Патенты с меткой «структур»

Способ получения микроанизотропных структур

Загрузка...

Номер патента: 78063

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Андреевский, Буров, Добржанский

МПК: C04B 35/00

Метки: структур, микроанизотропных

...с использованием в качестве основы тонких стеклянных нитей, электреты с замороженным зарядом и т. п., получают путем изменения структуры веществ в мому перехода их из жидкого сост%ния в твердое.Особенностью настоящего изобретения является получение анизо тропных структур при переходе вещества из газообразного в другое агрегатное состояние. цы в процессе конденсации ориентируются по полю,Электрическое или магнитное полесоздается при помощи двух электродов или полюсов, расположениекоторых в обычной вакуумной установке определяет ориентацию элементарных частиц в получаемойструктуре.Использование этого способа может решить задачу получения анизотропных веществ, обладающих рядом новых технических свойств, которые не могли быть получены...

Устройство для искусственного воспроизведения на моделях типовых геологических структур сейсмических волновых процессов

Загрузка...

Номер патента: 97488

Опубликовано: 01.01.1954

Авторы: Бугров, Ивакин

МПК: G01V 1/00

Метки: типовых, искусственного, воспроизведения, волновых, моделях, структур, процессов, геологических, сейсмических

...и одновремен. но используемого для нанесения отметок масштаба времени (маркировка) кривых на экране осциллографа 4;.что осуществляется путем перестановки переключателя 7 в положение ц и ектрического узла Л устройства, служалтего длв развертки изображения на экране осциллографа и выполненного по типу ждущей развертки, управляемой импульсами генератора 6.Для того чтобы момент излучс ния пьезоизлучателя 2 отставал от начала развертки, импульсы генератора б подаются на узел устройства 9, задерживающий импульс по времени, а затем на узел 10 г где Происходит окончательное формирование импульса в виде пики, длительностью порядка 10 микросекунд. Далее импульсы подаются на пьезоизлучатель 2 и одновременно на узел 11, служащий для отметки...

Способ электрического качания луча с использованием дисперсионных структур

Загрузка...

Номер патента: 110610

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Ардабьевский, Бахрах, Дерюгин

МПК: H01Q 3/22

Метки: качания, луча, электрического, использованием, структур, дисперсионных

...циа)ры с"1 твя, чтоиенце ", ЗпаГительно,;Ол, .( 1 змелпения - ,;-); цри 10,Гля цз ене -ния 1) в цо-(ел,",х 0 .)- 1 и:обхоу(имо ,3;денеНе час гс г 111,2/а, а при 14- -на 0,3%.Следовзгел(О("я качан)1 лу 1.на угол от 0 до 18)" треоуетсяВесьма малое. изме.ение частоты. 1;) т;т В.зник.;ет В)црОс Об ОченьГс; " ) ( ОЦ т НОС "Ид) Г л и. рагорл, позволяоп;его мепят астоту;, тре )уом)му: :; (ону. О,"1 ако поппе Ост Б 0) делете НИЗ,(011 ста,)и.:вос Гц частоты гспс,)стор,.:и(ет быт псклгочена и, т( и иза:с пения ас гоы,чл опое лепного (Голо;кспгд луча и ка)(- ,ы,(.Ны : моа 1 ет 111)еме.1;1.Область применения НОЛобных ;нтепн: )азл;:чпые систе.,ы (.В, л Элект.)ичсское управ.: пие лиаграмапь является вибо се естест- В Е:: : Л И (.Д ПСВ ЕПО) И Е КЛ...

Установка для беспрерывного формирования развертывающихся шевронных структур из ленты гибкого материала неограниченной длины

Загрузка...

Номер патента: 128390

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Люсьен

МПК: B31F 1/28

Метки: беспрерывного, развертывающихся, ленты, гибкого, структур, неограниченной, длины, шевронных, формирования

...28, опирающегося на кулачок 25 и смонтированного на рычаге 29, соединенного в верхней части с двумя симметричными тягами 30 и 31 и соединенных с держателями 19 и 20 волок.Эксцентрик 27 действует на ролик 32, смонтированный в нижней части рычага 33, шарнирно закрепленного на кронштейне 34. В верхней части рычаг 33 соединен с шатунами 35 и 3 б, которые, в свою очередь, соединены с планками 13 и 14, несущими складывающие пластины (ножи) 11 и 12.Зксцентрик 26 через коленчатый рычаг 37 приводит в движение РамуТаким образом, установка, воспроизводящая вышеописанный цикл шевронирования, позволяет формировать непрерывно все шевронные структуры, состоящие из параллелограммов любых размеров (фиг. 1) при условии, чтобы их поверхности были...

Способ формирования развертывающихся шевронных структур из гибкого листового материала и устройство для осуществления способа

Загрузка...

Номер патента: 133745

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Люсьен

МПК: B31F 1/22

Метки: гибкого, формирования, листового, шевронных, структур, способа, развертывающихся

...открывающейся для выброса отформированного комплекта.Формирование развертывающихся шевронных структур на этом устройстве осуществляется следующим образом.В начале цикла передвижной пресс 11 с зажатым им рулонным материалом, подлежащим формированию, занимает положение 24 на конце стола 6 (на фиг. 4 изображено пунктиром). Захваченные прессом полосы 8 обрезаются ножом 12. Находящийся перед машиной с левой стороны по движению материа.ца рабочий схватывает, листы, одновременно деблокируя пресс 11, который под действием груза 14 отодви М 133745гается на противоположный конец стола 6 для захвата материала, а рабочий, сжимая захваченные листы вместе с маточными листами 2 в комплект, подает первую складку комплекта . между направляющими...

Оптический способ контроля шага периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 146814

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гипсман, Кацин, Чурсин

МПК: H05K 3/00, G01N 21/00, H05K 13/08 ...

Метки: периодических, оптический, шага, структур

...расстояния регулируются в требуемых пределах. При перемещении элементов структуры, шаг которой контролируется, например элементов 7 и 8, возможны различные варианты последовательности импульсов с фотоумножителей 1, 2 и 3. Если очередной измеряемый шаг выполнен в пределах нормы и равен минимально допустимому шагу, то порядок следования импульсов будет следующим: импульсы с фотоумножителей 2 и 1 следуют одновременно, а затем возникнет импульс на выходе фотоумножителя 3,Если очередной измеряемый шаг равен максимально допустимому, то первым действует импульс на выходе фотоумножителя 2, а импульсы на выходах фотоумножителей 1 и 3 возникнут позже и одновременно.14 б 814Если измеряемый шаг меньше минимально допустимого, то импульсы следуют...

Способ получения диодных матричных и полосовых структур

Загрузка...

Номер патента: 168329

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Савченко, Сидоренко

МПК: G11C 11/36

Метки: диодных, полосовых, структур, матричных

...ЯЬ в атмосфере водорода при температуре 850 С. После этого в полученной п-р-п-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствую щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 - 90 мм, 30 Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8 - 0,9 мм). Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока /=0,1 - 0,15 а/см 2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а...

Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур

Загрузка...

Номер патента: 168519

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сидоренко, Савченко

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: матричных, диодных, полосовых, структур, микроэлектронных

...в 10%-ном при плотности тока 1 = 0,2 - пор, пока р-гг-столбики гермаишь на перекрестиях, где имеаемый спо что слой снимают холостые алениПредлагных тем,германияровкой, ают полным уднии,Это позволяет уптовления диодных мизолирующие свойсшин матриц.Сущность способа соб отлича исходнойэлектрохимперекрестием германг ется от известг-р-п-пластины ической полия шин получая при травлеостить технологию изгоатриц (полос) и повысить ва холостых перекрестий О Таким образом, получается ная диодная матрица, предста две взаимно перпендикулярны раллельных шин, в утолщения положены диоды. икроэлектронляющая собойсистемы пакоторых расзаключается в следующем.Исходный матер подвергают двусто в атмосфере водор слоев полученной электрохимической кой...

Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 175142

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Русаков, Новиков

МПК: C25D 11/32, H01L 21/473

Метки: полупроводниковых, поверхности, структур, многослойных, анодного, оксидирования

...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...

Устройство для измерения дисперсии замедляющих структур

Загрузка...

Номер патента: 189042

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G01R 29/08

Метки: замедляющих, структур, дисперсии

...перемещения зондов вдоль замедляющей структуры.11 редлагаемое устройство отличается тем, что сигнал с выхода генератора подается на замедляющую структуру через параллельно включенные ферритовые фазовращатели, подмагничивающие обмотки которых соединены с генератором пилообразного напряжения, а два измерительных зонда укреплены неподвижно над замедляющей структурой один от другого на расстоянии, кратном периоду структуры измеряемой волны, причем их выходы через селсктивные усилители соединены с фазометром,Это позволяет ускорить процесс измерения и исключить подвижные механизмы.На чертеже изображено предлагаемое устройство,Сигнал с СВ 4 генератора 1 через разветвитель 2, ферритовые фазовраща и возбуждающие зонды 4 поступает едляющую...

Способ определения суммарной площади активных структур пористой поверхности

Загрузка...

Номер патента: 236023

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Щербаковский, Зубаков

МПК: G01B 11/30

Метки: активных, суммарной, пористой, поверхности, структур, площади

...большого сечения, который освсщдет :)ичцтсльную часть его поверности 5) мощностью Фь Фо Обозцдчд 10 т моц 1 ность Все:; лУ- ец, ПсЛс 101 ЦИ:ф Нд:ССТЯ, СООТВЕТСТ 13 МЮИ:1 ПО- рдм, оошдя плоцтадь которых на снимке 5; Ф;, - мощность лучей, падаюши ид соотвстствующ:с раоочсй поверхности места, общая площадь которых на снимке - 5.Т. ( Р с 00 с 5( ( и КТИ Бис 15 ) ИЛИИ 3.1 э ИОР ИСТИ И 013 ГРКИОСТИ ССТЬ ДОЛ 1 ССИ:013(Р.НОГТИ, 33 - 5 ИС 5 ГЦ(5 От КОЭфНИСИТс 001 ЦС 10 И;)ОП( 01(с 1- и 51 Бес 1 НОГ)кнОсти и коэфинст 05 ипо(.Кс 35 Т 11 Г, С( С 5(.Т;(ЫК 11 ТСС.Т(в Г(ГИСЧИТ( НЯ,ОСТЯТОЧНО ООГИнИК ИЛОЦЯ 35 К 5 О КСКИЧССГ 50,Гт(гС 1 О;(ИИЯ(ОБЬЛ И ЗН 351 СООтнйисис Ь и сс 1:.сслсгусл 01 Нл 01 ц 3,и (Л сСНТЯ (.Н 1 ЛКс), .Г КО 13111 с,1 ТЬ Рс...

Способ определения степени деформации надмолекулярных структур полимеров

Загрузка...

Номер патента: 239639

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Савкин, Свириденок, Белый, Отдел, Петроковец

МПК: G01N 21/21, G01L 1/24

Метки: степени, полимеров, структур, деформации, надмолекулярных

...в поли мерах,под дейсгвием внешних нагрузок. Способ можно использовать как экспресс-метод для оценки механических свойств покрытий. Способ оп надмолекуляр механическогоИзвестен способ определения степени деформации надмолекулярных структур полимеров путем одноосного,растяжения пленочного образца с .последующим визуальным миироскопическим определением в проходящем поляризованном свете, искомой величины.Для усовершенствования известного способа и,повышения точности определения предлагается полимерную пленку наносить на оптичесии прозрачную подложку, а затем производить механическое воздействие с помощью оптически прозрачного инденгора. Изменение структуры во времени фиксируется с,помощью фото- и киносъемки.На чертеже првведена схема...

Устройство для исследования превращений надмолекулярных структур полимеров

Загрузка...

Номер патента: 248326

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Тена, Белый, Всзсоюзна, Савкин, Свириденок

МПК: G01N 19/00

Метки: полимеров, превращений, исследования, структур, надмолекулярных

...тензометрического усвройства 5 и подвижной обоймы б, механизма нагружения образца, включающего плато 7, нагружающего устройства 8, оптически прозрачного индентора 9, выполненного в виде выходной линзы 10 апланатического конден. сора типа ПКмикроскопа МБИ, а также фотографической системы 11 микроскопа,Исследуемый образец 2 в виде тонкого полимерного слоя, нанесенного на прозрачное стекло, крепится на подвижной обойме 6 при помощи зажимного устройства 1. Подвижная обойма б свободно вращается на подшипниковой опоре, укрепленной на плато 7. Переме щение подвижной обоймы осуществляется припомощи привода 4 от электродвигателя 3. Набор шестеренок в .гитаре привода позволяет изменять в необходимых пределах ско рость перемещения обоймы. Усилие,...

Устройство для настройки однородных структур

Загрузка...

Номер патента: 251919

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Мишин

МПК: G06F 7/00

Метки: структур, однородных, настройки

...через цепочки из двух встречноВключенных диодов, средние точки которых соединены с выходами управляемых переключателей.Кроме того, предложенное устройство отличается тем, что для обеспечения возможности оперативной. настройки вычислительной среды, размеры которой значительно превосходят размеры устройства настройки, вертикальные и торизонтальные шины устройства настройки соединены с вертикальными и горизонтальными настроечными входами структурно-однородного устройства через схемы И, на остальные,входы которых поступают управляющие сигналы о выборе того или иного блока среды.На чертеже дана схема подключения устройства настройки к вычислительной среде через дополнительные логические цепи.Настройка всей вычислительной среды...

Способ получения мелкопластинчатых структур в углеродистой и малолегированной сталях

Загрузка...

Номер патента: 252380

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гриднев, Черненко, Институт, Никоненко, Золотухина, Мешков, Фурсенко

МПК: C21D 1/18, C21D 9/52

Метки: сталях, структур, малолегированной, мелкопластинчатых, углеродистой

...время пате вание не применяется для углеродисты лей с содержанием углерода менее О, также для малолегированных сталей с шенным содержанием марганца и хром По предложенному способу исходный материал в виде проволоки или ленты нагревают до температур выше точки Асз, например в печи, в расплавах солей или током, нагретую заготовку резко охлаждают в струе жидкости до температур не ниже точки начала мартенситпого превращения (200 - 500 С) и затем подвергают скоростному нагреву до температур 500 - 700 С (напрпмер, током) без изотерми. ческой выдержки и охлаждению в масле илп в воде.Быстрое охлаждение заготовки от температур аустенизации дает возможность предотвратить выделение избыточных фаз, а повторный нагрев переохлажденного аустенита...

Устройство для исследования нейронных структур

Загрузка...

Номер патента: 269632

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гладкий, Тугуз, Клименко, Билык

МПК: G06G 7/60

Метки: нейронных, структур, исследования

...Тираж 480Типография, пр. Сапунова, 2 равления вырабатываются синхронизирующие импульсы для управления работой других блоков.Блок индикации 5 позволяет судить о состоянии нейронов в сети. При возбуждении нейронов на пансли блока индикации загораются лампочки; при исследовании асинхронных нейронных структур в блоке индикации используются самописцы либо изменения в состоянии возбужденной структуры фиксируются на кинопленку.Блок б интегрирующих усилителей служит для фиксации с помощью самописцев сведений о возбуждении областей нейронов структуры или отдельных нейронов. Блок состоит из десяти однотипных решающих усилителей, работающих в апериодическом режиме.Предлагаемый стенд может работать в трех режимах:а) принудительном ручном;б)...

Способ изготовления многослойных тонкопленочных структур

Загрузка...

Номер патента: 280593

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Топоровский, Смоленска

МПК: H05K 3/10

Метки: тонкопленочных, многослойных, структур

...способы изготовления многослойных тонкопленочных структур, основанные на последовательном нанесении токопроводящих и диэлектрических слоев и обработке токопроводящих слоев после нанесения каждого диэлектрического слоя через его дефектные участки химическим реактивом, не взаимодействующим с материалом диэлектрического слоя, но растворяющим материал токопроводящего слоя.Однако при использовании подобных способов в процессе обработки реактивом изменяется площадь токопроводящих слоев, а следовательно и параметры структуры.Цель изобретения - сохранить постоянство параметров структуры в процессе обработки.Для этого в качестве реактивов используют химические реактивы, которые образуют на участках токопроводящего слоя,...

Фотоэлектронное устройство для исследования пористой структурь ячеистого бетона

Загрузка...

Номер патента: 300815

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Баранов, Курбала, Орлов, Лисов, Бахти, Полуэктова

МПК: G01N 21/47

Метки: пористой, исследования, структур, ячеистого, фотоэлектронное, бетона

...Выход единен со входом воль х значений,5 Устройство работает следующим образом.Участок поверхности исследуемого изделия из ячеистого бетона освещается встречными косыми пучками света с помощью осветителей 5, благодаря чему создается оптический 10 контраст между сечениями пор и перегородками. При этом сечения пор оказываются затемненными, а перегородки - освещенными.Свет, отраженный перегородками, попадает и об ьектив 8, который создает на катоде фо тоумножителя 7 действительное изображениеучастка поверхности изделия. При этом на нагрузочном сопротивлении фотоумножителя создается электрическое напряжение, пропорциональное световому потоку, достигаю щему фотокатода. С помощью оборотнойпризмы 4, находящейся на одной оптической оси с...

Способ изготовления плоскостных логопериодических антенных структур

Загрузка...

Номер патента: 316144

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Яковлев, Эпштейн

МПК: H01Q 11/10

Метки: антенных, плоскостных, логопериодических, структур

...изметалла и обретения - обеспечение экономии повышение жесткости конструкции Изобретение поясняется чертежом, где нафпг, 1 изображена заготовка из листового материала с нанесенной разметкой плоскостцой логопериодической антенной структуры, а ца 5 фиг. 2 - плоскостная логоперцодическая антенная структура.На заготовке из листового материала наносят внешний контур заготовки 1, осевую линию 2, до которои должны прорезаться зубцы, 10 и лшшц прорезкп зубцов у. Затем заготовкувырезают по внешнему контуру и рцхтуют ее.На полученной заготовке с одчой стороны от осевой линии отгибают траверсу для прцданц жесткости ц возможности крепления ца цей 15 высокочастотного фидера. С другой стороны о:осевой линии перпендикулярно к цей на плоской...

Способ обнаружения ангиклинальньх структур

Загрузка...

Номер патента: 317012

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Разработки, Мошинский

МПК: G01V 1/00

Метки: ангиклинальньх, обнаружения, структур

...или вообще не регистрировались. Таким образом, без дополнительных затрат может быть выявлено большое число антиклинальных структур.На чертеже представлена схема расположеета по дгпш приСССРшская наб 4,15 осква,нпография, пр, Сапунова гшя профилей с указанием характера прослеживания отраженных волн, где 1 - 4 сейсмические профили, 5 - ориентировочный контур сводовой части антиклицальцой структуры.В резульгате изучения энергетической харакгеристики отраженных волн вдоль профиля 1 выделяют участок, ца котором огра)кения значительно ослаблены или цс регистрируются вообще. Затем, в зависимости от формы и расположения предполагаемой ангнклицальной структуры, производят наблюдения цо однОм и;1 и трем конгрольным профилям 2, д, 4. Б...

Способ выявления надмолекулярных структур

Загрузка...

Номер патента: 324561

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Огрель, Кирюхин, Хардин

МПК: G01N 33/44, G01N 1/28, G01N 21/01 ...

Метки: структур, выявления, надмолекулярных

...структур достигаскратковременного воздействия паизбираемым растворителем при тевысокоэластического состояния сщей фиксацией выявленной структутелем. Это позволяет,предотвратитьние аморфной части образца и надмных структур.П р и м е р, Выявлениеструктур в полиуретановом э иовс олигодиэтилснгликольадипипатя с вели чшой молекулярного веса 1200.Образец помещают в диоксап при диметплформамид при температуре 20 - 25 С и выдерживают в этой среде в течение 3 - 5 лпн. Растворитсли вызывают сильное набухание нсупо рядоченной части эластомера и незначительное набухание самих структур.После этоо образец переносят в воду и иыдсрживают и ней в течение 5 лин, а зятем извлекают и сушат ири температуре 20 - 25 С. В результате обработки осадителсм...

Устройство для осуществления контакта с выводами полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 355698

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лившиц, Библ, Булахов

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, выводами, контакта, полупроводниковых

...катушка 2 электромагнита. Сквозь отверстие в основании проходит якорь 3 электромагнита. Якорь опускается в нижнее положение пружиной 4.На передней части основания 1 закреплен пружинный шарнир, состоящий из трех плоских пружин, Одна пружина 5 расположена горизонтально, а довс другие б симметрично по обе ее стороны, в плоскости, перпендикулярной плоскости пружины 5. К концам пружин 5 и б при помощи винтов прикреплен под. вижный элемент 7 из диэлектрика, на одном конце которого винтом 8 и гайкой 9 крепится контактная игла 10. Для исключения изгиба иглы при контактировании с выводом полу. проводниковой пластины игла изогнута упором 11, установленным на подвижном элементе 7 и воздействующим на иглу в точке, мак355698 фиг. 7 фиг Р сймально...

Устройство для получения структур типа шеврона

Загрузка...

Номер патента: 356172

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Конструкторский, Иванченко, Запотылько, Деревообрабатывающей, Узов

МПК: D21H 1/08, B31F 1/20

Метки: шеврона, структур, типа

...окно, по периметру которого жестко укреплены стенки 8, кроме одной продольной стороны.На оси б в средней части укреплена (жестко) стенка 9 с торцовым уплотнением, которая проходит сквозь окно в валу 1. 11 о длине оси б, между стенками 8, выполнено несколько отверстий 10. На противоположных концах рычагов 6 установлен на подшипниках ролик 11 Устроиство работает следующим образам, На фиг, 1 показан пример склейки двух листов, например бумаги. Один из листов 12, перемещаясь, покрывается клеем изнутри клеенаносящим вальцом 13, и далее подается совместно с ненамазанным листом 14 в ориентирующие ролики 1 б. Листы огибают барабан с перфорацией 4, ролик 11, натяжные валики 16 и попадают в формирующие устройства 17,Оптимальный режим...

Устройство для исследования превращений надмолекулярных структур полимеров

Загрузка...

Номер патента: 384058

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01B 11/16

Метки: исследования, полимеров, превращений, надмолекулярных, структур

...устройство, общий вид.Устройство для исследования превращений надмолекулярных структур полимеров состоит из механизма крепления и перемещения образца, включающего оптически прозрачную подложку 1 для крепления ооразца 2, пружинный шарнир 3, тецзометрическое устройство 4 и электропривод 5 механизма нагружения,состоящего из,рычажной системы б, пружинной направляющей 7 и обоймы 8, в которой установлены непрозрачный индентор 9 и короткофокусная линза 10 оптимической системы, включающей осветитель 11, объектив 12 и конденсатор 13.Устройство плботает. Исследуемьш образец закрепляют на подложке и перемецают в горизонтальной плоскости на пружиннолт шартире относительно непрозрачного ицдентора, который установлен на плосковыпуклой линзе...

Фотоимпульсный способ контроля геометрии периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 382939

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01J 3/36

Метки: периодических, геометрии, структур, фотоимпульсный

...в этом случае сние его выходного тока.В длительности полос получаемого ступенчатого электрического сигнала заложена полная информация о геометрии структуры.На фиг. 1 иллюстрируется принцип получения ступенчатого электрического сигнала при контроле цветных полосчатых структур, где / - опектральная характеристика фотоэлектрического,приемника; П - ксан про.тируемая структура; П/ - ступенчатый электрический сигнал фотоэлектрического приемника, тде ширина ступеней (т) пропорциональна ширине цветных полос (К - краеная полоса, 3 - зеленая, С - синяя).На фиг. 2 изображена блок-схема устройства автоматического контроля геометрии экрана цвегного кинескопа со сплошным люминофорным покрытием, реализующего цредлатаемый...

Вычислительное устройство для минимизации структур логических схем

Загрузка...

Номер патента: 428387

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Ткаченко, Барбаш, Обретен, Безбоков, Тимонькин

МПК: G06F 7/38, G06F 7/06

Метки: вычислительное, схем, логических, структур, минимизации

...минлмизаццц структур логических схем.Для решения задачи определения полной совокупности простых импликант на наборном поле 5 через ввод задаются все запрещенные числа логической функции, описывающей структуру минцм 11 зируемэй логиче койсхемы. В логический блэк 3 через ввод зада 5 ется одно из рабочих чисел, характеризующихлогическую функцию.При решении задачи определения про"т химплицент логической функции на наборномполе 5 задаются все раоочие числа мцню 11 о зируемой логической функции, а в лэгцче"к .йблок 3 вводится одно из запрещеняых чисел.На счетчик 7 блока управления 1 последовательно поступают импульсы через зв"д.Выходы счетчика 7 подключены ко входам5 дешифратора 2 и логического блэка 3, В соответствии с сигнала 11,...

Устройство для проверки к восстановления транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: 434341

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Горохов, Хррошков, Изобретеии, Выгловский

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26, G01R 31/28 ...

Метки: проверки, структур, восстановления, транзисторных

...точ теля, а один из полюсов этого соединен с источником напрян прямитель.На чертеже схематично из лагаемое устройство,Оно включает в себя характериограф 1,группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, тслефонныш ролпковып ключбез фиксации ролика и контактный О стол 8.Устройство работает следующим образом.Пластину 9, имеющую многоэмпттерныеструктуры, состоящие из гг параллельно соединенных менгду сооои ячеек, каждая из кото рых содержит р - гг-переход и последовательновключенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп 1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, ч;обы зонд 2 располагался на базовой контактной плогцадке, а зонды 3 и 4 - 30 на эмиттсрных.434341 тавнтель 3. ЧелноковаТекред Н. Куклина едактор рлова...

Устройство тестового контроля релейных структур

Загрузка...

Номер патента: 439932

Опубликовано: 15.08.1974

Автор: Чистяков

МПК: H04L 1/10

Метки: структур, релейных, тестового

...операции.Через кольцевую схему 6 и шифратор 5сигнал подается на счетные входы триггеров1, который формирует на его выходе набор25 теста в двоичном коде,Переменные составляют элементарную цепочку структуры, контролирующуюся наборомтеста.Через линию задержки 13 сигнал поступаетЗО на управляющий вход ключевой схемы 2, по439932 Предмет изобретения Составитель В. Жуковедактор Т. Морозова Техред Т. Миронова Корректор А. Дзесов Заказ 3718/13ЦНИИП Изд. Ле 1897 Государственного по делам изо Москва, Ж, Тираж 67комитета Совета Миниретений и открытийРаугпская наб., д, 4/5 Подписноеов СССР ипографпя, пр. Сапунов следняя открываегся и выдает двоичный кодс выходов триггеров 1 на вход контролируемой структуры 3. По сигналу с единичного...

Экстраполятор приращений для однородных цифровых интегрирующих структур оцис с плавающей запятой

Загрузка...

Номер патента: 443397

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Виневская, Недостоева, Станишевский

МПК: G06J 1/02

Метки: плавающей, экстраполятор, структур, приращений, оцис, цифровых, запятой, интегрирующих, однородных

...работы данного экстраполятораприращенийгде:30 2(1 з) -2(1, 1) +А 1 + 7(3) где:1 - номер шага экстраполяции;Ггф;, - экстраполированное,на один шагвперед значение приращения;Чг 1;+и, 72 г;+и и 7 г;+, - разности приращений первого, второго и третьего порядков,На каждом шаге вычислений хранятся первая и вторая разности 7 г; и 7 гпричем хранятся лишь мантиссы 7 т; и 7 т;. На (1+1)-ом шаге вычисляются вторая и третья разности по формулам (2), (3), (4) и запоминаются мантиссы от 1.ц и т;+1 для следующего шага,На управляющих входах схемы сдвига существует потенциал сдвига мантисс ф+1 или Я 1;.ц, полученный в предыдущем шаге. В данном экстраполяторе передача и учет приращений порядков производится с запаздыванием на один шаг. В результате...

Способ поиска конседиментационных структур

Загрузка...

Номер патента: 443965

Опубликовано: 25.09.1974

Автор: Навроцкий

МПК: G01V 9/00, E21B 47/00

Метки: поиска, структур, конседиментационных

...вещества элементы или комплекс элементов в различных типах пород путем сопоставления их пространственных распределений (корреляционным анализом) с пространственными распределениями одноименных элементов в песчано-алевритовых породах.По элементам, пространственное распределение которых подчинено закону механической дифференциации вещества, выделяют на картах или профилях для каждого типа пород одинакового геологического возраста зоны низких и высоких средних содержаний,Зоны низких средних содержаний выбран- ного комплекса элементов отождествляют с положительными для данного геологического времени конседиментационными структурами (поднятиями), а зоны высоких средних содержаний - с отрицательными конседиментационными структурами...