Патенты с меткой «структур»

Страница 2

Устройство контроля шага периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 444049

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Ильин, Павлов, Биенко

МПК: G01B 7/14

Метки: шага, структур, периодических

...началопериода периодической структуры, входыДПУ 2 и 3 отключены при помощи коммутатора 1 от выхода генератора импульсов заполнения (Вх. 1) (интервал 1 о - 1, на временной25 диаграмме),При поступлении на вход управленияВх, УПР коммутатора 1 сигнала Начало шага импульсы заполнения, поступающие наВх. УПР коммутатора 1 сигнала Начало ша.30 и происходит ее заполнение до тех пор, пока3она не будет приведена в состояние 9 1 девяти).В момент совпадения на выходе СС 4 вырабатывается импульс, который при помощи ППУ 6 возвращает ДПУ 2 в исходное состояние и, воздействуя на коммутатор 1, производит отключение входа Вх. коммутатора (импульсы заполнения не поступают на вход ДПУ 2) и подключение его ко входу ДПУ 3 (интервал 1, - 1, на временной...

Бесконтактный способ измерения электрофизических параметров полупроводниковых двухслойных структур

Загрузка...

Номер патента: 452793

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Матвеев, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электрофизических, бесконтактный, двухслойных, структур, параметров

...исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793...

Зонд для измерения емкостных характеристик диэлектрических и полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 458062

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Петров, Морозов

МПК: G01R 1/067, H01L 21/66, G01R 31/26 ...

Метки: полупроводниковых, зонд, диэлектрических, характеристик, структур, емкостных

...лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью...

Способ поиска нефтегазосодержащих структур

Загрузка...

Номер патента: 458794

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Сардаров, Суетнов

МПК: G01V 1/24

Метки: структур, поиска, нефтегазосодержащих

...ответа на вопрос о наличии в ловушке продукции.С целью повышения достоверности поиска измеряют величины теплового потока ниже его фонового для данного геологического района значения и по ним находят деспрессионную зону, связанную с нефтегазоносностью.Экспериментальные и теоретические исследования теплового режима нефтегазовых месторождений установили факт наличия на переклиналях структур, содержащих нефть или газ, кольцевых зон с тепловыми потоками, значительно ниже фонового (депрессионные зоны). Эти зоны сопровождают только продуктивные структуры и могут быть критерием для их выделения. Для осуществления предлагаемого способа на участках ненарушенного геологического строения в пределах исследуемого геологического района измеряется...

Способ получения многослойных структур

Загрузка...

Номер патента: 471631

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Арифов, Раджабов, Искандерова

МПК: H01L 7/02

Метки: структур, многослойных

...инертных газов с эц,;гцямсг от 1,5(10" до 5 Х 10 гоновгслг 2. Система электростатических линз б служит для ускорения и фокусировки пучка ионов.Система напуска газов ионного источника 7 состоит из игольчатого натекатсля и баллона с исследуемым газом. С помощью ионпзациоцных манометров и масс-спектрометра 8 контролируют давление и состав остаточных газов в измерительной камере,Порядок проведения экспериментов заключается в следующем; после обезгаживация всей установки и мишени и достижения давления в камере це выше 1 Х 10 " - 5 Х 11 тор, включают прямоканальцый иопаритель и производят напыление слоя ца подложку с данной температурой и с выбранной скоростью напыления. После предварительного нагпыле;гия слоя толщиной - 0,1 лкг, це выключая...

Способ моделирования различных срезов геологоразведочных структур

Загрузка...

Номер патента: 474837

Опубликовано: 25.06.1975

Автор: Дорофеева

МПК: G09B 23/04

Метки: структур, срезов, геологоразведочных, моделирования, различных

...представленитвердого тела произволмерцостях .изменения эцую модель геологцчсскно погружают в жиднужный наклон, создация граней модели спастью жидкости, катарподеленному срезу. ия различных срезовоснованный на зыв твердых тел, отлицелью получения на. я о любом сечении ьноц формы и законотих сечений, прозрачой:труктуры частичкость и, придавая ей от различные сочетаестествеццой поверхые соответствуют опЦелью изо ние натля ч ни пвер кономер ль геолотиче жают в жцдаклон, созданостсй модели з 0 прозрачную моде ы частично погру ,вая ей нужный н сочетания поверх это укт к каст ю зличные Изобретение относится к средствам моделирования сечений (срезов) твердых тел произвольной формы и может быть;использовано при,изучееии формы и...

Устройство для моделирования нейронных структур

Загрузка...

Номер патента: 478329

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Файзуллин

МПК: G06G 7/60

Метки: нейронных, моделирования, структур

...которые могут автоматически перестраивать структуру;д) визуально наблюдать сформированные в процессе автоматической перестройки (обучения) структуры; е) регистрировать активность отдельных нейронов и всей структуры в целом;ж) перерабатывать (кодировать) световые, акустические и смешанные сигналы. На чертеже приведена структурная схема устройства,Устройство содержит формировательвходных сигналов 1, преобразователь входных сигналов 2, в состав которого входят(МСЭ) 3 и частотный фильтр 4, наборное поле 5, блок моделирования нейронов(БМН) 6. В состав БМН 6 входят подблоквозбуждающих синапсов 7, выход которогосоединен с подблоком дендритов 8, к которому подключен также выход подблокатормозящих синапсов 9, Выход подблока8 через подблок 10 тел...

Устройство для измерения дифференциального сопротивления диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 482697

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Чеснис, Рибикаускас

МПК: G01R 31/26

Метки: дифференциального, сопротивления, структур, диодных

...и генератор 12 прямоугольных импульсов. При помощи положительного импульса, поступающего из мультивибратора 8, коммутатор 7 переводится в состояние открыто и сигнал с резистора 4 через этот блок и сумматор 9 подается на вход вертикального отклонения осциллографа. В это же время напряжение на другом выходе мультивибратора 8 скачком уменьшается и коммутатор 6 переводится в состояние закрыто. Длительность импульсов на выходе генератора 12 подбирается равной продолжительности пребывания мультивибратора во временно устойчивом состоянии, которая больше продолжительности переходных процессов в измерительной цепи, но меньше длительности импульсов на выходе источника 5 управляющего напряжения, Таким образом, при поступлении на вход усилителя...

Способ получения кристаллических полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 394093

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Корнеев, Голубев, Шмарцев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллических, полупроводниковых, структур

...или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить...

Устройство для определения функций неисправностей релейных структур

Загрузка...

Номер патента: 486320

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Чистяков, Яновский

МПК: G06F 11/00

Метки: неисправностей, структур, релейных, функций

...14 управления печатью по сигналам с нулевого выхода триггера б открывает входы усилителей 10, а также осуществляет . операции, связанные с управлением работой блока печати (транспортировка бумажной ленты, реверс красящей ленты, сигнализация и т, д,).Перед началом работы по логической функции, например указанной логической функции, вводятся начальные условия в размнокитель команд, При этом единичные выходы а, Ь, с, с, е, й двоичного счетчика 5 соединяются: выход а - с каналами О, 3, 6, выходы Ь - с каналами 1, 4 и т. д.По команде Исходнос триггер 3 переводится в единичное состояние, при этом выход генератора 1 импульсов закрывается, двоичные счетчики 2 и 5 устанавливаются в исходные положения. В двоичный счетчик 2 вводится дополнение,...

Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 489165

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Клюев, Аксенов, Шабельников, Чернявский, Филиппов, Блохин, Павлов

МПК: H01L 7/68

Метки: зондовая, структур, полупроводниковых

...следующие обоэнлчения: Э,Б,К - условное подключениеэмиттера, базы и коллектора проверяемойструктуры к испытательной схьме на схе ме условнО не показаны лектроиэоляпиязондоь и предметного стола и привод установки);- длина зонда; Я - фокальная плОскОсть,расстояние От Осикачания зонда до плоскостч Я ; а Й - глу- М . бина резкости оптнческой системы;3тт, /( / тт Ь,ГтюСтрттЛа ттрогцбй Зотнда, д Гт з рейкцмя койтактной площадки; д 5,Ф,ДНЙ РИСКИ,Установка состоит из оптического уст- ООЯСТВД Д КОЦПусаПредМ 8 ТНСГОтС МВХИНИЖ 4 ОМ П 8 Ремещеиият ДВУХ ИЗМед рительиых ЗОНДОВ 4 с механизмами переМеиеции.Работа установки осущеслаиется сл"=дттт ттцти Образом,,т ЬОВВРЯеыатя ПЛИСТИНа 5 З 2 КР 8 ПЛЯЕ"СЯтРЕДъ,тЕтНОМ дРП 8 3 ВаттттУ 1 т,п.тт т ПРИМОМ И...

Способ изготовления сотовых структур

Загрузка...

Номер патента: 492491

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Пшенцов, Евцихевич

МПК: C03B 23/20

Метки: структур, сотовых

...заготов низкое качество укладки,Цель изобретения - уменьшение р шения заготовок и повышение качестпляют пс ак 1 т виб.дой ст бот выхизих готово е оптиостьюность м разалебаний л к и ор мула изо те н азруа излия, Это до игается тем, что вибрат импульсами, причемпаузы между колебание в 2-3 раза больше,ьность самих колебаниемый способ осуществобразом.имеющую полость задаимер, для укладки шесров (размер под ключмм) в шестигранный пу циюпродолями по осуществляюжительност раинеи м яется иной тигран 1 мм,чок продолжите Предлаг следующим Кассету формы, нап ных капилля длина 200(размер под ключ 25 мм), за 1.и платформе впбропривода и подверг рации с частотой 50 гц и а плит 0,5-1 мм, причем вибропрпвод ра в периодическом режиме. Для з...

Устройство для анализа магнитных структур ферро и ферримагнитных материалов

Загрузка...

Номер патента: 447093

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Драбкин, Окороков, Рунов

МПК: G01T 1/32

Метки: ферримагнитных, структур, анализа, ферро, магнитных

...позволяют определять только проекцию вектора поляризации на ведущее поле установки, что приводит к потере информации о магнитной структуре образца, связанной с поворотом вектора, поляризации в образце и искажению информации, извлекаемой из деполяризации пучка,С целью расширения диапазона измерении в предлагаемом устройстве узел образца помещен в магнитный экран, внутри которого симметрично относительно узла образца расположены магниты с цилиндрическим ярмом, снабженные средствами поворота вокруг оси, обеспечивающие синусоидальное распределение поля по оси, причем внутри магнитов размещены соленоиды, создающие косинусоидальное распределение поля по оси,ржнт элементы Вра 1 цаив 3, расположенных сн.,мгт. ркало 4, поляризатор, узел во 6...

Цифровой интегратор для однородных цифровых интегрирующих структур (оцис) с плавающей запятой

Загрузка...

Номер патента: 510727

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Гиляровская, Недостоева, Виневская, Станишевский

МПК: G06J 1/02

Метки: запятой, интегрирующих, структур, плавающей, цифровых, однородных, цифровой, оцис, интегратор

...образуются новые значения разностей порядковДв результате чего перестраиваются управ ляемые регистры 14 и 15, на выходе бл ков анализа состояний счетчиков 18 и 19 появляются потенциалы, соответствующие новым состояниям счетчиков, которые подготавливают элементы запрета 16 и 17.При прохождении мантисс приращений 7 Мр 91) через управляемые регистры 14 и 15 мантиссы задерживаются в них на величинуи - Ь д ( )) определяемую510727 ГТПР(1+1) равный +1, - 1 илн О. Этисигналы поступают на вход блока 12 управления сдвигами мантиссы функции, нц сумматор 6, на выход интегратора в качествевыходного приращения порядка функцияЧПР ( 1 ф 1 ) н на реверсивные счетчаки18 и 19,Блок 12 управления сдвнгами вырабатывает сигналы сдвига мантнссы подынтеграл1 а...

Устройство тестового контроля релейных структур

Загрузка...

Номер патента: 518872

Опубликовано: 25.06.1976

Автор: Чистяков

МПК: H04L 1/10

Метки: структур, тестового, релейных

...цепочек одновременно)замкнулась и, таким. образом, выполненонеобходимое условие существования-ой цепочки, Как только откроется ключ26, под действием "единичного" сигнала,триггер 25 перейдет в нулевое состояние, ключ 23 закроется и откроетсяключ 24, Импульсы частотыначнутпоступать на вход кольцевого счетчика1 и управляющий вход ключа 26, закрывая его на время переходных процессов,С этого момента начинается проверка достаточного условия существования й - ойэлементарной цепочки.Если существует только одна ( - аяцепочка, например, изменили состояние(сработали) только контакты 10, 11,тогда импульсы с выходов кольцевогосчетчика последовательно будут открывать все ключи 14 - 18, При этом сначала выключится только реле 2, затемвыключится...

Способ поисков структур земной коры и связанных с ними геологических объектов

Загрузка...

Номер патента: 519669

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Сардаров

МПК: G01V 9/00

Метки: земной, ними, геологических, коры, связанных, структур, поисков, объектов

...неоднозначности поиска, сводящая в ряде случаев на нет возможности таких развитых методов, как сейсмика, гравика или магниторазведка, с другой стороны, во-первых, не полностью реал зуются возможности современной полевой аппаратуры (например, чувствительность лучших образцов тепломеров 10 а кал/смесек в то время как регистрируемый сигнал, как правило в 100 раз больше), во-вторых совершенно не привлекаются (а в рамкахшествующих методов и не могут бытьивлечены) такие чувствительные и точные Это достигается тем, что по предда ому способу с помощью известных ге ических методов и приборов (наприме отокам радиогенных газов или с погл519669 ого ог Составитель И. ТРофедактор А. Балащжн Техред М. Ликови орректо ида нраж 690 зд. М 578 аказ 503...

Устройство для программирования цифровых интегрирующих структур

Загрузка...

Номер патента: 526892

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Дровянников, Каляев, Макаревич, Лукиенко

МПК: G06F 9/00

Метки: интегрирующих, программирования, структур, цифровых

...устройства и прелназцачет 1 лля управле 1 ия работой этих блоков.лрпфметпейкии Олок, сВязацныи лВухстсроцними связями с запоминающим слоком, с блоком управления с односторонней связью, с блоком вывола, служит Лля предварцтель. ного преобразования текста исходной залачи, расчета началыых значений перемеццып вычисления масштаба лля ЦИС с фцсцровагиой запятой.В процессе преобразования осуществляется синтаксический,контроль и сегментация тсжста входной программы, цлентифцкацця переменных, переколировка текста программы в промежуточный вцутрецний кол и преобразсзацце переколироваццого текста в бесскобочцую форму записи.Блоки 5 - 9, соединенные лвухстороишмц связями с запоминающим блоком 2, блоком управления 3 и односторонними...

Устройство для определения тестов контроля исправности релейных структур

Загрузка...

Номер патента: 526896

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Чистяков

МПК: G06F 11/00

Метки: релейных, тестов, исправности, структур

...замкнутые контакты. Пр Определении набора теста для контроля цспочк, о;исывасмой элем итарой цмплпкаптой а Ь с на обрыв, в результате операций первого и второго рода изменяют состояПе переменные Ь, гУ, 1 г:г",. = а Ь с + ад + е 1 г.(6) Набор теста будет равен сумме вссов указасиых переменных, т. е. равен 42. Наборы теста для,контроля цепочек ад и ей определяотся аналогично и оказываются соответственно равш,Ми 36 и 29 Таким образом, тест Для определения отдель;ого:абора теста Т, иял булевой функцией (1) послелозатсльио проводятся упрощенная операция третьего рола и операция второ:о рода.Упроще 1 ная операция третьего роля заключается в том, что:1 еременная с чертой, соответствующая контролируемому контакту изменяется иа перемецную без...

Устройство для определения функциональных тестов контроля исправности релейных структур

Загрузка...

Номер патента: 528570

Опубликовано: 15.09.1976

Автор: Чистяков

МПК: G06F 11/04

Метки: релейных, тестов, функциональных, структур, исправности

...с управляющим входом блока элементов И 18 и с входом элемента задержки 23, параллельно через блок переключателей 16 соединены с нулевыми и единичными входами триггеров блока триггеров 17, параллельно соединены с входами 7 анализаторов 5, выходы 9 которых соединены с управляющим входом блока элементов И 15, Выход элемента задержки 23 соединен через элемент задержки 24 и формирователь импульсов 25 с управляющим входом блока элементов И 4 и параллельно соединен со счетным входом кольцевого регистра 1, который соединен с блоком настройки 3.Работа устройства состоит в следующем.Перед включением устройства в работу переключатели блока переключателей 16 устанавливаются в положения, соответствующие состояниям переменных функций (1), При...

Устройство для синтеза структур дискретных автоматов

Загрузка...

Номер патента: 535736

Опубликовано: 15.11.1976

Автор: Чистяков

МПК: H03K 19/14

Метки: синтеза, дискретных, структур, автоматов

...16. Второй вход третьего ключа 13 соединен с входной шиной 17.Устройство для синтеза структур дискретных автоматов работает следующим образом.На наборном поле 2 выключателяии 18 набираются запрещенные веса состояний и одни рабочий вес состояний. По команде Исходный, подаваемой,на входы 19 и 20, кольцевой счетчик 1 переводится в исходное положение, а триггер 7 - в нулевое состояние. Ключи 4, 11 и 13 закрываются. На входную шину 17 подается частота от генератора, Включается выключатель 9, соответствующий минимальному члену функции, Один из ключей 4 открывается, а все остальные ключи 4 закрыты.По команде Пуск, подаваемый на вход 21, триггер 7 переводится в единичное состояние, ключ 13 открывается, и импульсы входной частоты начинают...

Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Жиляев, Андреев, Никитин, Ларионов

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, структур, многослойных, эпитаксии, методом, полупроводниковых

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...

Способ получения полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 463394

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Ларионов, Андреев, Егоров, Шелованова, Ермакова

МПК: H01L 21/20

Метки: структур, полупроводниковых

...заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой...

Состав для шлифования полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 545017

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, состав, шлифования, структур

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.К недостаткам известного травителя относится следующее.Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия,Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий...

Устройство для автоматической проверки релейных структур

Загрузка...

Номер патента: 545991

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Чистяков

МПК: G01R 31/28

Метки: структур, автоматической, проверки, релейных

...7 навходы соответственно формирователя наборов тестов 6 и кольцевого счетчика 2. Кроме того, блок 4 распределяет нулевые иединичные сигналы информации с выхода релейной структуры 8 последовательно на единичные входы триггеров 1.Единичные входы триггеров 1 соединеныс выходами блока управления 4, а счетныевходы - с выходами кольцевого счетчика 2Фнулевой и единичный выходы триггеров 1через переключатели 3 соединены с элементами индикации 5, Выход блока управления4 через элемент задержки 7 соединен сосчетным входом кольцевого счетчика 2, ачерез формирователь наборов тестов 6 - совходом релейной структуры 8, выход которой соединен со входом 9 устройства,Устройство работает следующим образом,С помощью переключателей 3 вводятсяначальные...

Раствор для избирательного химического травления многослойных металлических структур

Загрузка...

Номер патента: 560898

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Матиссен, Королев, Лутовинова

МПК: C09K 13/06

Метки: травления, химического, металлических, избирательного, многослойных, раствор, структур

...при обработке триметалла ковар-мед Поставленная цель достигается тем, что в качестве органических добавох предлагаемый раствор содержит метафенилендиамин солянокислый и динатриевую соль,хромотроповой кислоты при следующем соотношении компонентов, весЛ:Азотная кислота П р и м е р. Выводные рамки интегральных схем со структурой ковар-медь-ковар размером 28 х 24 х 0,25 мм травят одновременно с двух сторон в растворах, состав которых и полученные результаты, приведены ниже.560898 Компоненты 40 Азотная кислота Соляная кислота 0,5 1,5 0,3 Метафенилендиамин солянокислый 0,05 О,О 5 0,052 еО 2 е 5 0002 0003 Ое 002 Оэ 003 Ою 002 01003 400 400 400 внутренних выводов внешних выводов 400 400 400 Клин травления; мкм 20-25 20-25 26-25 Предложенный...

Устройство для моделирования нейронных структур

Загрузка...

Номер патента: 561199

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Дудкин, Гаузельман

МПК: G06G 7/60

Метки: моделирования, нейронных, структур

...нов 2 выходами подключены к тормозным входам интеграторов 3, а входами - к выходам интеграторов 4, входы которых соединены с выходами вставочных нейронов 7.Связи всех структурных элементов имеют определенные веса, устанавливаемые с помощью резисторов. С выходов фотодиодов моделей фоторецепторов 1 через усилители на входе интеграторов 3 основных нейронов подаются сигналы, отображающие распределение освещенности по координате Х. Сигналы, поступающие по каждому входу, интегрируются во времени интеграторами 3 основных нейронов согласно их пространственным весам. Суммарное напряжение на каждом интеграторе 3 зависит от освещенности, С выходов интеграторов 3 напряжение поступает на вход генератора 6, в качестве которого использован,...

Способ измерения глубины залегания структур кожи у животных

Загрузка...

Номер патента: 563627

Опубликовано: 30.06.1977

Автор: Баратов

МПК: G01N 33/00

Метки: структур, животных, кожи, залегания, глубины

...до основани структур.Фиксация и приготовление препащепринятые, Измерения производятмощи окулярмикрометра и миМБИ-З, при увеличении - ОкОбъектив,В таблице представлены результаты изме области гисто рения по известибам. и предлагаем по ия глубины залегаотных, заключаюии глубины залегамиса до основания Глубина залегания фолликуловживотнь по известному способу4902 1103,70 1301,88 1223,75 1284,38 1221,25 365,60 331,25 347,50 351,88 397,50 0 08 17 45 по ходу ней граного воКоэффициент вариасабу составляет 5,68%кая ошибка 31,02,2,53%, а по предлагаественно - 1,64%, 9,94;После бпометрическно, что по известномуна залегания фо1226,99 мк, а по пред,При этом, как следуеты измерения, получеспособу, более достав30 ному. ции по изве, средняя...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 563704

Опубликовано: 30.06.1977

Авторы: Михаель, Герфрид, Рихард, Хартвин

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

...аммония. Облученные области слоя окиси кремния исчезают при этом быстрее, чем необлученные, так что после указагНого времени травления в облученных ооластях хорошо просматриваюгся углубления от 10 до 15 нм (фиг. 2).11 а следуошем этапе (фиг. 3) травленые диски нагревают в течение 2 час в печи при температуре 850 С. При нагревании накопле- цый легирующий материал диффундирует в эпитаксиальный слой 2. Образуется зона 11 с проводимостью р-типа с концентрацией 3 10" атом)см на поверхности с глубиной проникновения 1,3 мкм в узких допусках. Затем диск в травленых углублениях вторично облучается ионами при дозе 1,3 10" ем ви энергии 200 КэВ. Ионы, проникающие в зону 11 с проводимостью р-типа, образуют область 15 с проводимостью р+ (фиг. 4),В...

Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Пухов, Марончук, Лисенкер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, излучающих, отбраковки, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Устройство для определения температуры полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: структур, полупроводниковых, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...