждаемости стержней, Устройство содержит бункер 1 для горизонтальных стержней, установленную под ним кассету 3 с ячейкой для размещения одного горизонтального стержня и шток-толкатель 4 для подачи горизонтального стержня в свободную ячейку приемника 5 накопителя вертикальных стержней. Между кассетой 3 и бункером 1 с возможностью возвратно-поступательного перемещения размещена пара горизонтальных пластин 7 и 8, причем / пластина 7 имеет соразмерный со стержнем сквозной паз, В бункере размещен...