Патенты с меткой «структур»

Страница 3

Способ количественной оценки закономерностей распределения узлов решетки геологических структур

Загрузка...

Номер патента: 602896

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Гольбрайх, Миркин

МПК: G01V 11/00

Метки: структур, оценки, геологических, решетки, закономерностей, распределения, количественной, узлов

...отдельным или суммарному изображению узлов решетки, по способу фотооптического осред 1 ения и эквиденситометрии. Производят количественную оценку пространственной частоты ф узлов решетки для отдельных или суммарныхизображений по их оптическому пространственному спектру. формула юобретения Составитель Е. ХалатоваТехред О. Луговая Корректор Г 1. Макаревич 1 ираж 702 Подписное Редактор А. Гсйсоченло знл аз 1843142 НИИГ 1 И Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретениИ и открытий3035, Москва, Ж.35. Раушская наб., д. 4/5 Филиал 1 П Гагент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4не н толщине случайно пеоесекающнхся или примыкающих друг к другу линий. Угол фильтрации по направлению определяется диапазоном углового раепределения...

Способ разрушения клеточных структур растительного сырья

Загрузка...

Номер патента: 607567

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Порк, Мельдер, Тоомель

МПК: A23J 1/14

Метки: клеточных, растительного, структур, разрушения, сырья

...ения клеточных структур рас ья пентробежную экструзию ри тангенциальной скорости с последуюшим разрушениемпутем подачи экструдируежесткий отражатель. изображено устройство для лагаемого способа, продолж лектродвигателя 8 через приво вращение рабочий орган607567 аз 2687/Подписное ПП "Патент,д, ул. Проектная, 4 2, после чего включают шнековый питатель 6 и в его приемный бункер подают растительный материал, например сечки зеленых растений, для получения белкового концентрата. Шнековым питателем материал достав ляется в кольцевую камеру, в которой направляющие лопасти 5 направляют его к соплам 3 за счет возникающих центробежных сил при этом материал в соплах движется в сторону калиброванных отверстий 4, 10При достаточной толщине слоя...

Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 612316

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Хлебников, Демьянец, Гольдин, Коробов, Юшков, Маслов, Куклев

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, фазы, эпитаксиальных, газовой, структур

...ВГЫрац)ГВЕЕ,4 ЫХ ЭПИ т. ЯКСИЕГ 1 Ь-ных структур.1 ЦЕПЬО ИЗ О 6 ГтЕТЕНтня явпяэтся у;,Е-, т ГЧ - ,цие производительности устройства иповышение однородности параметров получаемых эпнтаксиальцых структур,Достигается это тем, что:; извесллв ном густройстве, содержащем нагреваТЕЛИ ИСТОЧНИКЕ И ПОДЛОЖКИ, ВЕРТИКЯ;тьный трубчатый реактор со штуцерамиддя ввода и вывода газа, расположенныйв нем блок для размещения подложек иустановленный параллецьцо ему блок дпяРаЗМЕШЕЦИЯ ТВЕРДЫХ ИСТОЧНИКОВ, ПРГНЕМблоки закреплены ца соосных штокахпроводящих через пх центр и связанныхс приводами для вращения и перемеще.ния, блоки для крепления источников иподложек выполнены в виде дисков, периферийная часть которых выполнена в виде плоских сплошных...

Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 612317

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Хлебников, Маслов, Коробов, Бочкарев, Гольдин

МПК: H01L 21/20

Метки: структур, фазы, эпитаксиальных, газовой, выращивания

...блок 10, шток 11, уппогнения 12 и 13, привод. 14, нагреватель 15, кварцевую трубку 16, штуцеры 17 и 18, смотровые окна 19 и 20, бортик . 55 21, источник 22, подножку 23, средство крепления 24, В устройстве кварцевый трубчатый реактор 1 эакаочен в метаппический водоохпаждаемый кожух 2 Граитовый бпок 5 со средством креппения 24 источников 22 выполнен в виде плоского диска с бортиками 21, ограждающими со всех сторон каждый источник, и закреппен на штоке 6, соединенном с приводом 7. Средства креппения 24 выполнены, например, в виде винта с шайбой. Над графитовым блоком 5 установлен нихромовый нагреватель 8, заключен ный в кварцевую трубку 9. Трубка 9 выполнена в виде плоской спирапи. Кварцевая трубка 9 с нагревателем 8 через уплотнение (на...

Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 519045

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Коробов, Хлебников, Маслов

МПК: H01L 21/20

Метки: фазы, полупроводниковых, газовой, селективного, эпитаксильных, однослойных, многомлойных, структур, наращивания

...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...

Способ селективного формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Янушонис, Шеркувене

МПК: H01L 21/473

Метки: формирования, структур, изготовлении, базы, селективного, транзисторных, источника

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...

Способ изготовления транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 526221

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Янушонис, Банюлис, Шеркувене

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, транзисторных

...пластины сструктурой для создания эмиттерв и контакта базы.Нв поверхности кремниевой пластины1 методом объемной фотолитографии формируют структуру 2 из неоднород;ого 4 Опримесного стекла, содержащего легируюший слой 3 с базовыми примесями, например боросиликатное стекло, нанесенное центрифугированием из легирующихкомпозиций, слой 4, экрвнируюший про- ,4тив окислительной,атмосферы при термическом окислении, например влюмосиликатное стекло, нанесенное реактивнымраспылением, и маскирующий слой 5, например слой двуокиси кремния, нанесенный высокочастотным распылением. Приформировании структуры всегда образуется клин 6 травления, который обусловливается изотропным травлением и зависитот соотношений скоростей травления слоев, 65от...

Способ получения полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 588851

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Каряев, Голубев, Геворкян, Шмарцев

МПК: H01L 21/368

Метки: структур, полупроводниковых

...подложка пропускают импульсы пост оян ного электрического тока, имеющего такое направление, что на границе разде 20 ла источник - растворасплав выделяет", ся тэйло Пельтьеу а цю. 1"анице раствор расплав - подложка поглощается такое же количество тепла. Под .действием теп- ла Пельтье происходит растворение слоя 25 источника, толщина которого определяется количествам выделившегося тепла, т. е. величиной и длительностью импульса тока, В то же время на другой границе раздела температура понижается и раст- ЗО вор расплав оказывается нересьпценным относительно компонент, насыщавших жидкую фазу (компоненты твердого раствора А 6, бо, ЬЬ .). На подложке начинаетси, кристаллизация слоя твердого рствора, ЗЮ причем концентрация...

Способ лечения высоких структур желчных протоков

Загрузка...

Номер патента: 621347

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Кузовлев, Гальперин

МПК: A61B 17/00, A61M 25/01, A61B 17/11 ...

Метки: протоков, желчных, лечения, структур, высоких

...печени проводят дренаж, который выводят на передне-верхнюю поверхность печени. К мес- ту выхода дренажа подтягивают участок мобилизованной тонкой кишки, и, отступя на,4 см от слайого конца его, формируют гепатоеюноанастомоэ вокруг выведенного дренажа. Это обеспечивает герметизацию ,вокруг печеночного конца дренажа, препятствуя желчеистечению мимо дренажафв свободную брюшную полость, создает дополнительный путь оттока желчи из печени в кишечник, тем самым повышая надежность проходимости желчных путей, В воротах печени между желчным протоком и ,прилегающим. участком мобилизованной тонкой кишки формируют гепатоеюноанастомоз, через просвет которого проводят другой конец транспеченочного дренажа, выходящего через подвесную энтеростому на...

Способ поиска геологических структур

Загрузка...

Номер патента: 625177

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Кутузов, Шилов, Соловьев

МПК: G01V 9/00

Метки: поиска, структур, геологических

...газоносных струк. Целью изобретения является новыщениедостоверности. исследований.Достигается это тем, что температуры изряют на глубинах, равных 0,23-0,30 величиныя с изменяющимися годовыми температурамвИзобретение основано на закономерности,заключающейся в том, что. импульсы сезонныхколебаний температур за определенный проме.жуток времени, например эа сто дней, в зави 30 симости от лнтологических особенностей породдостигают различных глубин, расположенных вуказанном интервале, Поэтому для исключенияих влияния в литологически различных породахизмерения следует производить на различных15 глубинах в указанном интервале, Верхний предел интервала ограничен глубиной проникновения и затухания суточных колебаний темпера.тур, Указанной...

Неразрушающий способ контроля степени однородности структур силовых тиристоров

Загрузка...

Номер патента: 642654

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Бартанов, Волков

МПК: G01R 31/26

Метки: однородности, неразрушающий, тиристоров, силовых, структур, степени

...ППП ффйатентф, г.ужгород, ул.Проектная, 4 вследствие неравномерного тепловогонагрева проводящего элемента, но неучитывает другие факторы, приводящиек локализации максимальной нагрузки.(неоднородность удельного сопротив 1 дения кремния, неоднородность фронтадиффузии .и т,д,),Целью изобретения является обеспечение возможности учета максимальной локальной нагрузки при количественной оценке степени неоднородностиструктуры и повышение точности оценки,Цель Достигается тем, что по предлагаемому способу измеряют напряжение переключения тиристора при фиксированной скорости нарастания анодного напряжения через фиксированныйпромежуток времени после протеканияпрямоугольного импульса тока, измеряют напряжение переключения исследуемой...

Способ выявления надмолекулярных структур в антифрикационных полимерах

Загрузка...

Номер патента: 647307

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Макарова, Шадрин

МПК: C08F 6/00

Метки: выявления, надмолекулярных, полимерах, структур, антифрикационных

...изобретений и открытий 113035, Москва, )1-35, Раушская наб д.4/5Заказ 244/21 Ф:,лиан ППП Патент, г,ужгорбд,. Ул.проектная,.4 исследовать сложно, Но если покрыть тонким слоем красителя однородного по своему составу без включения и подсушить поверхность, то надмслекулярная структура любых размеров буде г видна в металлографическом микроскопе в отраженном свете и в светлом,и в темном поле, а также при косом освещении, Верхний слой материала нежелательно травить, так как травлением уберется картина разрушения этого слоя и будет выявлена подпонерхностцая структура с совершенно иной перестройкой структурных элементон, т,е. слой с иными свойствами, В следующих слоях надмолекулярная структура выявляется с" равливанпем в концентриронанной...

Способ получения варизонных структур

Загрузка...

Номер патента: 586758

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, структур

...слой толщйной 2-3 мкм.После повторения циклов растворениерост 15-20 раз вблизи поверхностинаблюдался состав, близкий к 1 пР, 10 Предлагаемый способ позволяет получать вариэонные структуры с профилем распределения ширины запрещеннойзоны, регулируемым в широких пределахс высокой степенью воспроизводимости.Он может быть использован для создания, варизониых слоев на многочисленных материалах например на основетвердых растворов типа А -В" -А" -В",А -В" -АфВ, дефектных полупроводников, четверных систем и др. Формула изобретения 3слоя иа обеих подложках. Однако из-заразличия удельных весов компонентоврасплава и с возникновением в связис этим, конвективной диффузии компонентов в растворе - раславе, помещенном в силовое поле,...

Способ формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Янушонис, Шеркувене

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, структур, транзисторных, формирования, источника, изготовлении

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Устройство для измерения гистерезисных характеристик мдп структур

Загрузка...

Номер патента: 655996

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Каплан, Колешко

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: характеристик, мдп, структур, гистерезисных

...измерений и автоматического синхронизатора 10, предназначенного для синхровизвции работы всего устройства. Ко входам схемы 8 вычитания подключены емкости 11, 12, предназначенные дня расширения импульсов, подаваемых нв иих вночвми 7 и 8, сигнальные входы которых подключены к генератору 4 пилообразного напряжения, а управляющие входы к пороговому устройству 6.При подаче сигнала от генератора 1 на испытываемую Мйй структуру 5, через нее прогекаег ток и нв твкосьемном резисторе 3 выделяегса напряжении, про-, порциональное емкости. Это напряжение усиливается и детекгируегся усилителем 2 измерительного сигнала, а затем попадаег на вход порогового устройства 6.По команде авгоматического синхро низа тора 10 запускается генератор 4...

Устройство для моделирования нейронных структур зрительной системы

Загрузка...

Номер патента: 661569

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Дудкин, Гаузельман, Иванов

МПК: G06G 7/60

Метки: нейронных, структур, системы, моделирования, зрительной

...тормозных сигналОв, первую ивтбр"Втрппь"йорбговЫхсумматорови группу элементов ИЛИ 8,Устройство работает следующим образом,На фотодиодывоздействует движущееся изображение темного объекта на" светлом фоне (отрицательный контраст) или светлого объекта на темном фоне (положительный контраст), При выделении"размера темного объекта, движущегося на светлом фоне, светный фон, первоначально воздействуяна фотодиодный вход модели, выз,ывяет воз.буждение ов-нейронов 2, При этом цавыходе оЛ-нейронов 3 сигналы отсутствуют. Выходные сигналы всех оп-нейроновза исключением первого (со стороны движущегося объекта), поступают на первыевходы сумматоров 7, а также на входы первого формирователя тормозный сигналов 4,Ьы."который при наличии сигналов...

Реактив для выявления клеток и клеточных структур

Загрузка...

Номер патента: 663721

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Исенгельдина, Казенас, Аутеншлюс

МПК: C12K 1/00

Метки: клеток, структур, реактив, клеточных, выявления

...высушивают на воздухе и исследуют под люминесцентным микро/скопом в сине-фиолетовой части спектра.Присодержании компонентов в нижних пределах качество флуоресцентной картины удовлетворительное, но имеет место незначительное падение интенсивности флуоресценции при сохранении спектральной характеристики фпуоресцирующих объектов, Дальнейшее снижение содержания компонентов привопит к значительному ослаблению интенсивности Фпуоресценции объектов.Заказ 2922/2. Тираж 525 Подписное НИИГИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж,Раушская наб д. 4/5Филиал ПГП "Патентф, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ри содержании компонентов в верх-них пределах качество фпуоресценчнойкартинь сохраняется, однако...

Способ получения р-п структур

Загрузка...

Номер патента: 639358

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисовенко, Сушко, Масенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: р-п, структур

...в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р - п-перехода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.Известен способ получения р - п-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине....

Устройство для определения минимальных членов при синтезе структур дискретных автоматов

Загрузка...

Номер патента: 680174

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Чистяков, Блудов

МПК: H03K 19/14

Метки: дискретных, структур, членов, минимальных, автоматов, синтезе

...а с горизонтальных шин матрицы 13 (первая группа выходов матрицы) снимается напряжение, соответствуюшее второму разряду рабочего числе. В результате срабатывают реле 14, соответствуошие вторым разрядам запрешенных чисел лля второго разряде рабочего ик;ле, Эти рел свонмп контактами черед вторуюруину выхолнв5матрицы 13 формируют напряжения в соответствующих цепях блока 15 обобщенныхкодов,Блок 15 представляет собой релейнуюсхему которая на основании заданногоЬторого разряда рабочего числа и вторыхразрядов запрещенных чисел обеспечиваетвыбор обобщенного кода с максимальнымколичеством тире путем анализа куба соседних чисел (фиг.1,б). Таким образом,в обобщенный код входит второй разрядрабочего числа и некоторые условные числа и не входит ни...

Способ измерения поперечных размеров оптически прозрачных структур

Загрузка...

Номер патента: 706690

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Менсов, Вдовин

МПК: G01B 11/02

Метки: размеров, прозрачных, поперечных, структур, оптически

...пределеция этой структуры.На чертеже изображена схема устройства для реализации предложенного способа,Устройство содержит излучатель 1, например ОКГ, фокусирующую линзу 2, оптический фильтр 3, объектив 4, измеряемую амплитудно. прозрачную структуру 5, сканирующую систему 6, точечный приемник 7 излучения, лифферсн. циатор 8, блок 9 отсчетных импульсов, осциллограф 10.Способ осуществляется следующим образом.Излучение ОКГ фокусируют линзойв плоскость оптического фильтра 3, созлаяцнего6690 Составитель С, ГрачевРедактор Г, Улыбина Техред О,Андрейко Корректор Е.Лукач Тираж 845ИПИ Государственного комитета СССРо делам изобретений и открытий35, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/ Подписно каз 8205/3Ц 1 13 пиал ППП "Патент" г. Ужгород, ул,...

Манипулятор для измерения барьерных емкостей поверхностно барьерных структур

Загрузка...

Номер патента: 764977

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Шенкевич, Канчуковский, Мороз, Преснов

МПК: B25J 15/00

Метки: поверхностно, структур, манипулятор, емкостей, барьерных

...фиг. 1 изображен общий вид предлагаемого манипулятора; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Предлагаемый манипулятор содержитподвижный пьедестал 1, на котором расположена полупроводниковая пластина 2 с поверхностно-барьерными структурами 3, рас О положенными на полупроводниковой пластине; контактный зонд 4, осушествляюший контакт с измеряемой поверхностно-барьерной структурой; заземленный электрод 5, размером не менее размера пластины, имею.,сщий две взаимно перпендикулярные щелидля контактного зонда, жестко связанныйс подвижным пьедесталом, электрическиестойки 6 для крепления заземленного электрода к подвижному пьедесталу; две взаимно перпендикулярные щели 7 в заземленномэлектроде для контактного зонда.Работает устройство...

Способ жидкостной эпитаксии варизонных структур

Загрузка...

Номер патента: 669999

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Лидейкис, Бессолов, Баранов, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: варизонных, структур, жидкостной, эпитаксии

...на фиг. 2 - тоже, в процессе эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры переменной толщины; на фиг. 3система по окончании эпитаксиального наращивания полупроводниковойструктуры переменной толщины; наФиг, 4 - система перед началом эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины; на Фиг. 5 - система по окончании эпнтаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины,Приняты следующие обозначения:расплав 1 рабочая камера 2, подложк3, пересыщающий расплав 4, полупроводниковая структура 5.П р и м е р . Процесс созданияполупроводниковой СаА 8 БЬ структуры, ширина запретной зоны которойизменяется по поверхности кристалла,проводят следующим образом,Графитовую кассету...

Способ индикации электроаномальных структур внешних покровов биологических объектов

Загрузка...

Номер патента: 783687

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Шевелев, Овсянников, Свистухин, Фролов, Демуров, Смирнов

МПК: G01N 33/48

Метки: биологических, электроаномальных, объектов, внешних, покровов, индикации, структур

...исследований ЭАС и обучения иглотерапевтов. Изобретение относится к областимедико-биологических исследований длявизуального обнаружения (индикации),злектроаномальных структур (ЭАС)внешних покровов животных и растительных объектов, а также в морФоло"гии и гистологии,Известен способ индикации ЭАСучастков сниженного электрокожногосопротивления с помощью электрического тока 1). П р и м е р. В качестве объекта берут нижнюю конечность человеческого трупа и помещают в сосуд со свежим 6-ным раствором химически чистого сульфата меди. Труп располагают на металлических неокрашенных носилках, которые подключают к отрицательному полису источника тока, например набора батарей Или аппарата для гальванизации, Затем медный сосуд с сульФатом меди...

Устройство для измерения погрешностей шагов регулярных структур

Загрузка...

Номер патента: 789762

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Чехович, Буров, Толкун, Биенко

МПК: G01R 17/02

Метки: шагов, структур, погрешностей, регулярных

...его выходных импульсов пропорциональнавеличине номинального шага), темсамым препятствуя далынейшему прохождению импульсов заполнения черезэлемент И 3 на вход С 09. Этот жесигнал при помощи ППУ 7 возвращаетС 9 н исходное состояниеОдновременно с возвращением элементов в исходное состояние приходит второй командный импульс (6.6 Н),который запускает триггер 15. Временное несовпадение фронтов импульсов с триггерон 14 и 15 отсутствует, поэтому на выходе биполярногоключа 16 не формируются импульсы,характеризующие погрешность шага.При этом окончание цикла работы одного счетного блока совпадает с началом цикла работы второго блока.Во втором случае командный импульсна тактовый вход коммутатора поступает позже того момента, когдаэлемент...

Способ определения температурных полейнефтегазоносных структур

Загрузка...

Номер патента: 804823

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Лурье, Брук

МПК: E21B 47/06

Метки: полейнефтегазоносных, структур, температурных

...перетоками углеводородов. Эти аномалии рассасываются со временем и, таким образом, являются нестационарной добавкой к стационарному температурному полю, получаемому по результатам электромоделирования.Посредством сравнения термограммы скважины, расположенной в центре структуры,с модельными температурами определяют величину ЬТ (ъ) нестационарной добавки вобласти вблизи данной скважины (х - вертикальная координата). Величину такой добавки ЬТ (2.) вдали от данной скважины определяют по формулеЬТ(х) = ЬТ,(х) - ,", Р)где й- мощность залежи вблизи центральной скважины;й - мощность залежи на рассматриваемой вертикали.Формула (7) следует из того, что величина температурной аномалии при вертикальном перетоке прямо пропорциональна скорости Чп...

Способ контроля качества и надежностиполупроводниковых структур c p-п пе-реходами

Загрузка...

Номер патента: 805213

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Новиков, Прохоров, Палей

МПК: H01L 21/66

Метки: надежностиполупроводниковых, пе-реходами, структур, качества

...а локализуется в отдельныхобластях (микроплазмах). При низкойтемпературе микроплаэменный пробойшунтируется влиянием поверхностныхзФФектов и глубоких ловушечных уровней, обусловливающих параметрическиеотказы приборов при длительной эксплуатации. Наличие глубоких ловушечных уровней приводит также к гистереэису лавинного пробоя.Последовательность операций приосуществлении предлагаемого способаследующая.Испытываемые полупроводниковыеструктуры с р-и-переходами помещаютв камеру холода, выдерживают их вней в течение достаточного временидля установления низкой температуры:от минус 115 до минус 125 С для германиевых структур и от минус 75 доминус 85 С для кремниевых структур.Затем на р-и"переходы структур, находящихся в условиях низкой...

Устройство для обнаружения неисправ-ностей b блоках коммутации цифровыхинтегрирующих структур

Загрузка...

Номер патента: 805321

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Гузик, Крюков, Криворучко, Юдина

МПК: G06F 11/22

Метки: неисправ-ностей, блоках, обнаружения, коммутации, структур, цифровыхинтегрирующих

...поступают через коммутатор 9 на управляющие шины 20 контролируемого блока, а так как в805321 Грегистрах 7 и 8 записаны единицы в первых разрядах, то происходит выбор первого коммутирующего элемента, В третьем такте первого цикла счетчик 2 перебрасывается в состояние, рав-. ное трем, и дешифратор 3 подает разрешающий сигнал на коммутаторы 5 и 6 и на вход элемента И 16 блока 12, В результате блок 1 управления подает сигналы через коммутатор 5 иа все информационные шины 19 контролируемого. блока, а коммутатор. 6 снимает сиг налы с контрольных точек 21 и подает их на входы блока 12 анализа н регистрации сигналов. Этот блок производит выявление неисправностейВ случае отсутствия неисправностей в первом коммутирующем элементе блок 1...

Устройство дефектоскопического контроляпланарных структур

Загрузка...

Номер патента: 813202

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Розиньков, Горюнов, Дубицкий, Лонский

МПК: G01N 21/27

Метки: дефектоскопического, структур, контроляпланарных

...одновременное совмещение позитивного изображения контролируемой структуры с негативным изображением образцовой и негативного изображения контролируемой структуры с позитивным изображением образцбвой. При сложении обоих разностных изображений возникает полная разностная картина, характеризуюшая отличие изображений контролируемой структуры от образцовой. Для этой цели используется формирователь разностного изображения, состоящий из схем 7 и 8 совпадения инверторов 9 и 10 и схемы ИЛИ 11. На первую схему 7 совпадения подается сигнал, соответствующий позитивному изображению контролируемой структуры, и сигнал, соответствующий негативному изображению образцовой структуры. На выходе схемы совпадения образуется разностный сигнал,...

Устройство для искусственного приготов-ления структур газожидкостного потока

Загрузка...

Номер патента: 841660

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Репин, Коваленко, Карамышев

МПК: B01F 3/04

Метки: газожидкостного, искусственного, приготов-ления, структур, потока

...В цилиндре 3 перемещается плунжер 7, уплотняемый с помощью резиновых колец. Плунжер приводится в действие от кривошипно-шатунного механизма 8, маховика 9, коробки 10 передач, червячного редуктора 11, соединенного с электродвигателем 12. Число ходов плунжера можно изменять с помощью коробки передач от 7 до 300 об/мин, а положениеплунжера в цилиндре можно изменятьпутем укорачивания или удлинения шатуна. Уровень жидкости в емкости регулируется с помощью регулятора 13 50уровня жидкости, а газ подается вемкость по трубопроводу 14.Установка работает следующим образом,55Отсепарированная нефть насосами подается через поплавковый регулятор 13 уровня в корпус 1. В эту же емкость по трубопроводу 14 подается 4попутный нефтяной газ. При положении...

Способ оценки изменений крово-снабжения структур глазного дна

Загрузка...

Номер патента: 847990

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Кильпио, Портной, Киприянова, Степанов, Егоров

МПК: A61B 3/12

Метки: оценки, глазного, структур, крово-снабжения, изменений, дна

...с точностью не менее 0,1 благодаря возможности определе847990,ния спектральных характеристик глазного дна.П р и м е р . Предлагаемый способ оценки изменения кровоснабжения структур глазного дна осуществляют на оптико-электронной установке, Определяют изменение спектральных характеристик отражения диска зрительного нерва глазного дна при заболевании и прогрессировании глаукомы. Сигнал от элемента сравнения, имеющего близкую глазному дну спектральную характеристику, составляет 0,12 мкА.Сигнал от диска зрительного нерва (дзн) здорового глаза - 014 мкА, Сигнал от диска зрительного нерва больного начальной глаукомой той же пигментной группы - 0,19 мкА. Сигнал от диска зрительного нерва больного глаукомой при прогрессировании болезни - 0,25...