Патенты с меткой «фосфида»

Способ получения фосфида цинка и аппарат для выполнения этого способа

Загрузка...

Номер патента: 71620

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Стронгин

МПК: C01B 25/08

Метки: цинка, этого, выполнения, фосфида, аппарат, способа

...П П)СДОК) 3- НИТСЛЬПЫП КЛ 3(.51 Н, БЫ О ПС: ПзП Б ВИ.1 С 1 ЫП 1 КИ 1 ), П) ПЖЯТОП К ПО- лОЙ 1 ЯИ(1)с п) л(ип(;Й )6. П). Нол ьеас ЗБ,спи 51 свыГпс )Ясс 1 ОГО К ) ЫП К 3 1 ), ОЖ : ., 3 2 Ь ) , К П 11, С Л Б И Г 3 (.1 С 51 П О П 2 П ) 3 БГ 5 К) И 11.1 1 / И ;) П ОК ) Ь.2 С)С,(.И ( . г П;, П)ООрССПИ)1 ете Министров ССС ам изобретений и открытий омитет едактор Л. А. Блатова п(рормационно издательский отдел. Подп. к печ. 13/)111-1959б)ъе 0 17 и. л, Заказ 5748, Тираж 380, Цена 25 ко(пография М 2 Министерства культуры Чувашской АССР Алагыр. (И 11)ЗТ ДЛ И БЫПОЛПСНП 5 СПОСООЯ ПО П. 1,Т:1 И Ч (1 ГО П П И ( 51 см, ил 0 оп БыполГБН Б;идс 11 Яповой мельницы, Бпури которой БЪО 1 Т:"БОБЗП .ОЛГАЗ)1 ЛЬ 1 К-КП (.:1 СЯТО), Т 2 КЖЕ ВЫНОСЕН 1 ЫЙ Б...

Способ получения фосфида кальция

Загрузка...

Номер патента: 72284

Опубликовано: 01.01.1948

Авторы: Смирнов, Абреимов

МПК: C01B 25/08

Метки: фосфида, кальция

...фосфором,В железный автоклав с индукционным или паровым обогревом загружается смесь тонко размолотых и хорошо смешанных друг с другом кароида кальция и пятисернистого фссфора в примерном соотношении 2;1.Смесь нагревается до температуры начала реакции (150 в 1), после чего подогрев выключается.Температура сплава после подогрева вследствие экзотермичности реакции быстро возрастает, достигая величины 650 - 700 С.Реакция идет по уравнению:бСаС, + 2 Р,Я, =дак тв. редактор М. М. Акишии Готовый продукт представляет собою сплав, состоящий из смеси фосфида кальция и угля, Сплав легко извлекается из аппарата в виде блока,Для улавливания сероуглерода процесс сплавления должен проводиться в герметичной аппаратуре в токе азота.Сероуглерод...

Способ получения фосфида цинка

Загрузка...

Номер патента: 78450

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Абреимов, Шишкина, Писарев, Стронгин, Гришин

МПК: C01B 25/08

Метки: фосфида, цинка

...М. Акишии Известен способ получения фида цинка взаимодействием того фосфсра и цинка в нагре мом извне аппарате типа шар й мельницы.Преимуществом описываемого нового способа получения фосфида цинка является проведение процес. са без применения обратного конденсатора.Отличительная особенность нового способа получения фосфида цинка взаимодействием желтого фосфора и цинка,в нагреваемом извне аппарате заключается в том, что процесс ведут при температуре выше 450 С достигаемой за счет экзотермичности реакции предварительно расплавляемого цинка с фосфором.Пример. 120 кг цинка загружают в горизонтальную печь-мельницу, включают электрообогрев, поднимают температуру до 450 С и цинк расплавляют. Затем печь-мельницу приводят во вращение,и к...

Способ получения фосфида цинка

Загрузка...

Номер патента: 114842

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Абреимов, Ремен, Стронгин, Вольфкович

МПК: C01B 25/08

Метки: цинка, фосфида

...железа, ал 1 оминия, кальция, редких земель и нерастворимые вещества отфильтровывают и: - 100 на фильтр-прессе непреры ной осадительной центрифугс илп другом аппарате. Осадок промь.вают и промывные воды присоединяют к основному фильтрату,Фильтрат обрабатывают окисью цинка в количестве 105% от стехиометрической нормы, необходимой для осаждения ХпНРО 4 по реапии:ХпН;Р:ОвХп 0=2 ХпНРОс-; 1-1:.О, Выпавший нерастворимый фосфат цинка отделяют от скидкой фазы на непрерывной осадитсльной центрифуге. фильтре или другом оборудовании. В пасту ХпНРО добавляютМ 114842 в печь подают также небольшой ток сухого азота, не содержащего кислорода.П р и м е р 3. Процесс проводят также как в примере 2, но фосфид цинка не выносится из печи в парах, а...

Способ получения фосфида цинка

Загрузка...

Номер патента: 138924

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Радченко

МПК: C01B 25/08

Метки: фосфида, цинка

...размалывающие тела, в реактор одновременно с цинком загружают молотый графит в количестве, например, 0,3 - 0,4% от веса фосфида цинка.П р и мер, В реактор, который одновременно является размольным устройством, помещают штанги весом 220 - 250 кг и загружают цинк из расчета получения 235 - 240 кг фосфида цинка. Одновременно с цинком загружают 0,6 - 0,7 кг молотого графита. Затем реактор ставят в электромуфель и нагревают до расплавления цинка, после чего реактор пускают во вращение и через канал вала реактора медленно приливают стехиометрически рассчитанное количество расплавленного же,итого фос. фора.138924 После окончания реакции реактор из электромуфеля переставляют на станину размола и при вращении реактора охлаждают его кожух водой...

Способ получения монокристаллов фосфида бора

Загрузка...

Номер патента: 167820

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Валов, Горюнова

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: бора, монокристаллов, фосфида

...СОБ ПОЛУЧЕН НОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОР вой а 1300нии влы ф фосфичью осуи ВР из да бора 0 С, вы- темперас печью. Способ получения да бора, отгичающий ществлеия процесса раствора, шихту, состо и фосфида никеля, н держивают в течение туре, после чего охл монокристаллов я тем, что, с це кристаллизаци ящую из фосф гревают до 130 часа при этой ждают вместе ггисная группа39 С целью осуществления процесса кристал. лизации фосфида бора из раствора, предложен способ, согласно которому шихту, состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300"С, выдерживают в те чение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью. При этом растворителем для фосфида бора является фосфид никеля, который при температуре 1300 С, будучи в...

Способ получения фосфида индия

Загрузка...

Номер патента: 175049

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Таланов, Герасимова, Черных

МПК: C01B 25/08

Метки: фосфида, индия

...охлаждение целесообразно вести со скоростью 50 - 55 С в час.При осуществлении способа достигается зысокий (75 - 770 г 0) выход конечного продукта, а такке высокая степень его чистоты.Пример. В кварцевую ампулу с отростком на холодном ко.гце помещают треххлористыг фосфор и металлический индий, взятый в избытке (в 1,8 раза от стехиометрического). Реакционнуго смесь замораживают и ампулу вак)умиругот до остаточного давления1.10- гм рт. ст. Затем ампулу запаивают в вертикальчом положении час при температуре 700 - нии процесса ампулу охлажтемпературы со скоростью и выдерживают в течение 40 - 60 750 С. По оконч дают до обычно 50 - 55 С в час,Получаемый фосфид индия, 75 - 770 г 0, состав и согласно даннь держит следы ж жит примесей СВ...

Способ получения фосфида нобия

Загрузка...

Номер патента: 436018

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Изобретени, Федорук

МПК: C01G 33/00, C01B 25/08, C25B 1/00 ...

Метки: нобия, фосфида

...никеля, металлическим пиобием.для интенсификации процесса и повышения чистоты получаемого продукта предлагастся электролизу подвергать эвтсктичсскую смссь ыетас 1)Ос 1)ата и алогеиеда (хлОрида и фторида) щелочпого мес алла содер)ка 1 цего 20 все. а Х 1),Оа, с использованием молиодепового катода при катодпой плотиост 1 тока 0,5 - 2,5 А/см и температуре 700 - 800 С,П р и м ер. В расплавленной эвтсктике КРОа - КС при 700 С растворяя)т 20 вес, % )х 1)еО 5, -)лектролпз ведут с катодиой плотностью тока 0,5 - 2,5 А/см при напряжении пд клсммах ьаппы 2,0 - 5,0 В и температуре 0 - 800 С. Катодом служит молибдеповьшстержень, анодом - графитовая ванна.Кристаллический фосфид пиобия вьсдсляет.ся па катодс, образуя грушевидной формы 5 осадок, хорошо...

Способ электролитического травления фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 632269

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Марончук, Литвин, Криворотов, Пинтус

МПК: H01L 21/3063

Метки: фосфида, травления, электролитического, галлия

...Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и...

Способ получения фосфида меди

Загрузка...

Номер патента: 1157016

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Букетов, Оралов, Баешов, Ибишев

МПК: C01B 25/08

Метки: меди, фосфида

...ФОСФИДА вие фосотлис целью сникения модействие рной кисодействие чивающемравное1157016 Составитель Б.ШароновТехредЖ.Кастелевич Корректор Л,Пилипенко Редактор Е,Лушникова Заказ 3271/21 Тираж 462 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г,Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к техноло-,гии получения фосфида меди, используемого для производства соединениймеди и фосфора.Цель изобретения " упрощение способа за счет снижения температурыпроцесса,П р и м е р 1. В раствор сернойкислоты концентрацией 100 г/л при50 С сначала вводят элементарный бе Олый фосфор (0,263 г) и после перемешивания к нему добавляют медный порошок (1,702 г)....

Аппарат для получения фосфида магния

Загрузка...

Номер патента: 1212556

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Панков, Хромов, Кискачи, Богданов, Лебедев, Темош, Ковтанюк

МПК: B01J 19/28

Метки: аппарат, фосфида, магния

...магния, предназначенного для использования в технологии получения фосфина, применяемого в виде газовых смесей с водородом и аргоном для легирования пластин из полупроводниковых материалов и выращивания монокристаллов полупроводников,:Цель изобретения - йовышение производительности и надежности аппарата.На фиг. 1 представлен аппарат, общий вид.Аппарат содержит горизонтальный цилиндрический корпус 1, включающий камеру для Фосфора (испарительную камеру) 2, камеру 3 для магния (реакционную камеру), две пористые мембраны 4 и 5, расположенные между камерами 2 и 3, нагревательную печь 6. Аппарат установлен на катках 7, нечь имеет отдельно обогреваемые зоны 8 и 9, пористые мембраны 4 и 5 закреплены в торцах камеры для фосфора (обечайки) 2,...

Травитель для химического полирования монокристаллов фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1127477

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Хусид, Яссен, Луфт, Герасимова

МПК: H01L 21/306

Метки: химического, фосфида, полирования, травитель, монокристаллов, галлия

...концентрированФ55ных азотной и соляной кислот повсей вероятности, уксусная кислотавзаимодействует с активным хлором,образующимся в смесях концентрирован 477 3 ных НС 1 и НБО с образованием хлор 3уксусной кислоты, являющейся более сильной кислотой и лучшим комплексантом по отношению ко многим ионам металлов, .чем уксусная кислота. Это способствует лучшему отводу продуктовреакции окисления фосфида галлия в системе Низ -НС 1 - СН СООН, а следовательно; и повышению полирующей способности предлагаемых составов травителей (по сравнению с прототипом);лучшее по сравнению с прототипомкачество поверхности полированных пластин, особенно монокристаллических пластин, изготовленных из высоколегированных образцов Р - СаР;получение гладкой зеркальной...

Способ получения фосфида металла

Загрузка...

Номер патента: 1430340

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Гаврилова, Маккаев, Михайлов

МПК: C01B 25/08

Метки: фосфида, металла

...аммония. Полученную смесь. нагревают на воздухе при 340 С в течение 20 мин. Получают фосфид палладия с выходом 60%. 20По прототипу на взаимодействие подают оксид металла и фосфин, и процесс ведут при 700-950 С,В таблице приведены примеры получения фосфидов различных металлов. 25При температуре ниже нижнего температурного предела получения фосфи"да соответствующего металла взаимодействие практически не идет. При температуре .выше соответствующего верхнего 30 предела температурного интервала приводит к частичному или полному разложению продукта и поэтому превышение максимальной температуры нецелесообразно.35Упрощение способа по сравнению с прототипом состоит в том, что процесс Температура проведения Состав образуюреакции в смеси, С...

Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Елсаков, Окунев, Блецкан, Искорнев, Антонов

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: фосфида, галлия, монокристаллов, термообработки

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...

Способ получения монокристаллов фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Искорнев, Росс, Окунев, Елсаков

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: монокристаллов, фосфида, галлия

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...

Способ локального травления фосфида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1814446

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Пухляков, Либо, Пригода

МПК: H01L 21/308

Метки: галлия, травления, локального, фосфида

...топологии на пластине в направ лениях 100 или ЙО Вб/Вг составляет0,08-0,15 и свидетельствует о том, что приглубоком (40-50 мкм) травлении можно безискажений перенести на пластину рисунок,заданный фотошаблоном, т.е, сохранить то-30 пологие. При Изменении направления110 до 100 расположения элементов топологии на пластине боковое подтравливание (Вб/Вг) увеличивается до 1.Температурный диапазон травителя О 30 С. Уменьшение температуры травителяниже О С приводит к кристаллизации раствора, а следовательно, к прекращениютравления, Увеличение температуры трави-теля выше 30 С вызывает селективный ха рактер травления и снижает качествотравления.Уменьшение частоты вращения при перемешивании менее 30 об/мин приводит к, ухудшению полирующих свойств...

Способ изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Матвеев, Авдеев, Пащенко, Колмакова

МПК: H01L 21/20

Метки: фосфида, индия, локальных, эпитаксиальных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Способ для лазерно-стимулированного травления фосфида индия

Номер патента: 1715136

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Яссен, Дикаев, Милявский

МПК: H01L 21/306

Метки: фосфида, травления, индия, лазерно-стимулированного

Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л:Плавиковая кислота - 0,045 - 18Бромат калия - 0,0008 - 0,32

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Крыжановский

МПК: H01L 21/208

Метки: эпитаксиального, наращивания, слоев, фосфида, галлия

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.