Патенты с меткой «неравновесных»

Способ измерения неравновесных значений парамагнитной восприимчивости

Загрузка...

Номер патента: 457387

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Сафронов, Муромцев, Гсюк

МПК: G01N 27/78

Метки: значений, неравновесных, восприимчивости, парамагнитной

...в момент времени т, отсчитываемый после окончания действия насыщающего импульса;Но" - значение магнитного поля, при котором регистрируют величину отклонения магнитной восприимчивости от равновесного значения;Но - значение магнитного поля, при котором насыщают неоднородно уширенную лин.ию,Внешние .магнитные поля на парамагнигном образце в течение периода определяются соотношениями: Возмоина регистрация, зависимости отклонения магнитной восприимчивости бх"(Л, т) от времени т при фиксированном значении Л, т. е. зависимости: 1, (т) = бх" (Л, т),Л = сопМ (3) Эта зависимость в частном случае (при Л = 0) совпадает с обычными кривыми спадя сигналов импульсного восстановления.На фиг. 1 показаны экспериментальные сигналы импульсного...

Способ определения коэффициента биполярной диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1028204

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Малютенко, Федоренко, Алмазов

МПК: H01L 21/66

Метки: неравновесных, носителей, коэффициента, заряда, полупроводниках, диффузии, биполярной

...зондируютщего инфракрасного излучения, прошедшего и отраженного от пластины в момент достижения максимального значения интенсивности света, вызывающего генерацию электронно-дыроч.ных пар при двух или более значениях его интенсивности, а коэффициент биполярной диффузии неравновесных носи телей заряда вычисляют по формуле 47 47 И 4 ат - +К, аг где в ; в- относительные коэффициенты пропускания и отражения при боль . шей интенсивности 5 света, вызывающего генерацию электронно дд дырочных пар - то же при меньшей интенсивности света 30 вызывающего генерацию электронно-дырочных парф(5) лярной диффузии благодаря контрОлю интенсивности возбуждающего и зондирующего излучений в каждом импульсе возбуждающего света. Это позволяет устранить влияние...

Устройство для измерения скорости неравновесных газовых потоков

Загрузка...

Номер патента: 1170353

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Гриднев, Британ, Хмелевский, Старик

МПК: G01P 5/00

Метки: скорости, потоков, неравновесных, газовых

...размещенными на расстоянии С от точки пересечения осей патрубков с продольной осью приемника, характеризующимся соотношением= ш(1-3)В,где ш - номер датчика,а общее число датчиков М 4 5.На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг.Устройство содержит осесимметричный приемник 1, воспринимающий иссле дуемый поток 2 и снабженный размещенными равномерно по окружности патрубками 3, подключенными через коллектор 4, подводящую магистраль 5 и вентиль б к источнику 7 вспомогательного газового потока, на моделяется по формуле 3 1лекулах которого обеспечиваетсяменьшая скорость релаксации исследуемого газового потока, чем на собственных. Измерение статическогодавления до и после зоны введениявспомогательного потока...

Бесконтактный способ определения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике

Загрузка...

Номер патента: 1384117

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Тесленко, Малютенко

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, времени, жизни, бесконтактный, носителей, эффективного, неравновесных, полупроводнике

...излучения, ш - эффективная45масса электрона.Для, детектирования излучения использовался фоторезистор иэСЙИ 808 Те при 77 К, который имеетграницу чувствительности при =11 мкм.Таким образом, практически диапазондлин волн 1-11 мкм, Иаксимальный коэффициент поглощения в этом диапазоне .равен для максимальной концентра 18 в.цин электронов 10 см .К = 200 см,.Следовательно толщина д образцадолжна быть впределах 0,52 ,й4 50 мкм, например 10 мкм. Для длины волны0,8 мкм.поглощение определяетсямежзонными переходами. Коэффициент поглощения длятаких переходов зависит от энергиикванта и не зависит от концентрацииносителей заряда, Таким образом,временная зависимость плотности излучения на длине волны 0,8 мкм не будет пропорциональна концентрации...

Способ определения колебательной температуры и концентрации молекул в неравновесных средах

Загрузка...

Номер патента: 1635082

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Носенко, Кернажицкий, Кочелап, Наумов, Шварчук

МПК: G01N 21/00

Метки: молекул, температуры, средах, колебательной, концентрации, неравновесных

...от темпераЯгп, для которой покагтп 1 имеет максимальну1635082 Составитель Р.ИвановТехред М.Моргентал Корректор Н,Король Редактор М.Петрова Заказ 751 Тираж 410 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 к температуре, и определяют поглощательные способностиЛЦА=- - - и/1АП 1 = --о о Щгде 1 Ар Ц - сигналы интенсивности излучения зондирующего источника света;Л 1 р Л 1 - сигналы поглощения света в диагностируемой среде, соответствующие длинам волныи 4,.После этого определяют колебательную температуру Тч и концентрацию молекул п с помощью соотношенийОп 1(Тч) = 019 (1 - Ащ)/19 (1 - Ак 1;...

Способ определения времени релаксации неравновесных возбуждений

Загрузка...

Номер патента: 1581138

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Кулик, Янсон, Пилипенко, Балкашин

МПК: H01L 21/66

Метки: неравновесных, релаксации, возбуждений, времени

...По частотной зависимости (%) определяют частоту релакса" цИи квазичастиц используя аппрокси" мацию зависимостью ИГ ). Явный вид этого выражения рассчйтывают теоретически для конкретной модели процесса релаксации квазичастиц. Например, на фиг.З и 4 точками пред. ставлены экспериментальные значения 3, отражающие зависимость 1 И), и аппроксимация этой зависимости Функ" ций, 1(Г;Г) при разных значениях .Ю 6Для определения частотной завис- мости (Г) используют способ, обеспечивающий необходимую точность, достаточно простой и доступньй. Поскольку частота релаксации квазичас"тиц может находиться в широком час.тотном диапазоне (10 -10 Гц) в каУ 7честве источника излучения с нерестраиваемой частотой 3 используют набор генераторов сигналов...

Демонстрационное устройство для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда

Загрузка...

Номер патента: 1772817

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Борицкий, Борицкая

МПК: G09B 23/18

Метки: времени, жизни, неравновесных, демонстрационное, заряда, носителей

...делителя 3 частоты формируется длинный импульс, по переднему фронту которого одновибратор 8 формирует сигнал, приводящий в исходное состояние элемент 11 выделения максимального значения напряжения и счетчик 15,Импульс с выхода делителя 3 частоты запускает формирователь 4 импульсов, который формирует на своем выходе импульс тока, обеспечивающий импульс излучения быстрадействующего светадида 5. Этот прямоугольный импульс излучения оптического или ближнега инфракрасного диапазона спектра обеспечивает засветку окна фотодиода 6, который формирует на своем выходе импульс фотоэдс. Однако, этот импульс фотоэдс иэ-за инерционности фотодиода за счет времени жизни неравновесных носителей заряда не сохраняет прямоугольную форму. Причем, интервал...

Способ измерения объемного времени жизни неравновесных носителей заряда в примесных полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1778819

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Карпов, Карпова

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниках, заряда, жизни, носителей, объемного, неравновесных, примесных, времени

...подключения испытуемого об разца (фиг. 2) показаны: диафрагма 1, игольчатые электроды 2, испытуемый образец 3,область рекомбинации 4, инжектирующее излучение 5,.линии электрического тока 6;Реализуется способ следующим образом. В зависимости от требуемого уровня инжекции задаются количеством свободных носителей заряда примеси в зоне проводимости полупроводника и пользуются вь 1 раже нием где и - количество свободных зарядов примеси в зоне проводимости полупроводника, А - константа, численно равная количеству связанных носителей заряда с энергией активизации Еи, К - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, определяют требуемую температуру образца,Присоединяют испытуемый образец 3 к источнику тока при помощи игольчатых электродов...

Способ бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1778821

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Иванов, Федорцов

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, носителей, полупроводниках, времени, неравновесных, жизни

...волны зонда измерение времени жизни либо вообще перестает быть возможным в силу непрозрачности образца, либо существенно снизить чувствительность способа, Это исключает возможность применения описанного выше способа прототипа для измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках.Целью предлагаемого изобретения является расширение области применения за счет получения возможности измерения объемного времени жизни неравновесных носителей тока в легированных полупроводниках и повышение чувствительности,Поставленная цель достигается тем, чтов предложенном способе зондирующее и инжектирующее излучения выбирают из области максимальной прозрачности исследуемого образца (сохраняя при этом условие,...

Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда

Загрузка...

Номер патента: 2001466

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Шалыгин, Штурбин

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неравновесных, длины, носителей, диффузионной

...поля в образце течет кольцевой электрический ток (далее будем называть его "ФЭМ-током"). Расчеты показывают, что плотность этого тока максимальна на границе светового пятна, а ширина токового кольца примерно равна диффузионной длине. При станционарном освещении ФЭМ-ток стационаренЕсли освещение не стационарно, а модулировано, то ФЭМ-ток будет переменным, и вследствие эффекта электромагнитной индукции в индукционном элементе связи 4, расположенном вблизи рабочей поверхности образца, будет возникать ЭДС. На фиг,1 для наглядности в качестве индукционного элемента связи изображен одиночный кольцевой проводящий виток, опоясывающий световое пятно 3 и расположенный вблизи рабочей поверхности образца, но не имеющий с образцом...

Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Ситников, Сеник

МПК: H01L 21/66

Метки: приповерхностных, слоях, легированных, длины, заряда, диффузионной, полупроводниковых, неравновесных, структур, однородно, носителей

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...