Патенты с меткой «эмиттер»

Автоэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 118913

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Елинсон, Ждан

МПК: H01L 29/68, H01J 1/304

Метки: эмиттер, автоэлектронный

...необходимой толщины высаживается на вольфраме при разложении паров тетраэтил 1 силиката в результате нагревания вольфрамового острия примерно до 1100 в атмосфере этих паров. Для получения во внешней части диэлектрического слоя кварца полупроводникового участка в кварц методом термической диффузии вводится углерод, образующийся при разложении метана. Толщина слоя кварца зависит от времени прогрева вольфрамового острия в атмосфере паров тетраэтилсиликата, а толщина полупроводникового слоя определяется временем прогрева покрытого кварцем вольфрамового острия в атмосфере метана. Описываемый эмиттер может быть также использован в качестве полупроводникового триода с управлением при помо. щи поля (фильдистора), В некоторых случаях, при...

Автоэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 122212

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Васильев, Елинсон

МПК: H01J 1/304

Метки: эмиттер, автоэлектронный

...качестве диэлектрика применен вт. св, М 118913, о тли ч а ю щи йс ятрукции и удешевления производствагонокрнсталл корунда (А 1.0 з). Предлагается автоэлектронный эмиттер с низкой работой выхода и стабильной эмиссией, выполненный в виде монокристалля корундя, в который введен каким-либо образом (например путем диффузии пз газовой сферы) атомарный углерод.Монокристалл корунда (А 1,0,) был выбран в качестве основы эмиттера потому, что он обладает малым электронным средством, имеет высокую температуру плавления, химически инертен и механически прочен. Эти свойства корунда позволяют получить на основе его эмиттер с малой работой выхода электронов, устойчивый к ионной бомбардировке н окислению остаточными газами. Производство монокристяллов...

Термоэлектронный эмиттер для электровакуумных приборов или коллектор для термоэлектронных преобразователей

Загрузка...

Номер патента: 149154

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Котляр

МПК: H01J 1/146

Метки: коллектор, термоэлектронных, преобразователей, термоэлектронный, приборов, эмиттер, электровакуумных

...1 цих от 30 до 40% по весу молибдена, большей плотности тока эмиссии, чем это допустимо для тантала.Предмет из обретенияТермоэлектронный эмиттер для электровакуумных приборов или коллектор для термоэлектронных преобразователей на основе сплавов тугоплавких металлов, отл ичающийся тем, что, с целью снижения работы выхода и обеспечения высокой температуры плавления эмиттера (коллектора), он вьгполнен из сплава вольфрама с ЗО - 70% по весу молибдена.Составитель: М, П. ЗолотаревРедактор 3, А. Москвина Техред А, А, Камышникова Корректор А. А. ПаньковаПодп. к печ, 20 Уг. Формат бум. 70 Х 108/и Объем 0,18 изд, л.Зак. 6032 Тираж 1000 Цена 4 коп.ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, М. Черкасский...

Вторичноэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 197024

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Шпичинецкий, Обработки, Проектный, Государственный, Титова

МПК: H01J 1/32, C22C 5/06

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...при больгпих удельных плотностях тока.Г 1 редлагаемый эмиттер на основе серебра отличается тем, что содержит присадки магния и алюминия в количестве соответственно 0,5 - 2% и 0,5 - 6%.Эмиттеру свойственно внутреннее окисление и после активирования на его поверхности не обнаруживается и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после сколько-нибудь заметные слои окислов. Это позволяет полу. чить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока,Активирование эмиттера производится путем прогрева в вакууме 10 е лгм рт. ст. при 350 - 400 С с последующим циклическим окислением под давлением 10 е млг рт, ст. в атмосфере кислорода (не менее 5 - 10 циклов, по 30 лгин каждый). Между циклами производят...

Вторичноэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 197768

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Шпичинецкий, Обработки, Проектный, Титова, Кий, Государственный, Институт

МПК: C22C 5/06, H01J 1/32

Метки: эмиттер, вторичноэлектронный

...на основе серебра. Од пако коэффициент вторичной электронной эмиссии таких эмиттеров не сохраняется стабильным при больших удельных плотностях тока.Предлагаемый втор 1 чноэлектронный эмит. 10 тер из сплава серебра отличается от известных тем, что он содержииг присадки бериллия и алюминия.Этот эмиттер имеет следующий состав, %:серебро основа 15 алюминий 0,5 - 6бериллий 0,2 - 2.Эмиттер может внутренне окисляться и не имеет на поверхности заметных слоев окислов после активирования, что позволяет полу чить коэффициент вторичной электронной эмиссии, устойчивый при больших плотностях тока. Активирование эмиттера состоит в прогревс в вакууме 10 о лглг рт, ст, при 350 - 400 С с последующим циклическим окислением при давлении 10 з лглг рт,...

Эмиттер вторичных электронов

Загрузка...

Номер патента: 234534

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Титова, Институт, Тютиков, Шпичинецкий

МПК: H01J 43/10, C22C 21/00, H01J 1/32 ...

Метки: электронов, вторичных, эмиттер

...ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНО сохр ой э йчиву ,ика. става оставу сплавов теров вторичных через воздух прп фициента вторич обеспечивает уст ном токе 70 - 80 предложенного со повкой. коэфсии и ыход- ттеры ненни высокого ектронной эмис ю работу при в Кроме того, эм 1 легко получить х электронов на - алюминий - 5 тве легирующей тамо токоустойчив етерпевает внут е коэффициен бре редме ия Змитосновегирующитийслциентаже повдействив колич тер вторич алюминия, ей присад тем, что, с вторичной .1 шения ус ю воздуха естве 0,1 -ных электроносодержащийи 1 - 3, мацелью ловыэлектроннойтойчивости эмв основу вв плава на естве ле- отличаю- коэффп 1 и, а таков к воз- стронций в из в ка гния, шени эмисситте еден ричных электротем, что в качеояд 1 с магнием...

Вторично-электронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 240113

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Малышев, Ленинградский, Лепешинска

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...окиси магния и 10 + 3 карбоната бария, Все компоненты берутся в виде порошка с размером частиц 1 - 5 мк. Однородная смесь, состоящая из указанных компонентов, прессуется в стальной прессформе под давлением 5 т/си-, Полученные таблетки (диаметром 8 и толщиной 2 мм) спекаются в вакууме под давлением остаточных газов не больше 10мм рт. ст. и,при температуре 700 С в течение б час, после чего они приобретают металлический блеск. Для превращения таблеток в эффективные эмиттеры необходимо последующее активирование в вакууме путем прогрева при 900 в 9 С в течение б час.) 1 редлагаемый эмиттер нов предназначен для исп ности в качестве холодны боров СВЧ.Известные вторичноэлек содержащие порошки окис та бария и никеля, имеют кий и стабильный...

Вторично-электронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 323051

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мггза, Стучинский, Мостоеский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...по п. 1, отлсссссссоссийссс тем, что поверхностный слой представляет собой систему из окислов двух щсло шых металлов.3. Втс)рично-эсестроннь 11 эмиттер по п. 1, ОТЛи)ССССОСССССйСЯ тСМ, Чтв ПОВЕРХНОСтиЫЙ СЛОЙ представляет собой систему из окислов щелочного и щелочно. земельного металлов,Изобретение может быть использовано при изготовлсшш элсктровакуумных приборов.Известны вторично-электронные эмиттсры с активным поверхност)ы:)1 слоем из окисла щелочного или щелочноземельного металла. 5Предлагаемый эмиттер отличается тем, что с)КТИВНЫЙ НОВСРХНОСТНЫЙ СЛОЙ НРСДСТДВЛ 51 СТ собой полностью окисленную систему из окислов не мснсс двух металлов из грушы, включающей щслочиые и щелочно. земельные ме. 10 таллы. Это увеличивает коэффициент...

Эмиттер для получения ионов

Загрузка...

Номер патента: 295214

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Голубков

МПК: H05H 5/00

Метки: эмиттер, ионов

...втом числе и на поверхность эмиттера, такжемало, а значит, мал и ионный ток пучка, создаваемого ионизованными частицами, Увеличение размеров вершины эмиттера-острия иповышение давления в межэлектродном объеме не могут обеспечить существенного увеличения интенсивности ионного пучка, поскольку увеличение размеров вершины эмиттера ограничено требуемой для созданияионизующего поля разностью потенциаловмежду электродами; увеличение же давления в объеме ограничивается опасностью пробоя межэлектродного промежутка.Кроме того, конструктивное выполнение известного эмиттера в виде сплошного острияделает необходимым заполнение межэлектродпого объема атомами вещества, подлежащего ионизации, и является причиной выхода из межэлектродного объема...

Вторичноэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 308468

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Афонина, Стучинский

МПК: G01R 7/18

Метки: эмиттер, вторичноэлектронный

...Х,1971 621,383:537.533(088.8) орн Совете Министров СССРДа Авторыизобретени Ф. Афонина и Г, Б. Стучински 1" "3 Л НАЯ аявител ЧНОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР Полученн ным 6 (приДругим п ра являетс видимой об ы в нтом ичи- троости. едмет изобретения в виде тон.и цезий, отвышения конего введен Втор ичноэлектой пленки, содеичаюитийся темффициента вторарий. онныиржащ что, стчной эмиттер " теллур целью п миссии,овы- ввеботкой слоя, спарах цезия. Изобретение отноборам, а именно Р р н умножителям.Известны вторичноэлектронные эмиттер виде теллуроцезиевого слоя с коэффицие вторичноэлектронной эмиссии (квээ) вел ной до 4,5 (при энергии первичных элек нов 100 эв) и 9 - 10 в максимуме зависимДанный вторичноэлектронный эмиттер основе теллуроцезиевого слоя...

Вторйчно-элект1ронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 314249

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Стучинский, Федорова, Вильдгрубе, Титова, Климин, Вители, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/28

Метки: вторйчно-элект1ронный, эмиттер

...ЭМИТТЕР Предмет изобретени Йзобретение относится к электроннь 1 м приборам, а именно, к электронным умножителям,Известны вторично-электронные эмиттерыиз тройного сплава на алюминиевой основе,содержащие в качестве активных элементовщелочной металл (например, литий) и щелочно-земельный металл (например, магний).Известный сплав не обеспечивает сохранения формы эмиттеров вторично-электронныхумножителей при прогреве их до температуры выше 560 С, обязательном в процессе активировки, необходимой для достижения наибольшего коэффициента ухгножения сплава.Предлагаемый эмиттер содержит, кромеуказанных компонентов (0,3 - 5% магния и0,05 - 3% лития), титан в количестве0,5 - 5%. Этот эмиттер выдерживает высокотемпературный прогрев (до 620"С) без...

Вторичноэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 357624

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Рогельберг, Шпичинецкий, Титова, Вильдгрубе, Стучинский, Мостовский

МПК: H01J 43/10

Метки: эмиттер, вторичноэлектронный

...металлами имеют недостаточно высокий коэффициент вторичной электронной эмиссии.Предлагаемый вторичноэлектронный эмиттер, выполненный из сплава алюминия с литием (0,5 - 4%), окисленного при температуре 400 - 500 С, обеспечивает получение повышенного коэффициента вторичной эмиссии при энергии первичных электронов 50 - 80 эв.Экспериментальной проверкой установлено, что эмиттеры из сплавов алюминий - литий после соответствующей активировки при энергиях 50 - 80 эв имеют коэффициент вторичной эмиссии 3 - 3,5. Для обеспечения таких значений коэффициента вторичной эмиссии содержанне лития в0,5%.Поскольку эную конфигурны из тонкихтовления пластмогут содержаактивированиятивной вторичгреве динодовпературах 400 миттеры (диноды) имеют...

Эмиттер горячих электронов

Загрузка...

Номер патента: 383107

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01J 1/308

Метки: горячих, электронов, эмиттер

...позволяет применять катод как в обычных электровакуумных приборах, так и в микромпциатюрных вак умных устройствах.=гмиттер горячих электронов ца основе полупроводникового материала, работающий при приложении поперечного электрического поля, от,гггчаюгггггйся тем, что, с целью повы шения плотности тока эмиссии и увеличения эффективности, оц выполнен из пленки двуокиси олова, цацесецной на диэлектрическую подложку и имеющей локальную область с повышенным сопротивлением, пересекающую пленку преимущественно по нормали к вектору напряженности электрического поля. Изобретение предназначено для использо вания в электровакуумных приборах.Известны холодные катоды на основе полупроводниковых монокристаллов, в которых эмиссия обеспечивается...

Электронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 404142

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01J 1/30

Метки: электронный, эмиттер

...сегнетоэлектрика (т, е. песколько электропвольт).При обработке поверхности сегнетоэлектрика (например Сз или Сз 20), понижающей поверхпостный потенциальный барьер, возникает возможность эффективного регулирования электронного сродства х в широких пределах за счет изменения величины сегцетоэлектрической поляризации под действием изменений 1 емпературы, внешнего электрического поля или иных факторов.Возможность регулирования сродства можно использовать для реализации электронного эмиттера с двумя устойчивыми состояниями эмиссионным и ацтиэмиссиоциым, т. е. для реализации запоминающей эмиссионной структуры.Область сегцетоэлектрического кристалла (фиг. 2) со сиижеиным электронным сродством для трех различных состояций поляризации...

Эмиттер электронов

Загрузка...

Номер патента: 482827

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Загребнева, Сидорова, Тимонина, Сухариер

МПК: H01J 1/316

Метки: электронов, эмиттер

...состоит из плоской диэлектрической подложки 1, пленочных контактов 2, 3, в зазоре между которыми находится собственно эмиттер, состоящий из слоя окиси бария или другого активатора, например: ВаГ, СзГ - 4 и т. д., толщиной от сотен атомных слоев и более, на поверхность которого наносится днспергпров.шная металлическая пленка 5, покрытая сщс одним актпвпрующим слоем 6 плп без него.Предлагаемый эмпттср позволяет получать максимальные токи эмиссии и 300 - 500 мк прп эффективности до 5 - .7 о 1-1 апряженпе па электродах прн этом составляет 20 - 30 в (Еср - =2,5104 в/см), Предлагаемый эмпттер электронов может стабильно работать в течение не менее 1000 часов, обсспс пшая токоотбор 15 - 20 мка при эффективности 1 - 1,5 ото.Более...

Электронный эмиттер с пониженным электронным сродством

Загрузка...

Номер патента: 575711

Опубликовано: 05.10.1977

Автор: Стригущенко

МПК: H01J 1/30

Метки: электронный, сродством, пониженным, эмиттер, электронным

...эмиониженным электронным сродством.ащий подложку и эмиттирукнций слойве сегнетоэлектрика 1 11, В немуется монокристалл сегнетоэлектриярная ось которого направлена перлярно к плоскос 1 и алектродов, аость обработана а или Св 0поим потенциальный барьер,остатком этого эмиттера являетсяельно низкая эффективность эмиссии, низкая термостабильность и малысрок службы,Целью изобретения является повышение 5 аффективности эмиссии, увеличение термостабильности и срока службы амиттера. Указанная цель достигается теамиттирующий слой выполнен из н О лития в смеси с 10-20 вес.Ъ тит изготовлении эмиттера на молибдеодложку наносится слой, состоящий н ниобата лития и порошкообраз тана,с биндером (раствор нитроки в амилацетате). Затем произво т...

Термоэлектронный эмиттер для магнетронов сантиметрового диапазона

Загрузка...

Номер патента: 348122

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Кульварская, Марченко, Панин

МПК: H01J 1/144

Метки: термоэлектронный, диапазона, магнетронов, эмиттер, сантиметрового

...токи эмисии в импульсном режиме 75 а/см, что в три раза больше эмиссии, получаемых с Т ЬО -кат тех же температурах накала. то ого,учить дотоков ода при н и я ор мула иэ о Термоэпект нов сантиметр ющийся срока службы сии, в качеств дов применена си иттрия с о агнетроличаышениятока эмио оки(6) Дополнительное к а(43) Опублнкованд 25.10 Изобретение относится к электронике СВЧ, в частности к катодам мощных импульсных магнетронов.В известных катодах в качестве активной массы используется окись тория, нанесенная на танталовый керн, Кроме того, и вестны металлокерамические оксидно-ториевые катоды, прессованные из окиси торин и молибденового или вольфрамового порошка,Недостатками известных катодов являют О ся низкая эмиссионная способность и...

Фотоэлектрический эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 519042

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Немченок, Мостовский, Климин

МПК: H01J 39/06

Метки: эмиттер, фотоэлектрический

...в оптическом диапазоне длин волн светового излучения, содержащий основу иэ полупроводникового материалас дырочной проводимостью и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующей поверхность основы до состояния отрицательного электронного сродства 2 .Однако этот эмиттер имеет неод"ную основу, что приводит к ухудю характеристик из-за недостаой,.устойчивости основы к темпе- рным воздействиям. ормула изобретения нородшениточирату Изоб ам элек ом ваку ам, и и акуумных ителей,Извес а дснов Я.ель изобретения - повышение ческой устойчивости и однородосновы эмиттера. Фотоэлектронный эмитт ненный на основе соедине А В 4 С, например Ъ бвР более высокой однороднос можностью длительного во повышенной температуры п его основы. Ю...

Плазменный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 746769

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Щанин, Крейндель, Казьмин, Коваль

МПК: H01J 3/02

Метки: эмиттер, плазменный

...камера этого эмиттера включает в себя прямоугольную пеннинговскую 10электродную систему образованную холодными катодами 1 и промежуточным анодом 2 с отверстием 3 малого диаметра.Магнитное поле между катодами обеспечивается с помощью постоянного магнита 154 с магнитопроводами 5. Рабочий гаэ вкамеру поступает по трубке 6. Анод-разрядной камеры 7 выполнен в виде цилиндрического стакана, часть которогосоставляет анодную полость 8. На одном 20торце эта полость имеет отверстие малого диаметра 9, соосное с отверстием промежуточного анода, а на другом установлен перфорированный электрод-сетка 10,Внутри полости анода на трех тонких 25стержневых стойках 11 закреплен электрод 12, находящийся под потенциаломанода разрядной камеры. Этот...

Фотоэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 775786

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Балодис, Александров, Белкинд, Нейланд, Кокина, Залесская, Мурашов

МПК: H01J 1/34

Метки: фотоэлектронный, эмиттер

...солей с цезием.Недостатком такого эмиттера является ограниченность его фоточувст% вительности длиной волны, равной 400 нм.Известен также другой фотоэлектронный эмиттер, содержащий гетероароматическое соединение и щелочной ме В талл 121Недостатком этого фотоэлектронного эммитера является низкий квантовый выход в ультрафиолетовой области спектра.Целью изобретения является повышение квантового выхода в ультрафиолетовой области спектра.указанная цель достигается тем, что в качестве гетероароматического 30 соединения применен тетраселенотетрацен. В качестве щелочного металла может быть применен цезий.На чертеже представлена спектральная зависюеость квантового выхода Фотоэмиттера на основе комплекса тетраселенотетрацена с...

Вторичноэлектронный эмиттер, работающийна прострел

Загрузка...

Номер патента: 743469

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Ямнопольский, Николаенко, Лихтенштейн, Шабельникова

МПК: H01J 1/32

Метки: работающийна, эмиттер, вторичноэлектронный, прострел

...с другими, такие змиттерь 1 практически ненашли применения в приборах. 30 Недостатком этих эмиттеров явл ются низкие значения Г при малых зна чениях Ер ( 1 кэв) из-за потери энергии и самих первичных элект ов в проводящем слое.Цель изобретения - снижение у ряющего напряжения Ер, т.е. существенное увеличение (T при малых Ер ( 1 кэв).Для этого в предлагаемом устройст ве проводящий слой выполнен из элемента периодической системы с атомным номером, меньшим, чем у алюминия,и не образующего окисла при работе эмитт ра, например из тонкого слоя углеИсточники информации15 принятые во внима 1 гие п 1 эи экспергизе Формула изобретения 1. Вторично-электронный эмиттер,работающий на прострел, содержащий Составитель Г. жуковаТехред д. Ач...

Эмиттер электронов

Загрузка...

Номер патента: 855782

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Петров

МПК: H01J 1/316

Метки: эмиттер, электронов

...эмиттер. Кроме того, конструкциядопускает уменьшение поверхноститокоприемной части контактных электродов и, как следствие, улучшениетокораспределения между контактнымиэлектродами с одной стороны и кол"лекторами (анодами) приборов - сдругой.На чертеже показан эмиттер элек- ЗО тронов.4 855782 Формула изобретения Составитель Г,ЖуковаРедактор Л.Копецкая Техред А.Бабинец Корректор М.Коста Заказ 6941/75 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раущская наб., д,4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Эмиттер содержит части 1 пластин- чатого диэлектрического основания, контактные электроды 2 и 3, активированные островковые металлические пленки 4. Основание может...

Вторично-электронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 900341

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Титова, Шпичинецкий, Королькова, Глуховский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...с сурьмой, причем содержание сурьмы составляет 0,2 - 5,0 вес. %Из сплава на основе меди или алюминия,содержащего 0,2 - 5% сурьмы можно изго900341 Формула изобретения Составитель В. Белоконов Редактор В. Иванова Техред А. Боикас Корректор Г. Решетник За к аз 12192/69 Тираж 757 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4товить ленту и отштамповать диноды после чего, проактивировать их прогревом в вакууме и в парах щелочных металлов. Содержание сурьмы в сплаве в количестве меньше 0,2% не имеет смысла из-за низкой эффективности, а повышение содержания сурьмы выше 5% приводит к снижению пластичности сплава, что...

Автоэлектронный эмиттер с локализованной эмиссией

Загрузка...

Номер патента: 1069029

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Васичев, Рыбаков, Кузнецов

МПК: H01J 1/304

Метки: эмиссией, эмиттер, автоэлектронный, локализованной

...поверхцосги острия эмиссионно-активной присадкой, растворенной В его объеме и доставленной ца сго поверхность за счет диффузии с цро 1 ц.ссом тсрмо 1 юлевой перестройки, при которой происходит рельефное выделение наиболее цлотцоуцакованных граней. В результате ца поверхности острия образустс 51 1 икрсвыступы, состоягцие из скоплсп 151 атомов эмиссиоццО.ктиВной присадки, коц 1 сецтр 51 руюсцихся, главным образом, В мсстх цибольшсго градиента электри 1 О 15 20 25 ЗО ческого поля. На микровыступах происходит локальное усиление электрического поля, а также за счет хемисорбционного взаимодействия электроположительного к подложке адсорбата избирательное снижение работы выхода. Суммарный эффект изменения Е и 1 для центральной грани...

Автоэлектронный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 1078492

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Кузнецов, Курочкин

МПК: H01J 1/304

Метки: эмиттер, автоэлектронный

...достигается тем, что в автоэлектрон нам эмиттере, содержащем цилиндрический керн, на котором расположена проволочная спираль, отношение шага спирали к диаметру проволоки составляет 2 - 3, а витки спирали фиксированы слоем аквадага толщиной 0,5 - 0,8 диаметра проволоки.На чертеже показана схема автоэлектронного эмиттера.Автоэмиттер состоит из стержня-держателя 1, на который навита в виде спирали металлическая проволока 2, слой аквадага для закрепления эмиттера 3.При диаметре навиваемой нити, равном д, шаге навивки К диаметре стержня-держателя 0 и его длине г, площадь внешней эмиттирующей поверхности такого эмиттера (в предположении, что эмиттирует только 1/3 всей поверхности) может быть определена из формулыЭффективная эмиттирующая...

Контактный эмиттер

Загрузка...

Номер патента: 668489

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Максимов, Карелин, Кравцова, Кандалов

МПК: H01J 37/08, H01J 3/04

Метки: эмиттер, контактный

...-того," "что" тблькочасть этих участков обладает максимальной эмиссионной способностью Причиной указанных недостатков являетО щлотуиярнаяСтруктура"и -низкая35 40 Данное обстоятельство может быть объяснено тем, что в подобных контактных эмиттерах сетки имеют обычно большую прозрачность и эмиттер обладает высокой проницаемостью. Следствием этого является малый перепаддавления рабочего вещества на эмиттере, что обуславливает сильную завйсимость эмиссионных свойств от величины Потока цезия сквозь эмиттерКрометого, вольфрам, часто используемыйдля изготовления контактных эмитте-.ров, имеет большую теплоту десорбции"йонов цезия, что определяет сравни-, тельно высокий уровень требуемых ра 45 бочих температур эмиттера,Целью изобретения является...

Эмиттер вторичных электронов

Загрузка...

Номер патента: 852097

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Афонина, Майор, Климин, Янюшкина, Янюшкин, Стучинский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичных, эмиттер, электронов

...прямого55и непрямого переходов в этом твердомрастворе совпадают, В качестве прямозонного полупроводника может быть выбран, например фосфид индия, арсенид индия, антимонид индия, арсенидгаллия или антимонид галлия. Непрямозонным полупроводником могут быть,например фосфид галлия, фосфид алюминия, арсенид алюминия или антимонид алюминия.Разброс энергией вторичных элек-,тронов в значительной мере связанс выходом в вакуум не только электронов, термализованных в абсолютномминимуме зоны проводимости (например,Г-минимуме в СаАз или Х-минимума вСаР), но и электронов, находящихсяв более высоких минимумах зоны проводимости (например Х-минимуме вСаАз и Г-минимуме в СаР), При этомцентральный т.е. Г-минимум, является наинизшим (абсолютным...

Твердотельный эмиттер ионов калия

Загрузка...

Номер патента: 1663641

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Сердюк, Степаненко, Комаров, Голубев, Козачек, Ткач

МПК: H01J 3/04

Метки: твердотельный, ионов, эмиттер, калия

...изискусственных алюмосиликатов получалисьлишь при более жестких режимах,Был проведен массовый и энергетический анализ пучка ионов, полученных с применением эмиттера, изготовленного изортоклаза, Исследования показали, что пучок состоит из ионов К и тяжелых примесей, масса. которых в 2 раза и болеепревышает массу К, количество примесей 15не превыШает 1 ф. При необходимости пол+учения пучка ионов К. высокой массовойоднородности эти примеси могут быть легко отсепарированы.Поскольку образцы ортоклаза из различных месторождений сходны по химическому составу (присутствуют лишьнезначительные количества примесей СаО,ВаО, Ге 20 з и др., влияющих на его эмиссионные свойства) и идентичны по всей кристаллической структуре, то не...

Термоэлектронный эмиттер

Номер патента: 1385895

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Цыба, Шумилин, Логинов, Наумкин, Чужко, Репников

МПК: H01J 1/14

Метки: эмиттер, термоэлектронный

Термоэлектронный эмиттер, содержащий керн из графита или материала на его основе, например пироуглерода, и эмиссионное покрытие из гексаборида лантана, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, снижения мощности накала и повышения механической прочности, между керном и покрытием из гексаборида лантана расположены два слоя, при этом слой, непосредственно контактирующий с керном, выполнен из карбида переходного металла IV-V групп периодической системы элементов толщиной 100-200 мкм, а слой, расположенный между карбидом и эмиссионным покрытием, выполнен из диборида того же металла толщиной 25 - 50 мкм.