Патенты с меткой «полупроводников»

Способ высокочастотного нагрева проводящих тел, полупроводников и диэлектриков

Загрузка...

Номер патента: 85196

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Фогель, Вологдин

МПК: H05B 6/00, H05B 6/46

Метки: нагрева, проводящих, тел, диэлектриков, высокочастотного, полупроводников

...применяют следующие средства:а) установка за нагреваемым изделием металлических или иных проводящих отражателеи;б) пропптка нагреваемой 30 ны изделия веществами, уменьша 10- щими глубину проникновения электромагнитной энергии до величины одного порядка с толщиной нагреваемой зоны;в) в случае нагрева при сушке склеенных предметов, введение в клей веществ, уменьшающих глубину проникновения электромагнитной энергии до величины, одного порядка с толщиной нагреваемой зоны, или нанесение металлической краски на оборотную сторону склеенного изделия,Для повышения к. п,д, электромагнитного излучения при нагреве металлических изделий на нх поверхность наносят покрытия в виде полупроводников со стороны нагрева и толщину этого покрытия подбирают...

Станок для шлифования и доводки плоских заготовок, например, пластин из полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 115045

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Акментыньш, Готман, Рибовский, Эпштейн

МПК: B24B 37/04, B24B 51/00

Метки: плоских, доводки, шлифования, пластин, например, станок, полупроводников, заготовок

...ЦЛПВО 2 ИЮ . .ЙРЙ 1л(е."ьна рабочей говсрхност Ияцего плиеова;и 1 КЙИндуктпвность кагкд(цо дат 5 к,6 Входит в ко,ебагс,пп)гтур Гене)атсра 11 (Ниг, ).,Бст)т(1 трг)х Гесраторсв 1:о дсз сравц- Вак) сн В тех фазоспавц)те 15 К 2 пи Вы Оде Оторх в, 10 с, риТОЛ 5 ПИ-СГ 2 Н 5 ЬХ )Е Д 10) ПО;11 )а. О-,ЙГЧ;,ц.: С 1,)тЕ (дсст:1 гастс 5 доц 0,1 нитсл" пый с;виг (р 3 на , т 2 К. и"Йс с"ли Оос срае.нивасъ 1 е частсть. ОД;н(ц:.Овь и гзи;,По слвин.,ть ;о (,ЙЗРЙ 120)елеО нахОаятся в псйтг 2;Ьнс, НОЙОН(ени. 1.1) н изз 1 снснии ЙЗЬОДНСР ИЗ ЙСТОТ ДОНО.ИТЕ Ьпо ДО.:( РЕЛС ЗЙЦЫ(ЙЮТ ЕОГГЙКТЫ В ОД 11 у ".и друГу:О стопоцу. ь,ак нструтнО посслсдит 5 Г. ) лОООР рЙСсОГлассвпн)1 с 23 .(," .," Частот Гс:сраторов приведРт В (с твис ссОТВСТСТЗУ 01(ИЕ ) ПРЙВЛН 1 ОЩ)С...

Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 146882

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Субашиев, Дубровский, Петрусевич

МПК: G01N 21/25

Метки: постоянных, рекомбинационных, полупроводников

...т, е. Отношения фотогроводихОст 1 .-. к, чггслу квантов. надаОших на еди 11 ц повер хиос 11 11, прозодн 11 кового зг 1 тернала вЬ-.1 свк Уот величины, ооратной коэффицчгчту погасНенг) Кл/г, рй - 77, Ь,Л - к - по осям координа ОПРР ЛЕЛЯЮт ЛгнффУЗИОНдля толстых образцов ну".о длину 1, из формулы: 1,=77 7 77 г г"иили У. : , - -, -- для тонких образцов, где 67 777,; 77, и 77 р77,Ь, Ь,Ъ,- гЬоорре.ки, о зг каемыр прямой - - 7 1 - .-1 по Осям координат. а И -р,й, т,К еолшина образцаС цель 7 о определения рекомбинационных постоянных вентильных т 7 отоэ,р 7 ементов, плоскость р-л перехода которых параллельна освешаеМой ПОБЕРХНОСТН, ИЗМЕРЯ)ОТ С 77 ЕКТРаЛЪНОЕ РаСПРЕДЕЛЕНИЕ фототг;ьа КО; откого замыкания для двух значений 5,...

Способ получения монокристаллов металлов и полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 166841

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Александров, Йсессю

МПК: C30B 1/08

Метки: металлов, полупроводников, монокристаллов

...при со температуры и давлен зия таким условиям = 22 000 кг/см 2 и 1 = 19 р = 40 000 кгсл 2, г = 2 здании определеннои я, Например, для цесоответствуют р = 7 С, для рубидия - 0 С мого способа является о производят при давсоответствующих эквой плавления или криорф ного превращения вещества. При этих усия или полиморфное ят без изменения объеазование врожденных дме обретен Способ получени лов и полунровод сталлизацией расп цией в твердой фаз с целью получения сталлов, кристалли ленин и температ ремальной точке к тической точке по перекристаллизуем и ла е, лым числом дислокапособу могут быть пороцессе зонной переодписная гргггпа16 Известен сметаллов и пдислокацийрасплава илфазе.Отличием описываето, что кристаллизацилении и...

И. в. зорин; jспециальное конструкторское бюро института полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 166933

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: F25B 21/02, F25D 11/00

Метки: зорин, бюро, конструкторское, института, jспециальное, полупроводников

...экономичности, распылитель выполнен в виде вращающегося диска с конической рабочей 15 поверхностью и нижним срезом, несущим вертикальный центробежный насос, подающий охлаждающую жидкость к верхнему срезу диска, на валу которого расположен вентилятор лля подачи воздуха в зону распыления. Подписная группаб 4 Известны термоэлектрические холодильники с циркуляционным охлаждением горячих спаев, содержащие корпус со сборником охлаждающей жидкости и распылителем, выполненным в виде форсунки. Однако такие холодильники ненадежны из-за частых засорений рабочих отверстий форсунок.Предлагаемый холодильник более экономичен, эффективен и надежен в работе при наличии даже значительных (случайных) загрязнений охлаждающей жидкости.На чертеже показан...

Прибор для введения дислокации в образцы полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 175568

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Эртелис

МПК: H01L 21/64, G01N 19/00

Метки: дислокации, образцы, прибор, введения, полупроводников

...плавное изменение плотности дислокации по длине образца. лощи г еваатино- бходиобъе- уумноввода е про- чибро- полуо вин- ерхней е изображена схема прибора.азца 1 зажимаются в держатефита, молибдена или другого доплавкового и механически прочла. Держатели образца служат 2 для передачи деформирующей качестве токопроводящих элекопираются на призмы 3, соедикрометрическим винтом 4, плат- нагрузок 5 и часовым индикато нимитя дписная группа97 На чертежКонцы обрлях 2 из грастаточно тугного материаодновременнонагрузки и втродов, Опенные сформой дром б,Ток к держателям подводится при п гибких металлических лент 7, не созд заметных дополнительных нагрузок. На ние образца контролируется платино-пл родиевой термопарой 8. В случае нео мости термопару...

Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 186538

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Лискер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, термоэлектрической, эффективности

...Способ определения т эффективности полупрово иийся тем, что, с целью уп измерения, измеряют тепл разца, подвергнутого возд 20 потока при нулевом токе и мыкании образца, причем электрической эффективно ности полученных значени ти, отнесенной к величине 25 измеренной при нулевом тоИзвестные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, Х и о либо по методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине...

Травитель для обработки поверхности полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 232003

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Бриллиантов, Наслузов

МПК: C09K 13/06

Метки: поверхности, травитель, полупроводников

...РОВОДН И КО В РАВИЕЛ травления составляет 3,5 - 4,5 лг/слг- агин этом получают ровную зеркально-полир ную повер.хность при ян. авитель отличается от из целью улучшения качесторости травления, в расти плавиковую кислоты при ении компонентов (в объ 10 Травитель для обраоотки поверхности,проводников, например антимонида индиоснове винной кислоты и перекиси водоотгичаюгггпг 1 ся тем, что, с целью увелискорости и улучшения качества травлв раствор вводят азотную и плавиковуюлоты, при следующем соотношении комптов (в ооъезгах) .винная кислота (26 - 27% )перекись водорода (30%)азотная кислота (65% )плавиковая кислота (40% ) полуя, ня рода, чения ения,кпс- онента (26 - 27%)рода (30%)та (65%)ислота (40%) винная кисло перекись водоазотная...

Способ изготовления зондовых головок для измерения удельного сопротивления полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 284960

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дудко, Цопкало, Фомина

МПК: G01R 27/00

Метки: сопротивления, полупроводников, головок, удельного, зондовых

...сопротивление полупроводников четырехзондовым методом.При изготовлении зондовых головок известным способом в основании проделывают небольшие (10 - 30 лк) отверстия, в которые протягивают зондовые проволоки. Расстояния между отверстиями должны быть достаточно малы (до бО,як) и строго одинаковы. Сущесгвующим способом это трудно обеспечить, что отражается па качестве зондовых головок.Предлагасмьш способ отличается тем, что перед фиксацпей проьолак их располагают веерообразцо, натягивают, а затем подводят основание, перемещая его вдоль проволок до требуемого расстояния между последними, а фиксацию зондовых,проволок осуществляют путем нанесения клеящего состава на осноние с образованием каналов для размещения в них с возможностью продольного...

Способ измерения объемного времени жизни носителей тока в слоях полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 326526

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гуро, Амринов, Ковтонюк

МПК: H01L 21/66

Метки: объемного, жизни, полупроводников, носителей, времени, слоях

...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...

Травитель для полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 385353

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Смирнов, Паршина

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводников, травитель

...также газооб травления идет с образ стого кремния и углеро 11 али гие углеродной фазы на поверхности травящегося крлсталла увеличивает время травления, затрудцяет процесс травления, требует проведения дополнительных операций по удалению слоя углерода с поверхности. При наличии углеродцой фазы на поверхности невозможно точно контролировать процесс травления, что, в свою очередь, не позволяет снимать тонкие диффузионные слоя.Цель изобретения - обеспечение селективного травления и точного контроля процесса, возможности применения травителя ца различных стадиях изготовления приборов, а также сокращение технологических операций при травлении с улучшением качества обрабатываемой поверхности.Поставленная цель достигается тем, что в...

Способ определения параметров полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 405057

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Петров, Белов, Фигуровский

МПК: G01N 21/31

Метки: параметров, полупроводников

...интенсивность источников излучения значительно выше, а,процедура эксперимента намного проще; два излома, по которым можно определить ширину запрещенной зоны и состав, соответствуют в рассматриваемых полупроводниках типа СЙНр- Те, РЬЬп-.Те и подобных им энергиям, приблизительно равным двойной и тройной ширине запрещенной зоны,Благодаря повышению чувствительности критических точек к составу и перемещению области измерений в спектральный диапазон, где интенсивность излучения выше, а дисперсия оптической аппаратуры, ниже, точность определения ширины запрещенной зоны и состава образца прп условии постоянства чувствительности усилительной схемы повышается примерно в 10 раз по сравнению с методом определения ширины запретценной зоны и состава...

Способ ионпого легирования полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 420015

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Баранова, Павлов, Пашков, Зорин

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводников, ионпого, легирования

...может иметь место заметная ускоренная диффузия импланпируемой примеси, которая трудно, поддается учету и может оказаться нежелательной в технологии производства полупроводниковых приборов, а снижение плотности гока приводит к чрезмерному увеличению времеви формирования примесцых слоев с данной концентрацией, что технологически также це всегда целесообразно.увеличение электрической активности примеси, введенной в полупроводник конной имплантацией, обеспечивается за счет того, что при точечном леппровавии полупроводников, например кремция, при комнатной температуре для увеличения электрической активности внедренной примеси, например бора, логируемый полупроводник предварительно подвергают упругому деформировацию.Упругие деформации...

Устройство для бесконтактного определения параметров полупроводников и полуметаллов

Загрузка...

Номер патента: 425140

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Ордена, Толутис, Пожела

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: полупроводников, бесконтактного, полуметаллов, параметров

...+ (фмин(фмакс) тактная колодка 2 б, штеккерная часть 27, контактный разъем 28, коаксиальные кабели 29 и 30.При работе с устройством включается электромагнит, между полюсами которого возбуждается постоянное магнитное поле В. От генератора 1 электрический сигнал высокой частоты через коаксиальные кабели подается в катушку возбуждения 9, Возникающее внутри катушки 9 переменное магнитное поле В в присутствии постоянного магнитного поля В возбуждает в образце магниточлазменные волны круговой поляризации ,волновой вектор К//В). Магнитные составляющие магнитоплазменных волн возбуждают в индикационной катушке 7 э.д.с. высокой частоты, которая подается через коаксиальные кабели 30 в детектирующий блок 3, Относительная величина э.д.с....

Способ определения коэффициента теплопроводности примесных полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 432374

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Московский, Зуев, Кирюхин, Быковский, Чуфаров

МПК: G01N 25/20

Метки: примесных, теплопроводности, коэффициента, полупроводников

...измерения коэффициента теплопроводности примесных полупроводников в соответствую щем интервале температур и повышения точности измерения прямоугольную полупроводниковую пластину помещают на хладопровод, температура которого поддерживается постоянной. Прикладывают электрическое поле, па раллельное той плоскости пластины, которая находится на хладопроводе. Снимают вольтамперную характеристику образца с участком насыщения по току. Из начального участка вольт-амперной характеристики с учетом 30 электрического тока происый нагрев полупроводнико/ а,Составитель В. Гусева Заказ 2918,9 Изд.1733 Тира;к 551 Подписное ЦНИИПИ Государствеииого комитета Совета Министров СССР ио делам изоб 1 эстеиин и открь;ти 1 Москва, Ж, Раугиская паб., д...

Устройство для измерения электрических параметров диэлектриков и полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 441525

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Крочик, Татаринов

МПК: G01R 27/26

Метки: полупроводников, параметров, диэлектриков, электрических

...электромагнитной волны, поляризованной по кругу, без наличия образца в межантейном пространстве выравниваются аттенюаторами, включенными в боковые плечибалайсной схемы фазового дискриминатора. Это открывает возможность к использованию эллиптическиполяризованных волн и не ухудшаетчувствительности устройства к измерению анизотропии. Производяизмерения разности з сигналовдвух антенн без и при наличииобразца, можно с большой точностьюизмерить абсолютную величину анизотропии диэлектрической или магнитной проницаемости образца вданной точке.Это позволяет с помощьв предлагаемого устройства исследовать новые свойства диэлектриков, полупроводников и ферритовв миллйметровом и субмиллиметровомдиапазонах длин волн,На чертеже изображена...

Устройство для измерения кривой эффекта электромагнитного поля на поверхности полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 457941

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Рагаускас, Левитас

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, поверхности, кривой, электромагнитного, поля, эффекта

...последовательно с выходом генератора сигнала и полевым электродом.На чертеже изображена функциональнаясхема устройства.5 Предлагаемое устройство состоит из полевого электрода 1, расположенного вблизи поверхности полупроводникового образца 2, который подключен к источнику постоянного тока 3 и одному входу двухмерного выходного О прибора 4, и генератора сигнала 5, соединенного последовательно с отрицательной емкостью б и полевым электродом 1, а также со вторым входом выходного прибора 4.Предлагаемое устройство действует следу ющим образом.При подаче сигнала генератора 5 на полевой электрод 1 через поверхность образца 2 протекает ток сигнала, Падения напряжения на отрицательной емкости б и на емкости за зора между полевым...

Способ получения 9-р-оксиэтил(или пропил) карбазола1изобретение относится к способу получения оксиалкильных производных карбазола — важных промежуточных продуктов для синтеза органических полупроводников. извес

Загрузка...

Номер патента: 466227

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Дегутис, Урбонавичюс, Ундзенас

МПК: C07D 27/68

Метки: оксиалкильных, производных, карбазола, способу, важных, продуктов, извес, карбазола1изобретение, органических, пропил, относится, синтеза, промежуточных, 9-р-оксиэтил(или, полупроводников

...а также 9-(р-оксипропил)-карбазола, основанный ца реакции взаимодействия карбазола с окисью этилена или соответственно с окисью пропилена и эквпмолярным количеством едкого кали в растворе алифатичсских кстонов.1 едостатками способа являются применецие окисей этилена и пропилена, которые являются летучими, ядовитыми и пожароопасными соединениями, а также проведение синтеза в закрытом сосуде, что требует строгого поддерживан ия определенной температуры.С целью упрощения процесса по предлагаемому способу карбазол обрабатывают этиленили соответственно пропиленкарбонатом в присутствии углекислого калия.Процесс целесообразно вести при 155 - 205 СПри синтезе 9- (р-оксиэтил) -карбазола в качестве растворителя применяют диметилформамид....

Устройство для контроля неоднородности полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 468198

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Алиев, Крылов, Митрофанов, Амурбеков

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: неоднородности, полупроводников

...попадает на третью ПТК 12,При наложении на образец импульсного магнитного поля с частотой 50 гц в каждой точке исследуемого полупроводника происходит поворот плоскости поляризации 15 проходящего излучения. Угол поворота плоскости поляризации пропорционален локальным концентрациям свободных носителей в зондируемом объеме. В результате на третью ПТК 12 попадает излучение, моду- р) лированное в плоскости, перпендикулярной оптической оси, по интенсивности, несущее информацию о координатном распределении свободных носителей в образце. На первую ПТК 7 попадает излучение, несущее информацию об отражении, а на вторую ПТК 8- о поглощении в исследуемом образце.При включении трехконтактнцио включателя 18 сигналы с выходов ПТК подаются на...

Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Сталерайтис, Левитас, Жебрюнайте, Пожела

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: скорости, носителей, полупроводников, рекомбинации, поверхностной

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Способ получения эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Хлебников, Маслов, Коробов

МПК: H01L 7/36

Метки: слоев, полупроводников, эпитаксиальных, например, фазы, газовой, растворов, твердых

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...

Способ химического никелирования полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 213512

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Стурова, Шаталова

МПК: C23C 3/02

Метки: никелирования, полупроводников, химического

...материа,лы и полупроводники не дают возможности нанесения покрытия непосредственно на из 1 делие без предварительной активизации и сенсибилизации его поверхности.Предлагаемый способ позволяет значи:тельно интенсифицировать процесс нанесе,ния покрытия и исключить такие дорогостоящие предварительные операци тивизация и сенсибилизация покр ,поверхности.Согласно описываемому способу процесс химического никелирования полупроводников, например, типа теллур-висмут-селен или теллур-висмут-сурьма, ведут в присутствии катализатора путем кратковременного его соприкосновения с покрываемой поверхностью в начальной стадии осаждения. Так каккатализатор служит лишь для возбуждения реакции, то его следует извлечь из ванны при дальнейшем протекании...

Способ бесконтактного определения зонной структуры полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 559197

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Пожела, Толутис

МПК: H01L 21/66, G01R 31/265

Метки: структуры, полупроводников, зонной, бесконтактного

...максимальномузначению поперечной составляющей интегрального потока В 4 переменной магнитной индукции. По зависимости Н от угла Я между направлениями Н и одйим из кристал лографических направлений определяют особенности зонной структуры и компоненты тензора подвижности носителей заряда,По технической зависимости Н= (ф могут быть определены особенности зонной фо структуры и компоненты тензора подвижноо. ти электродов в отдельной изоэнергетической долине, электронного твердотельного -.плава 33 Ь (см. фиг. 2), Образец ыл вырезан в виде куба с плоскостями, перпендикулярными к бинарному, тригональному и биссекторному направлениям.Измеряемые значения Н как известно, обратно пропорциональны эффективным циклотролным подвижностям...

Устройство для определения типа проводимости полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 561157

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Завалин, Иващенко, Потыкевич, Максимов

МПК: G01R 31/26

Метки: проводимости, полупроводников, типа

...практически невозможно.Известно устройство для определениятипа проводимости полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подклю енияисследуемого образца, истэчник магнитного поля 12,Принцип действия устройства основанна определении а,д.с. Холла,едостатком известного устройства561157 ПНИИПИ 7 .в: 1557 Л 51 Тирои 1101 Пониионовонниии пгппвтвнт г, уиаоров ун провитнвн 4 симостти от типа его проводимости и от пэнлярнэсти напряжения поляризации.На чертеже изображечо предлагаемоеустройство.Устройство содержит пластину 1 изсегнетозчектрического материал ,иала на противоположные грани которой нанесеныМект 1 эодьт поляризации 2, подключенныек источнику питания 3, контакт 4, измертите 1 ть...

Устройство для пайки корпусов полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 573277

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Сорокин, Калачев

МПК: B23K 3/00

Метки: полупроводников, корпусов, пайки

...3 г .г ггг.Механизм сдавливания, вгыполнен в видедвух двуплечих рычагов 4 и 5, одни плечикоторых связаны пружиной 6,Рычаг 5связан с биметаллическим теплочувсжьительным элементом 3 кулисой 7.с упорами8 и 9, взаимодействующими с толкателем10, который в свою очередь может взаимодействовать с рычагом 5. Рычаги 4 и 5подпружинены относительно корпуса 11пружиной 12. ОУстройство работает следующим образом.Биметаллический чувствительный элемент3 спиральной формы под действием потокаподогретого инертного газа иэ нагревателя 2, развертываясь, приводит в движение Икулису 7 с толкателем 10, При перемещениьвлево упор 9 возцействует на толкатель,который приподнимает плечо двуплечего рычага 5, Другое плечо этого рычага опускается, растягивая пружийу...

Способ определения электрофизических свойств полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 600482

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, свойств, электрофизических

...производится следующим обра.зом,Путем металлизации участка поверхности ис следуемого полупроводника изготовляют барьерШоттки, который подключают к клеммам 6 и по.мещают в криостат 3, Через барьер пропускают от источника 4 постоянного, тока через нагрузочный резистор 5 прямой постоянный ток, величина кото, рого примерно в два раза превышает ток насьпщения. Изменяя температуру в криостате 3 регистрируют температуру, и измеряемую при помощи термопары 2 и милливольтметра 1, и уровень флук.туаций напряжения по индикатору 7. Затем строят 15 график зависимости логарифма величины, флуктуаций от обратной величины температуры и по графику находят точку перегиба падающего с повышением температуры линейного участка графика.Температура,...

Устройство для каталитического оксидирования металлов и полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 629428

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Пекшева, Струков

МПК: F27B 11/00

Метки: каталитического, полупроводников, металлов, оксидирования

...удаляется после циркуляции пол текянцым колпаком через труоку 5 тволц и ромьвуо склянку 19,- 5 заолеуз полон. Техсратура реакционногоостра стцц печи поддерживается постоянной с помощью автоматики блока питания нагревателя 20 и потецццометра 21 в интервале 20 - 700"С с точностью + 10 С.Наблюдение за холом химического взаимолействця осуществяется визуально с помощью осветителя 22 с блоком питания 23.Безопасность при работе с окцсляемымвеществом, например баАз, достигается тем,629428 Формула изобретения Составитель Г. Кибовский Редактор Т. Фадеева Техред О. Луговая Корректор Д. Мельниченко Заказ 6055/36 Тираж 767 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.З 5, Раушская...

Способ определения электрических параметров полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 656133

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Морозов, Раев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, электрических, параметров

...при прямом и обратном направлениях тока через полупроводник. При проведении серии измерений температура полупроводника должна быть постоянной.Недостатком описанного способа является необходимость выключения и изменения направления магнитного поля.Для изменения величины и направления магнитного поля требуется много времени, особенно для сильных магнитнь 1 х полей и в случае применения сверхпроводящих магнитов. В случае применения систем автоматической регистрации и обработки данных на основе ЗВМ необходимость менять магнитное поле становится одним из препятствий для увеличения скорости сбора данных.Выключение или переключение магнитного поля не может быть, в случае сильных магнитных полей, произведено простым выключением или...

Зонд для исследования полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 661317

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Голубев, Бородзюля

МПК: G01N 27/02

Метки: полупроводников, зонд, исследования

...определять параметры как объема, так и поверхности полупроводника.На чертеже показан предложенный зонд.В корпусе 1 зонда выполнены канал 2 и полость 3, сообщающиеся. между собой и заполненные жидким металлом-ртутью.Корпус изготовляют из материала, не смачиваемого ртутью, например оргстекла. Со стороны выхода канала на корпус наносится тонкая пленка 4 диэлектрика, например нитроцеллюлозы или двуокиси кремния.661317 формула изобретения Составитель М КТехред О. ЛугоТираж 1089дарственного комитетаизобретений и открытЖ - 35, Раушская набнт, г. Уж город, ул. П венкоКорректор Подписно СССР ап Редактор Т. ОрловскаяЗаказ 2430/39 ЦИНИПИ Гопо делам113035, Москва филиал ППП Па д, 45оетная, 4 На противоположной стороне корпуса крепится контактный...

Устройство для каталитического оксидирования металлов и полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 662785

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Акимов, Пекшева, Струков

МПК: F27B 5/06

Метки: металлов, полупроводников, каталитического, оксидирования

...параметры оксидного слоя в процессе его роста. - . - - Целью изобретепия является усовершенствование механизма прижима катализатора к окисляемому образцу и определение величины ЭДС и тока в окисной йленке непосредственно в процессе каталитического роста.Поставленная цель достигается тем, что механизм прижима катализатора к окисляемому образцу помешают внутри трубы из кварца и выполняют в виде двух металли ческих штанг, имеющих электрический контакт с катализатором и образцом и обеспечивающих токосъем на измерительный прибор через контактные устройства на противоположных концах штанг, при этом одна из штанг закреплена неподвижно, а перемещение другой в диэлектрической заглушке регулируется пружиной.На чертеже представлена блок-схема...