Патенты с меткой «скола»

Стенд для исследования параметров скола материала

Загрузка...

Номер патента: 872666

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Баладинский, Марич, Белозеров, Гарницкий, Костенюк

МПК: E02F 5/30

Метки: исследования, стенд, параметров, скола

...1 при помощи шарнирных опор Зустановленных каждая в коротких прорезях, и шарнирных опор 4, установленных в более длинной прорези, закреплены соответственно раскосы 5 и стойки 6. Каждый раскос 5 взаимосвязансоответственно со смежной ему стойкой 6 посредством оси 7. К стойкам 6 при помощи выдвижных стержней со скользящими опорами 8 параллельно прикреплены направляющие 9, по которым свободно перемещаются ударные грузы 10. На направляющих неподвижно закреплены верхние 11 и нижние 12 ограничительные шайбы, а также клиновидные рабочие инструменты 13,. Для уменьшения трения грузов при скольжении по направляющим 9, грузы снабжены подшипниковыми опорами 14.Стенд работает .следующим образом.При раздвижении в стороны шарнирных опор 3...

Стенд для исследования параметров скола материала

Загрузка...

Номер патента: 1154418

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Човнюк, Марич, Белозеров

МПК: E02F 5/30

Метки: стенд, скола, исследования, параметров

...опорной площадки рычага и подвижного груза, а стенд снабжен педалью, которая кинематически связана с рычагами.На фиг. 1 изображен стенд, вид сбоку; на фиг. 2 - узлы крепления педали к столу.Стенд состоит из стендового стола 1, в плоскости которого устроены три сквозные прямолинейные прорези 2, из которых две выполнены короче по длине, чем третья, параллельно ей и выдвинуты относительно ее концов. К столу 1 при помощи шарнирных опор 3, установленных каждая в коротких прорезях, и шарнирных опор 4, установленных в более длинной прорези, закреплены соответственно раскосы 5 и стойки 6. Каждый раскос 5 взаимосвязан соответственно со смежной ему стойкой 6 посредством оси 7. 2К стойкам 6 при помощи выдвижных стержней со скользящими опорами...

Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1701562

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Дашанимаев, Желаев, Асалханов

МПК: B28D 5/04

Метки: полупроводниковых, монокристаллов, скола, вакуумного

...устанавливать нужное расстояние поверх т)сти образца от плоскости фланца 11,Предлагаемое ус гройсггво обеспечи Вэенадежный раскол кристаллов с боль 1 ВОЙ ЭНЕРРИай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЭЛПИЧаскпми Изобьете)Ра Отн"; л: к устройствамдлЯ обработки ГОл" и ООВОД.ТкОВЬх мдтеоиалов и)лака бьп ь .спо;эо;но при подготовке О ээ ОВ то. 1 ОпВОЯ "лковых мОнОкриста)ЯО 1) с это арно-Тс-ой.товерхностью, 51.РальО иэобРетениЯ ЯвляетсЯ поВышениа наде:кности работы усройства,На черте 1 е предстэвпен обший видпредлагаемого устройства,Устройство для ва.:уум-.ого скола полупроводниковых м,нокриатэплов содержитразмешенн,й В Вакуумной камере корпус 1,в котором устэновла) даэжэтепь кристалла2, выпо)1 а 1 Ныь, В виде цэ гоНого па грона 3,закрепленного,э стар.1 а 4,...