Патенты с меткой «структур»

Страница 4

Устройство для получения многослойныхполупроводниковых структур методомжидкостной эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 852976

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Болховитянов

МПК: C30B 19/06

Метки: эпитаксии, методомжидкостной, структур, многослойныхполупроводниковых

...Чтобы подложки при поступательном движении кассеты не выпадали из нее, они запираютсяскобами 7 и 8. В корпусе имеется пространство 9 для дозировки раствора, соединенное с помощью малого отверстия 10 спространством 11 перед кассетой. В пространство 9 помещается поршень 12, который может перемещаться, Весь корпус закрывается направляющей 13 с блоком растворов 14, состоящим из нескольких емкостей 16 для растворов, В каждой емкостиимеется отверстие в дне. В направляющейтакже имеется отверстие, находящееся надпространством для дозировки раствора 9.Ниже кассеты в корпусе устройства находптся емкость 16 для сбора отработанного раствора. Скоба 7 одновременно является тяжем, с помощью которого осуществляется перемещение кассеты внутри собранного...

Устройство для ультразвуковой диагностики внутренних структур объекта

Загрузка...

Номер патента: 860717

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Эдвин, Джеремиах, Дэвид, Реубен

МПК: G01N 29/04

Метки: объекта, ультразвуковой, внутренних, диагностики, структур

...в жидкости акустическийлуч с плоским волновым фронтом. Этотакустический луч попадает на неподвижную линзу 2, которая преобразуетего в сходящий пучок, имеющий точкусхождения в фокальной плоскости,пропорциональной угловому перемещению. Для определения структуры исследуемого объекта его размещают нфокальной плоскости линзы 2 и исследуют сканирующим ультразнуковымлучом. Отраженные от структуры исследуемого объекта акустическиеимпульсы принимаются акустическимпреобразователем 4 и затем подаютсяна блок 7 обработки и приема информации, на котором выдается информацияо местоположении и внутренней структуре исследуемого объекта, Формула изобретения 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 Система 5 для изменения угловойориентации ультразвукового пучкаможет быть...

Способ исследования нефтегазоносных структур

Загрузка...

Номер патента: 863844

Опубликовано: 15.09.1981

Автор: Енгалычев

МПК: E21B 47/00

Метки: структур, исследования, нефтегазоносных

...приводит к тому, что в пласте с промышленным нефтегазосодержанием более плотная водоносная часть пласта должна проседать сильнее, чем нефтегазонасьпценная часть ловушки, С другой стороны, при 44вертикальных геодинамических усилиях, направленных к дневной поверхности и приводящих к росту амплитуды поднятия, менее плотная нефтегазонасьпценная часть пласта способна подняться вьппе, чем водоносная, В обеих случаях происходит дифференциальная де формация нефтегазонасьпценного пласта. С момента образования в пласте залежи нефти и газа и на протяжении времени ее .существования происходит наложение разнонаправленных вертикаль. ных усилий. В результате этого наклон пласта на участке водонефтяного (или газоводяного) контакта всегда больше, а затем...

Способ выявления геологических структур

Загрузка...

Номер патента: 890347

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Кутузов, Шилов, Соловьев

МПК: G01V 9/00, G01V 8/00

Метки: выявления, структур, геологических

...отрае- женной освещенности, Значения отраженной освещенности по точкам наблюденияой наносят на карту и строят карту изолюкс,д по которой затем выявляют антиклинали.ро- В процессе практической реализациив способа установлено, что нвд антиклиналями, которые могут содержать залежинефти и газа, регистрируют повышенныезначения отраженной освещенностьл- Использование данного способа выявлея ния геологических структур ло сравнению с известными позволяет ускоритьработы по выявлению геологических струки тур и .удешевить работы по их съемке,Способ реализуют следующим образом.Плошадь, подлежащая исследованию,в случае разнородного строения в зависимости от характера растительного покрова почвы, поверхностной литологии,рельефаместности и др....

Устройство для измерения квантовой эффективности излучения электролюминесцентных структур

Загрузка...

Номер патента: 894821

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Рудая, Криворотов, Золотухин, Марончук, Пивоварова

МПК: H01L 21/66

Метки: излучения, квантовой, эффективности, структур, электролюминесцентных

...который подключенк блоку измерений, капиллярный микро 20 зонд и предметный столик с омическимконтактом, который подключен к блоку питания, омический контакт предметного столика выполнен в виде кольцевого электрода и размещен в пазупредметного столика, а в фотоприемнике выполнено сквозное отверстие, вкотором установлен капиллярный микрозонд.Кроме того, кольцевой электрод вы 30 полнен из индия, покрытого слоем галлия.На фиг. 1 и 2 представлены примеры выполнения устройства.Устройство содержит предметныйстолик 1, в котором выполнен паз дляразмещения кольцевого электрода 2 изакреплено ограничительное кольцо 3для фиксации исследуемой структуры4,фотоприемник 5, снабженный контактами б, имеет отверстие, в которомрасположен микрозонд 7 с...

Фотографический способ нанесения экранных структур на экраны электронно-лучевых трубок

Загрузка...

Номер патента: 898961

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Пирлам, Маяуд

МПК: H01J 9/22

Метки: электронно-лучевых, трубок, экранных, фотографический, структур, экраны, нанесения

...для контроля качества экранов.Целью изобретения является упрощение контроля качества экранов впроцессе их изготовленияУкаэанная цель достигается тем,что согласно фотографическому способу нанесения экранных структур наэкраны ЭЛТ, включающему покрытие,поверхности экрана пленкой из светочувствительных полимерных материалов, экспонирование пленки черезотверстия маски, удаление неэкранированных участков пленки с помощьюрастворителя, нанесение поливинилового спирта и затем люминисцентногопокрытия, пленку из полимерных материалов наносят по весу до величины0,1-0,3 мг/см , а экспонирование2пленки производят с недодержкой причувствительности к печати не более1,5 и эквивалентном диаметре источника света. 1,5-3,3 мм,Особенностью...

Способ изготовления эпитаксиальных пленочных структур

Загрузка...

Номер патента: 791114

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гапонов, Салащенко, Лускин

МПК: H01L 21/205

Метки: пленочных, эпитаксиальных, структур

...выбор той или иной установки опгеделяется требованиями, прельявляемыми к толщине пленок и их электрофизическим свойствам.Установка содержит два лазера, один из которых работает в режиме свободной генерации, а другой в режиме модулированной добротности с интенсивностью излучения на поверхности испаряемого материала не менеее 109 Вт/см. Второй лазер используется в качестве источника высокоэнергетичных частиц. Монокристаллическая подложка, на которую наносят компоненты гетероструктуры, и вращающийся столик, на котором размещены образцы напыляемых материалов, установлены в вакуумной камере. Режим работы установки задается блоком управления.Подложка представляет собой моно- кристалл или любую многослойную структуру, поверхность которой...

Устройство для измерения толщины многослойных структур

Загрузка...

Номер патента: 905645

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Кузнецов, Гибадулин, Пантуев, Стрижнова, Зудков

МПК: G01B 21/08

Метки: толщины, структур, многослойных

...блок 7 идентификации, блок 8 памяти, блок 9 анализа решений, регистратор 10. Блок 7 идентификации, в свое оче- ,щ редь, содержит задатчик 11 толщины слоев, блок 12 вычисления коэффициента отражения, блок 13 сравнения.Устройство работает следующим оС- разом. 45Поляризатор 2 с угловым кодировщиком 3 устанавливается в положение, обеспечивающее р- или я-поляризацию излучения источника света 1.Отраженное от многослойной структуры 1 поляризованное излучение поступает в спектрофотометр 5 с кодировщиком 6 длин волн, Сигнал с выхода спектрофотометра 5 поступает через третий вход блока 7 идентификации на вход блока 13 сравнения, где сравнивается с кодом коэффициента отражения, вычисленного е блоке 12.8 ычисление производится известным 5 фспособом...

Устройство для измерения электрофизических параметров мдп структур

Загрузка...

Номер патента: 905885

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Мельников, Мартяшин, Чайковский, Цыпин, Светлов, Рыжов

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, электрофизических, параметров, структур

...регулируемое сопротивление 15, первый, второй и третий дополнительные ключи 16 - 18, дополнительный запоминающий блок 19, ключ 20, вычитатель напряжений 21, блок измерения постоянной времени 22, схема деления напряжений 23, коммутатор 24, самописец 25.Устройство работает следующим образом. В начальный момент времени д по команде блока управления 1 размыкаются ключи 8, 10 и 18, сбрасывается в исходное состояние запоминающий блок 11, источником 2 опорного напряжения вырабатывается прямоугольное напряжение амплитуды Бчастоты повторения йои скважности, равной двум, к исследуемому объекту 4 прикладывается через первый сумматор 3 сумма прямоугольного напряжения П от источника 2 и линейно изменяюцегося напряжения смещения от программируемого...

Способ выпрямления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 907640

Опубликовано: 23.02.1982

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/463

Метки: структур, выпрямления, полупроводниковых

...напряжений в структуре в основном определяется дефектностью и толщиной моно"слоя и устанавливается опытным путем. После полного выпрямления структуры величина прилагаемого давленияможет возрастать до предела прочности на снятие прокладки, котораяспособствует равномерному распределению нагрузки по всей площади, Приснятии структуры с оправки рсль замедлителя изменения напряжения вструктуре играет медленно разогреваемый воск, которым приклеиваетсяструктура,Способ позволяет учесть динамику 35прила гаемо го у силия, котора я от рицательно влияет на процесс,П р и м е р . На подложку монокристаллического кремния с разделительными канавками диаметром 40 мм 40и толщиной 400 мкм из кремния маркиКЭ 4 Л,5 - 3 А наносят слой...

Устройство для измерения электрофизических параметров мдп структур

Загрузка...

Номер патента: 920582

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Цыпин, Рябинин, Мартяшин, Рыжов

МПК: H01L 21/66

Метки: электрофизических, структур, мдп, параметров

...(1) имеет вид: где ф ь 1 и Й 11 Из выражения (2) следует, что постоянная составляющая напряжения О навыхоце операционного усилителя б пропорциональна емкости С . Первый сум матор 10 сравнивает постоянную составляющую напряжения Об на выходе операционного усилителя б с постоянной составляющей напряжения О,(. на выходе управляемого делителя напряжения 4. Напряжение О рав но;О = О 0 К 1 + ОбК,где О 0 - значение найряжения на выходе второго выпрямителя 18,К 1 - коэффициент Передачи управляемого делителя напряжения 4.Напряжение О 2 на выходе первого сумматора 10 равно://тупает на информ Чап ционны азо аженивходы чпос ерво й н етсяПр вого о и второго 16 управляющие вхо напряжение Оьс этом напряжение фазоразделитедя Ф р зделител ды которых...

Способ термической обработки ферритовых эпитаксильных структур на основе железоиттриевого граната

Загрузка...

Номер патента: 940248

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Ющук, Костюк, Тузяк, Лотоцкий, Батенчук

МПК: H01F 41/22, H01F 10/14, H01F 10/16 ...

Метки: основе, эпитаксильных, граната, структур, железоиттриевого, ферритовых, термической

...эпитаксиальные струксостоящие из монокрнсталлической ппенви железо-иттроевого граната (ЖИГ) иподложки из моиокрнстапла галлий-гадлииневого граната (Г 1 Т) овентации 11вырапшвают путем изотермнческого погружения подложек в перенасыщенныйраствор-расплав ферритообразуюших окилов Г 80, гО.н флюса РЬО-В О пообщепринятой технологии. Промытые внчале в кипящей концентрированнойной киспоте, а потом в дистютпированнводе ФЭС подвергают сушке, после чеизмеряют топшину эпитаксиапьного сла также ширину кевой ферромагнитнорезоБансаТермическую обработку ферро-элитаскальной структуры осуществляют слепам путем,ФЭС помещают на платиновую подстку и загружают в кварцевую тРубу имещенную в холодную печь, Из баллоначерез редуктор по полиэтиленовой...

Способ маркировки структур головного мозга

Загрузка...

Номер патента: 942687

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Мельников, Низковолос, Коннов

МПК: A61B 6/00

Метки: головного, маркировки, структур, мозга

...сетка 4. После этого спомощью рентгеновских трубок 5 и 6делают два контрастирувмых снимка 7,8 во взаимно-перпендикулярных проекциях. Боковой сйимок 8 при этом получается с нанесенным на нем рисункомкоординатной сетки. По полученным сним-кам выбирают точку 9 селективного воздействия.,На втором этапе (фиг. 2)выбранная 20точка обеспечается рентгеноконтрастнойметкой 10, устанавливаемой в соответствующем квадрате координатной сетки 4.На место кассеты 3 устанавливают электронно-оптический преобразователь 1 1, 25и с его помошью получают изображениечерепа 12 с нанесеннойна него проек-,цией координатной сетки 4 и контрастной метки 10. Под рентгенотелевизионным контролем с помощью забивалки 13 Зомаркеров с двух сторон черепа вводятдва маркера 14...

Устройство для неразрушающего контроля полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 947791

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Савотин, Дроздов, Подольный, Патрин

МПК: G01R 31/28, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур

...контроли руемой структуры.Функциональная схема устройства приведена на чертеже.Устройство содержит источник 1 света, луч которого проходит через 35 оптический модулятор 2, блок 3 управления, отклонякщую призму 4 с объективом 5, которые синхронно перемещаются по горизонтали механизмом б перемещения, электролитическую 4 О кювету 7, состоящую из прозрачного стекла 8 с нанесенным на него электродом 9 съема Фото-ЭДС в виде сетки и заполненного электролитом 10 корпуса 11, в котором Фиксируется 45 контролируемая структура 12. Кювета 7 перемещается механизмом .б в вертикальном направлении. Синхродетектор 13 подключен к структуре 12 клеммой 14 и к электрОду съема Фото-ЭДС- клеммой 15, блок 16 регистрации, клем му 17 дПускдУстройство...

Способ изготовления полупроводниковых -структур

Загрузка...

Номер патента: 414925

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Винецкий

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, структур

...оси Х образца. Кристалл облучается высокоэнсргстцчсскими квантами (Х, у-сучи), либо электронами высоких энергий; возможно также облучение протонами, нейтронами и другими видами ядерного излучения с энергией, достаточной для образования в образце радиационных дефектов.Вид и энергию радиации и условия облучения (температуру) выбирают таким образом, чтобы образующиеся в результате облучения радиационпые дефекты представляли собой электрически активпыс центры, противоположные по сравнению с легирующей примесью, - доноры в образцах р-типа или акцепторы в и-типе. Доза облучения должна быть такой, чтобы концентрация введенных радиацией доноров в р-(акцепторов в п-) образце оказалась между минимумом и максимумом концентрации легирующей...

Устройство для обнаружения неисправностей в блоках коммутации цифровых интегрирующих структур

Загрузка...

Номер патента: 962961

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Кравченко, Крюков, Криворучко

МПК: G06F 11/22

Метки: интегрирующих, блоках, коммутации, неисправностей, структур, цифровых, обнаружения

...разрешающий сигнал на коммутаторы 5-7. В результатеблок 1 подает сигналы через коммутатор 5 на все информационные шины 19контролируемого блока, а коммутаторы 6 и 7 снимают сигналы соответственно с контрольных точек 21 и их инверсные значения с выходов блока инверторов 8 и йодают их на входы блока14 анализа и регистрации сигналов. Этот блок производит выявление не-исправностей, В случае отсутствиянеисправностей в первом коммутирующем элементе блок 1 начинает второйцикл проверки, в течение которогопроверяется второй коммутирующий эле.мент, соответствующий второй строчке первого столбца матрицы коммутации. При этом в первом такте второгоцикла блок 1 сдвигает на один разряд единицу в регистре 9 и устанавливает счетчик 2 в единичное...

Способ изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 968778

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Павлов, Василевский, Садов, Романов, Шестаков

МПК: G02B 27/42

Метки: структур, периодических

...обработка светочувствисветочувствительный образец 4,под .тельного образца 4, проводимая по вижное основание 5, систему зеркал известным методикам.6-9 и эк ан 1 Таким образом, предлагаемый споСпособ изготовления периодичес-соб позволяет повысить точн ость из -руктур может быть осуществлен готовления периодических структур. ,например, следующим образом, 10 Кроме того, при использовании этого. Участок эталонной структуры 3 , . способа можно с помощью одной этаосвещают прошедшим через коллима- лонной структуры с достаточно боль. тор 2, пучком когерентного света от шим периодом изготавливать круговые лазера 1. Из: дифрагированных на эта. и линейные периодическиеаеские структуры лоиной структуре 3 пучков выделяют 15 практически...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 774476

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Грехов, Прочухан, Аверкиева, Костина, Семчинова

МПК: H01L 21/363

Метки: структур, полупроводниковых

...95 мг фосфора, Ампулу вакуумируют, запаивают и помещают в печь, позволяющую на определенном этапе отжига создавать градиент температуры, Ампулу нагревают в изотермических условиях до 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 1 ч, проводят охлаждение в режиме выключенной печи до 450 С, а затем продолжая охлаждение, создают градиент температуры 10"/см с таким расчетом, чтобы кремниевая пластинка и тигель находились в более горячей зоне, а остаточный фосфор отгоняли в более холодную зону.Установлено, что при этом на поверхности кремниевой пластинки с исходным дырочным типом проводимости (р 20 ом см) образуется слой с электронным типом проводимости, Исследования на микрорентге 10 15 0 25 30 35 40 45 новском анализаторе позволили...

Устройство для подготовки к электронной микроскопии объектов, предназначенных для изучения морфологических структур

Загрузка...

Номер патента: 972315

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Юшко, Вирник, Караганов

МПК: G01N 23/225, G01N 1/28

Метки: структур, изучения, предназначенных, электронной, подготовки, объектов, морфологических, микроскопии

...отверстия 9 верхнего ряда 7 сообщаются со сквозными отверстиями 4 наружного концентрического972315 Формула изобретения 3ряда 5, а стопорные отверстия 9 нижнего ряда 8 - со сквозными отверстиями 4 внутреннего концентрического ряда 6. Между пластиной 1 и основанием 2 размещен диск1 с отверстиями 12 для капсул 13. Отверстия 4 и 12 строго соосны.В нижней части стержней 4 выполнен паз 15. Муфта 16 служит для закрепле)шя петли 17, снабженной брацшами 8, соединенными с опорной дугой 19, и изготовленной из упругой ленты, ширина которой соразмерна величине обьекта.Устройство работает следую)цим обр- зом.Через отверстия2 цоецают желатиновые капсулы 13, которые заполцяют заливочной средой. Через отверстия 4 вводят стержни 14. Под визуальным...

Устройство неразрушающего контроля полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 972421

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Телегин, Подольный

МПК: H01L 21/66

Метки: структур, полупроводниковых, неразрушающего

...оконтролируемом параметре. заключена вплощади части гистрограммы, заключенноймеждУ каналами Х 1 и Мк, позволЯет заменить сложный многоканальный анализатор с нижним порОгом .)пн, соответствующим каналу Я 1, и верхним порогом )вв,соответствующим каналу Ы, и верхвимпорогом Цщ, соответствующим каналу М(фиг. 2),Устройство содержит источник 1 света,луч которого проходит через блок 2 сканирования и фокусировки, электролитическуюкювету 3 с погруженным в электролитконтролируемым образом, усилитель 4, квыходу которого подключен анализатор 5,устройство 6 регистрации и КЯ-триггер 7.Анализатор 5 содержит компаратор 8 верхнего порога, компаратор 9 нижнего порога,схему 10 антисовпадений и ключ 11,Устройство работает следующим образом.При оптическом...

Способ разрушения клеточных структур растительных и животных тканей

Загрузка...

Номер патента: 221479

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Гольцова, Юткин

МПК: B02C 19/18

Метки: тканей, животных, растительных, клеточных, разрушения, структур

...затраты энергии. Это связано с тем,что клетки растительных, и животныхтканей обладают высокой эластичностью,1связанной с наличием в клетках, вакуолей, содержащих газы, а также с наличием газов в протоплазме клеток.Пузырьки газов срабатывают как эластичные газовые демпферы и этим взначительной мере препятствуют разру.шению клеток.По предложенному способу электрогидравлическое дробление ведут спредварительным или одновременным 20наложением глубокого вакуума. Приэтом газы, находящиеся в клетках, интенсивно выделяются из клеток и непрепятствуют разрушению клеток посредством электрогидравлическогодробления. Это позволяет более полно разрушать клеточные структурырастительных и животных тканей. Способ применим для разрушения,например, клеток...

Электромагнитный преобразователь для измерения характеристик пленочных структур

Загрузка...

Номер патента: 1000891

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Шабратов, Бенячка

МПК: G01N 27/90

Метки: характеристик, структур, электромагнитный, пленочных

...размещенные на держателе, катушки индуктивности размещены в ортогональных плоскс 1 ртях, а держатель выполнен из электрически изолированных друг от друга проводников, имеющих тепловой контакт с обеими катушками индуктивности.На чертеже представлен электромагнитный преобразователь для измерения характеристик пленочных структур,Электромагнитный преобразователь состоит из измерительных катушек 1 и 2 индуктивности, размещенных в ортогональных плоскостях на держателе 3, выполненном из электрически изолированных друг от друга проводников не показаны ), имеющих тепловой контакт с обеими измерительными катушками 1 и 2 индуктивности. Держатель 3 закреплен в диэлектрической оправке 4. Рекомендуется держатель 3 выполнять в виде сетки изпроволоки,...

Устройство для импульсного отжига полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1001232

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Трусова, Крысов, Афанасьев

МПК: H01L 21/00

Метки: отжига, структур, полупроводниковых, импульсного

...содержит замкнутую камеру 1, в которой выполнены щели 2 и 3 соответственно для загрузки и выгрузки полупроводниковой структуры 4, расположенной наопоре сетке ) 5, Внутри замкнутой камеры по обе стороны от опоры расположены линейные галогенные лампы б накаливания так, что их продольная ось перпендикулярна направлению движения спотк, перемещаемой с помощью привода 7. Замкнутая камера имеет изогнутую форчу и служит одновременно для фокусировки . излучения на поверхность полупроводниковой структуры.Линейные галогенные лампы накаливания расположены от опоры на расстоянии 10-100 д, где о - толщина подложки полупроводниковой структу ры. Указанное соотношение определяется как размерами используемых подложек (в производстве...

Устройство для контроля полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1001238

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Великий, Мелентьев, Якимов, Горшков, Мансуров, Марков, Пузанков, Жуков

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур

...вторым оптоэлектрическим датчиком,17 уровня стола 2, второй схемой 18 совпадения и инвертором 19, причем оптоэлектрический датчик 17 уровня стола 2 подключен к нторому входу триггера 11, первый выход которого соединен с вторым входом первой схемы 16 совпадения,а второй выход связан с первым входом второй схемы 18 совпадения, второй вход которой через инвертор 19 подключен к контактному датчику 15, третий вход связан с выходом блока 7 пуска, а выход второй схемы 18 совпадения подключен к блоку 8 привода механизма б шагового горизонтального перемещения стола 2, при этом третий нход первой схемы 16 совпадения соединен с блоком 4 привода механизма вертикального перемещения, а ее выход подключен к блоку 14 контроля.Ориентация контактных...

Устройство для измерения тепловых характеристик структур полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 701414

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Требоганов, Асвадурова, Стагис, Онуприенко

МПК: H01L 21/66

Метки: тепловых, структур, приборов, полупроводниковых, характеристик

...нагревать поверхность пассивных многослойных структур сфокусированным излучением, что необходимо для измерения их тепловых сопротивлений ( Рт).Совмещение оси лазерного излучения с оптической осью ИК-обЪектива позволяет юстировать обе системы по видимому излучению, что существенно повышает точность при количественном измерении тепловых сопротивлений.Расположение приемника ИК-излучения и измеряемого объекта в двойных фокусных расстояниях ИК-объектива позволяет измерять температуру с маленького пятна, равного рабочей плошал ке прненика ИК-излучения, в центре источника тепла, т,е, температуру, близкую к максимальной (Т), что повышает абсолютную величину теплового сопротивления и точность при ее количественном измерении.Подсоединение...

Способ исключения дефектов из рабочего объема полупроводниковых структур с потенциальным барьером

Загрузка...

Номер патента: 878105

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Залетин, Мальковский, Семенова

МПК: H01L 21/3063

Метки: структур, полупроводниковых, объема, потенциальным, исключения, дефектов, барьером, рабочего

...образуются микроплазмы, т,е. повышенная. электропроводность этой области структуры, вызывающая увеличение скорости электролитического удаления материала структуры. Если обработке подвергаются полупроводниковые структуры или структуры типа диэлектрик - полу; проводник/ то производится либо удаление дефекта, если он находится на ближайшей к поверхности структуры стороне потенциального барьера,.либо ликвидация потенциального ба 55 60 65 После обработки структур с барьером Шоттки пробивные напряжения наструктурах увеличились в 1;5-10 раз,величина обратного тока уменьшилась в 10 -104 раз,Использование данного способа посравнению с существующим позволяет:значительно упростить процесс, обеспечить воэможность обработки структур типа...

Способ поиска геологических структур

Загрузка...

Номер патента: 1018085

Опубликовано: 15.05.1983

Автор: Бойков

МПК: G01V 9/00

Метки: поиска, геологических, структур

...скважин,измерение в них температуры горныхпород и суждение по их аномальнымзна чениям о наличии структур, о т л и.ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюуменьшения объемов бурения при проведении геотермических исследований нашельфе, температуру донных осадковизмеряют на глубинах, равных 0,090,13 мощности слоя с изменяющимися го.довыми температурами,Составитель Н. ГрязновТехред И.Гайду Корректор С,Шекмар Редактор К.Волошук Заказ 3539/46 Тираж 710 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,3 101808 измеряют температуру в пунктах площади на заданной глубине (Т 1, ), по данным измерений составляют геотемпературную карту...

Способ обработки поверхностно-барьерных структур на основе соединений

Загрузка...

Номер патента: 921378

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Дмитрук, Шаховцов, Литовченко, Борковская, Конакова

МПК: H01L 21/263

Метки: структур, основе, поверхностно-барьерных, соединений

...не вызывающих нагрева струй- туры при исходной .концентрации примеси 10 "ф - 5106 см,э.Улучшение рекомбинационных параметров эпитаксиального слон происходит вследствие радиационно-стимулированного геттерирования глубоких рекомбинационных центров (определяющих время жизни неосновных носителей тока )дефектами эпитаксиальной структуры, соаредоточенныки у границы раздела эпитаксиальный слой - металлиэирования; поверхность и выступающими в роли активных стоков и центров аннигиляции объемных дефек" тов.( Дефекты границы раздела эпитаксиальный слой - подложка также могут выступать в качестве центров геттерирования. Их роль более существенна в случае, тонких эпитаксиальных слоев ). Центрами аннигкляции могут быть либо дислокации, либо атомы...

Устройство для контроля полупроводниковых структур по фотоответу

Загрузка...

Номер патента: 1027653

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Шафер

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: фотоответу, структур, полупроводниковых

...чертеже представлена структурнаясхема предлагаемого устройства.Лазерный луч источника 1 лазерного1 излучения направляется на блок 2 сканирования, с которого поступает в оптическую систему 3, а затем на нсследуемую полупроводниковую структуру 4. Выход исследуемой полупроводниковой структуры 4 соединен с входом усилителя 5 фотонапряження, выход которого соединенФс первым входом видеоконтрольного блока (ВКБ) 6. Синхронная работа всего уст 10 ройства задается генератором 7 сннхроимпульсов, первый и второй выходы которого соединены соответственно с первыми и вторыми входами синхронизации блока 2 сканирования, блока 6 и блока 15 8 управления, состоящего иэ первого н второго ждущих мультивибраторов 9 и 10, первого и второго формирователей 1 1...

Устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 886623

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Ермакова, Гарбузов, Бондарь, Лебедева, Агафонов

МПК: H01L 21/66

Метки: внешнего, полупроводниковых, выхода, структур, квантового, излучающих, измерений, электролюминесцентных

...для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 2 .Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро 35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.40Целью изобретения является повышение точности измерений.Цель достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего...