Патенты с меткой «критических»

Способ определения критических скоростей дроби в дробеструйных установках и устройство для осуществления способа

Загрузка...

Номер патента: 91332

Опубликовано: 01.01.1951

Автор: Шашин

МПК: B24C 3/00

Метки: скоростей, дробеструйных, дроби, критических, установках, способа

...преграду, имеющую твердость упрочняемой детали. По числу поврежденных при ударе дробинок судят о допустимостиэтой скорости.Для осуществления описываемого спо овать скоростной пневматический копер ДС мособой конструкции.На чертеже изображен снаряд-боек вбой стальной цилиндр 1 с донышком 2твердость которого подбирается равнойдробью изделия.Испытуемые дробинки, в количестве от дываются внутрь стального цилиндра 1, после ч атоговоздуха снаряд-боек выбрасывается из ствол о наковальню.Последняя, с целью пр ка, выполняется из свинца или ме м измеряется известным способом91332 Предмет изобретения 1, Способ определения критических. скоростей дроби в дробеструйных установках, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что некоторому числу испытываемых...

Устройство для определения критических путей при сетевом планировании

Загрузка...

Номер патента: 206917

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Корнеев, Счетных, Специальное, Гурзич

МПК: G06G 7/122

Метки: сетевом, планировании, критических, путей

...из стрелок 1 и вершин 2 и 3. Каждая стрелка соответствует определенной работе, а вершина - событию, Каждую работу ц можно охарактеризовать двумя событиями (вершинами) - начальным т и конечным 1. Кроме того, каждая работа характеризуется длительностью (ц).Предлагается сетевой план собирать в виде аналогичной электрической сети, в которой каждая работа тт имитируется электрической цепочкой, состоящей из источника напряжения 4, диода 5 и элемента индикации б. Величина напряжения источника 4 должна быть пропорциональна длительности 1(ф. Диод 5 определяет направление, заданное стрелкой в сетевом плане, Индикация может быть двух типов: или для фиксации протекания тока по цепочке, или для фиксации прямого или обратного смещения диода.Источники...

Устройство для измерения критических токов коротких образцов сверхпроводника

Загрузка...

Номер патента: 511784

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Зельдович, Шишов

МПК: G01R 19/00, G01R 31/00

Метки: образцов, сверхпроводника, коротких, критических, токов

...двум токовводам 3 которые подключены к полюсам источшка электропитания. К пунту припаяны потенциальные выводы 4, по два на 15 каждый образец, которые соединены с самописцем. Шунт изогнут, напраер, по винтовой линии и помещен в магнит 5, находящиися в криостате б с жидким гелием пли за ним.Устройство работает следующв образом.20 На шунте, пердставляюще собой меднуюленту сечением 51,2 мм-, изопутую по винтовой линии, размещаются одновременно до 24 образцов. Внешний диаметр пуита равен 35 мм, шаг винта 7 мм. Максимальный рабо чпй ток устройства составляет 500 а. При этомматериал и размеры ленты подобраны так, чтобы в отсутствии образцов иунт не нагревался более, чем иа 0,2 К, по сравнению с температурой гелия (4,2"К). Повышение темпера...

Способ определения критических порогов доступности почвенной влаги для растений

Загрузка...

Номер патента: 651753

Опубликовано: 15.03.1979

Автор: Реппо-Энно

МПК: A01G 7/00

Метки: доступности, влаги, критических, порогов, почвенной, растений

...количестве 3-4 кг почвы высыпают на кювету и удаляют иэ него крупные корни, камешки и включения.2. Тарированйые сушильные алюминиевые стаканы, в количестве 25-30 шт наполняют по весу исследуемой почвы до Краев,3. Семена ячмейя намачивают в чашке водопроводной водой, помещают в растильню между мокрой Фильтро вальйой бумагой, в которую сверху протйкают отверстия для воздухообмена.Растильна с семенами. ставят в гидротермостат и выдерживают в течение 20 ч при 210,5 фС,при этом, если посадка семян назначена на следующий день в 9 ч, то семена следует ставить на предварительное набуханиепримерно в 13 ч,5 6514 Отобранную навеску насыпают в чашку, добавляют из. пипетки измеренное количество воды, смешивают без растирания и заполняют алюминиевый...

Способ измерения критических магнитных полей в сверхпроводниках

Загрузка...

Номер патента: 1001241

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Милошенко, Пантелеев

МПК: H01L 39/24

Метки: полей, сверхпроводниках, магнитных, критических

...образца, находящаяся на рас1001241 Формула изобретения слт стоянии 0,1-0,2 мм от неподвижного электрода, образовывала с ним емкость С, При подаче переменного напряжения на электрод образец начинает колебаться за счет электростатического взаимодействия. С помощью звукового генератора типа ГЗпо максималь-, ной амплитуде колебаний образца наст,раиваются на резонансную частоту . Одновременно емкость С включается в контур высокочастотного генератора 1 О и за счет колебаний образца происходит модуляция высокочастотного сигнала этого генератора. Контроль осуществляется при помощи осциллографа и частотомера. 15На фиг. 2-4 представлены результаты измерения й(,Н ).На фиг. 2 приведены зависимости Й(Н ) для пленок толщиной 0,5 мкм (,кривые 1 и...

Устройство для распознавания критических состояний объекта контроля

Загрузка...

Номер патента: 1090683

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Тимофеев, Сорокин, Мехович

МПК: G06F 17/00

Метки: критических, объекта, распознавания, состояний

...и блоком определения измерения площади выбросов, первый информационный вход которого соединенс выходом регистра сдвига, второйинформационный вход - с первым выхо"дом блока сравнения, а первый выходсинхронизатора соединен с третьимвходом блока сравнения и первым управляющим входом блока определения изменения площади выбросов, второй управляющий вход которого соединен со 60вторым выходом синхронизатора, соединенным также с управляющим входом регистра сдвига, информационный входкоторого соединен со вторым входом .блока сравнения, выходы блока определения изменения площади выбросов соединены с входами счетчика, выход которого соединен с первой выходнойшиной с входом дешифратора, выход которого соединен со второй выходной шиной.Блок...

Способ определения критических температур стеклообразных материалов

Загрузка...

Номер патента: 1589172

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Демидов, Ананичев, Байдаков, Оркина, Морачевский

МПК: G01N 25/04

Метки: температур, стеклообразных, критических

...образца измеряют его удельнуюэлектропроводность с одновременнойрегистрацией температуры. Из полученных данных определяют критическиетемпературы: Т - температуру размягчения, Т - температуру трансформации,Возможность перемещения одногоэлектрода относительно другого позволяет увеличить площадь соприкосновения между электродами и образцомпри изменении формы образца в процессе размягчения материала, Постоянноедавление на образец при достижениитемпературы Т способствует вдавливанию электродов в образец вследствиеначала пластического течечия стеклообразного материала, При этом увеличивается площадь поверхности соприкосновения электродов с образцом (Б)и уменьшается расстояние (1) междуэлектродами. Согласно известной формуле для...

Способ гемосорбции у больных в критических состояниях с синдромом полиорганной недостаточности

Загрузка...

Номер патента: 1595527

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Шишин, Зельманович, Булганин, Марусанов, Петраш

МПК: A61M 1/36

Метки: синдромом, критических, полиорганной, гемосорбции, состояниях, больных, недостаточности

...(по 20 г вкаждой колонке).Длительность сеанса гемосорбции 5060 мин. Всего проводят 2-5 сеансов гемосорбции через день или ежедневно взависимости от получения клинического эф фекта у больных с полиорганной недостаточностью 111-1 Ч стадии.В результате проведения гемосорбциипо предложенному способу наблюдаетсядостоверное снижение содержания продук тов токсемии как в венозной, так и в артериальной крови. При этом основныегемодинамические показатели достоверно,не изменяются на всех этапах проведениягемосорбции по способу-прототипу и попредложенному способу.Центральное венозное давление (ЦВД)достоверно снижается при использованииспособа детоксикации по прототипу только,в конце гемосорбции,При гемосорбции по предложенномуспособу ЦВД...

Способ определения момента достижения тормозящим колесом критических условий по сцеплению с дорожным покрытием и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1599253

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Аникин, Гурьянов, Борисевич, Крутяев

МПК: B60T 8/58

Метки: критических, сцеплению, дорожным, покрытием, условий, момента, достижения, колесом, тормозящим

...колеса ограничено максимально достижимым значением замедления транспортного средства, которое лежит в пределах 0,5 - 0,8 д.При изменении сцепных свойств дороги в процессе торможения, например, в момент времени ткр, как изображено на фиг. 4, одновременно с падением коэффициента сцепления начинает снижаться мощность силы трения, что приводит к снижению температуры 1(т) трущейся поверхности тормозной накладки 6. Во всех случаях вхождения колеса в блок темп снижения температуры 1(т) достаточно высокий и определяется в основном скоростью нарастания проскальзывания и в меньшей степени - параметрами теплопередачи продуктов абразивного разрушения находящихся в зоне трения.Однако, только учета температуры 1(т) трущейся поверхности тормозной...

Способ определения пространственно-временного распределения критических частот слоя f2 ионосферы

Загрузка...

Номер патента: 1443619

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Иванов-Холодный, Гивишвили

МПК: G01S 13/95

Метки: пространственно-временного, ионосферы, критических, частот, распределения, слоя

...разрешающая способность ее лимитируется только условиями распространения электромагнитнь.х сигналов н ионосфере, т.е, может составлять 20-50 км.Таким образом, синхронная регистрация локальных значений Е; на сети НПП позволяет строго привязывать по времени и пространству все изменения Гь естественного и искусственного . происхождения, время жизни которых превышают 200 с, а размеры 20-50 км.Особенность реализации предлагаемого способа состоит в необходимости обеспечения уверенного прйема на земной поверхности сигналов, излуча-, емых с ИСЗ, высота орбиты которого составляет 36000 км. Знергетические параметры бортового радиопередатчика и наземного радиоприемного устройства определяются ураннениемР.А+И+Ь+Ю+Р ;С+Р о,(при простейших...

Устройство для автоматического измерения критических токов технических сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 1045791

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ширшов, Ерохин, Куршецов

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводников, критических, технических, токов

...10 подключен к ой схемы сравнения 11, которой соединен с залоного апряжеия в циФ, а выход - с блоком ретока образца 13, который ботой источника тания м питания 14, управляемымпрограмматором 15, осуществляетсяввод тока в сверхпроводящий магнит16, создающий внешнее магнитное поле,Сигнал с шунта 17, пропорциональныйвеличине магнитного поля, поступаетна вход Х двухкоординатного самописца 18, вход У которого соединен с шунтом 8 в цепи питания образца 1, Источник магнитного поля 16 и исследуемый образец 1 расположены в криостате 19,При работе устройства текущее значение регулируемой величины (сигналпропорциональный сопротивлению образца Р) преобразовывается АЦП в цифровую Форму и сравнивается с заданнымзначением. Цифровая схема...

Способ определения критических параметров трещиностойкости конструкционных материалов

Загрузка...

Номер патента: 1753336

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Мягких, Тарасов, Смеляков, Гадалин, Курилкин

МПК: G01N 3/00

Метки: трещиностойкости, конструкционных, параметров, критических

...деформации материала) следует"прймейять- канавки Ч- или Й-образнойформы, для материалов с др 15 - канавкиВ- или П-образйой формы (фиг,2).После выполнения операцйи пластиче ского деформирования из заготовок выре заются эксперйментальные образцы без,доработки рабочйх поверхностей по размерам 1 р, тк и В йа расстоянии, равномф 2 Вотзоны боковых канавок (фиг,З), Далее нэ образцах вйполняется надрез (Ч-образныйили шевронного типа) и наводится усталостйая трещина (фиг,З), после чего образцы:испытываются по схеме трехточечного изгиба.Исследования показали, что для определения Кс материалов с др 25 фЯ можноиспользовать образцы с размерами: тк-6мм, В=12-16 мм и =60 мм,Пр и м е р. Испытания проводились наобразцах из сплава АМГ 6 М (то=5 и 10 мм,...

Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов

Номер патента: 697016

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Гечяускас, Бондаренко, Швейкин, Алексеюнас, Миллер, Переляев

МПК: H01L 45/00, G01K 7/22

Метки: материал, переключающих, критических, терморезисторов, элементов, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диоксид ванадия - 1 - 60Связующее - Остальное