Патенты с меткой «гетероэпитаксиальных»

Установка для получения многослойных полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом жидкофазной эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Арсентьев, Журавкевич, Гарбузов, Васильев

МПК: G05D 27/00, H01L 21/208

Метки: жидкофазной, многослойных, методом, эпитаксии, полупроводниковых, структур, гетероэпитаксиальных

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире

Номер патента: 1586457

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Лютович, Кулагина, Ашуров, Хикматиллаев

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, структур, сапфире, гетероэпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, включающий испарение в вакууме, очистку поверхности подложки ионным травлением и осаждением кремния на разогретую поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества гетероэпитаксиальных структур за счет улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полное травление производят с помощью частично ионизированного потока кремния энергией 1-3 кэВ, со степенью ионизации 10-20% при температуре подложки 800-1100oС, а осаждение кремния осуществляют из того же потока с энергией 0,05 0,5 кэВ, степенью ионизации 0,5 10% при температуре подложки 450-700oС со скоростью 0,1-1 мкм/ч.

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дерягин, Третьяков, Абрамов, Селиверстов, Долганов, Мизеров

МПК: H01L 21/208

Метки: слоев, арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.

Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур

Номер патента: 1157987

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Шариков, Журавлев, Терехов, Савченко

МПК: H01L 21/66

Метки: структур, полупроводниковых, гетероэпитаксиальных

Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, основанный на облучении образца с одной стороны импульсами электромагнитного излучения с интенсивностью I, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности, образец облучают импульсами электромагнитного излучения с такой же интенсивностью I с противоположной стороны, но сдвинутыми по фазе на 180o, измеряют интенсивность Ф разностного сигнала рекомбинационного излучения, а годность образца определяют по величине отношения при толщине слоя d (в микронах), равной...