Патенты с меткой «полупроводниковые»

Полупроводниковые нелинейные конденсаторы

Загрузка...

Номер патента: 110441

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Вул

МПК: H01L 21/479

Метки: нелинейные, конденсаторы, полупроводниковые

...частности, из титаната бария. Керамические конденсаторы должны выполняться достаточно тонкими, что представляет значительные технологические трудности. Даже при толщине керамических пластинок в 0,1,и,и к обкладкам конденсатора приходится подводить достаточно большие напряжения для заметного изменения емкости, обусловленной изменением диэлектрической проницаемости под воздействием электрического поля.Согласно изобретению, предлагается использовать в качестве нелинейных конденсаторов электронно-дырочцые переходы (рп-переходы) между электронной и дырочцой частями полупроводника, которые имеются в производимых промышленностью полупроводниковых диодах ц триодах, Емкость указанных переходов в отличие от керамических конденсаторов в большой...

Полимерные хлорсодержащие медьфталоцианины, проявляющие полупроводниковые свойства и способ их получения

Загрузка...

Номер патента: 516725

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Бородкин, Майзлиш, Шорин, Альянов

МПК: C09B 47/10

Метки: свойства, медьфталоцианины, полупроводниковые, проявляющие, хлорсодержащие, полимерные

...1,Целью изобр Полимерные хлорсодержвщие медьфтвлс- цивнины общей формулы, указанной выше, получают нагреванием гексвдеквХлормедь. -о фтвлоцивнинв при 380 - 420 С в вакууме( юдк 109ход 2,84 г 98%),КОМОЛЕКУЛЯРНЫЕ СОЕПИНЕ с 6 4 т 6 99 ) СОствзитеж Б. КРедактор Л, Ушакова Гзхред Н. БабуркЗаказ 931/157 Тирвж 830 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета 91 инипо делам изобретений и открытий113035, Иосква 9 ЖРаушская наб.д, 4/5Филиал Г 1 ПП "Патептф 9 г. Ужгород, ул. Г 1 роектная, 4 омароваа Корректор Л. Беселов стров СССР 3ору до 300 С. Иэ реакционной массы отгонюот органические примеси в течение 1 час,оЗатем температуру повышают до 400 Си в этих условиях выдерживают 3 час.По окончании выдержки ячейку охлаждают,Продукт вь 9...

Устройство для записи информации в полупроводниковые блоки памяти

Загрузка...

Номер патента: 765872

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Акинфиев, Наджарян, Миронцев, Ушаков

МПК: G11C 7/00, G06F 12/00, G11C 17/00 ...

Метки: полупроводниковые, блоки, информации, записи, памяти

...на кнопку Пуск в блок управления 5 запускают устройство, которое считывает информацию иэ программируемой микросхемы через амплитудный дискриминатор 8, сравнивает ее с информацией информационного регистра 2 в блоке сравнения 5, который вырабатывает сигнал разрешения записи единицы в микросхему в случае наличия единицы в информационном регистре 2 н отсутствия ее в программируемой микросхеме. В ответ на этот сигнал блок управления 6 включает формирователи 7 токов программирования, которые вырабатывают серию управляющих сигналов и токов программирования в соответствии с техническими требованиями на данный тип микросхемы. Амплитудный дискриминатор 8 контролирует проведенную запись, и в случае ее успешного окончания в блоке индикации 4...

Программатор для записи информа-ции b полупроводниковые элементыпамяти

Загрузка...

Номер патента: 809355

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Зауменный, Муренко, Макаров, Щетинин, Арчаков, Широков

МПК: G11C 16/06

Метки: записи, программатор, полупроводниковые, элементыпамяти, информа-ции

...25 и делитель26 частоты начинают поступать импульсы от генератора 22 тактовых импульсов с частотой, сниженной в К раз,где К - коэффициент деления делителя 26 частоты. С каждым импУльсом число,содержащееся в реверсивном счетчике 23, уменьшается на 1, пока реверсивный счетчик 23 не очистится и егосодержимое не станет равным "0". В этот момент логические уровни на выходах дешифратора 28.изменяются на противоположные, в результате чего третий элемент И 25 запирается, а навторой выходной шине 13 появляется сигнал Пуск, поступающий в блок 6 контроля и управления. По этому сигналу блок 6 контроля и управления вырабатывает все сигналы, необходимые для обеспечения режима программирования элемента памяти и поступающиена разъем 4, в том числе...

Устройство для записи инфор1ации в полупроводниковые блоки постоянной памяти1изобретение относится к вычислительной технике и может использоваться при записи (программировании) информации в полу-. проводниковые

Загрузка...

Номер патента: 826416

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Миронцев, Акинфиев, Ушаков

МПК: G11C 29/00, G11C 7/00

Метки: записи, проводниковые, программировании, вычислительной, относится, использоваться, информации, может, инфор1ации, постоянной, полу, блоки, технике, памяти1изобретение, полупроводниковые

...12 и на входы задания информации амплитудного дискриминатора 19, где срав нивается с информацией микросхемы ППЗУ,хранящейся в ней по данному адресу.С выхода амплитудного дискриминатора19 информация через мультиплексор 10 поступает на информационные входы мультиплексора 13. Мультиплексоры 12 и 13, управляемые регистром 11, выдают псючередно информацию соответствующих разрядов мультиплексоров 9 и 10 на входы блока сравнения 14. Если амплитудные значения сигналов с выходов проверяемой микросхе 2 ф мы ППЗУ отличаются от значений предусмотренных ТУ на незапрограммированную микросхему; то блок сравнения 14 выдает управляющий сигнал в блок синхронизации 3, по которому управляемый генератор 15 останавливается и индицируется адрес, информация...

Программатор для записи информации в полупроводниковые элементы памяти

Загрузка...

Номер патента: 1280449

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Вагнер, Борухов

МПК: G11C 7/00, G11C 16/10, G11C 16/06 ...

Метки: программатор, полупроводниковые, элементы, информации, памяти, записи

..."Пуск" соответствует началу прожигания перемычки выбранногополупроводникового элемента памяти,т.е. этот сигнал определяет моментначала программирования. 35 Под действием этого сигнала фор.мирователь 30 формирует на выходе 33 импульс, длительность которого ,равна ов и определена для конкретного типа матриц ПЗУ, причем эта длительность должна немного превышать максимально необходимое время прожигания бездефектных элементов памяти о, т.е.ь,40 45 Одновременно с этим по сигналу "Пуск" блок 6 формирует сигнал, обеспечивающий режим программирования элемента памяти и поступающий на разъем 4. Сигнал "Пуск" по шине 13 через открытый элемент И 44 поступает на формирователи импульсов 41 и 46. Формирователь 41 вырабатывает сигнал считывания...

Устройство для записи информации в полупроводниковые блоки постоянной памяти

Загрузка...

Номер патента: 1444882

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Изюмов, Росницкий, Николаев, Чабров, Лямина

МПК: G11C 7/00, G11C 29/00

Метки: записи, постоянной, блоки, полупроводниковые, информации, памяти

...питания, т.е, в девяти режимах динамического контроля;Код счетчика Режим контроля Контроль при минималь" ном значении питающего напряжения и минимальном времени выборки ин Формации Контроль при минимальном значении питающего,напряжения и номинальном времени выборки информации Контроль при минимальном значении питающего напряжения и максималь ном времени выборки ин" Формации Контроль при номиналь" ном значении питающего напряжения и минимальном времени выбрки ин- Формацииз ,144 Контроль при номинальном значении питающего напряжения и номинальном времени выборки ин- формации О 00 О 01 0110 0111 1000 Устройство для записи информации 40 в полупроводниковые блоки постояннойпамяти по авт.св. 9 826416, о т л и"ч а ю щ е е с я тем, что, с...

Способ диффузии в кремниевые полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

Номер патента: 1400387

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Нарышкин, Кузнецов

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевые, полупроводниковые, приборы, микросхемы, интегральные, диффузии

СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.

Способ имплантации ионов в полупроводниковые материалы

Номер патента: 1218855

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Егорушкин, Рмнев, Веригин, Крючков, Логачев, Печенкин, Погребняк

МПК: H01L 21/265

Метки: материалы, имплантации, ионов, полупроводниковые

СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, включающий облучение ионами легируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности способа, облучение проводят импульсным сильноточным пучком ионов с плотностью энергии (0,9 - 1,5) 103 Дж/см3 и дозой (5 1012 - 5 1014) частиц/см2 за импульс.

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Зайцев, Рюмшин, Пинчук

МПК: H01L 21/28

Метки: раствор, осаждения, покрытия, контактного, кремниевые, никелевого, полупроводниковые, химического, структуры

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...