Патенты с меткой «диодных»

Способ получения диодных матричных и полосовых структур

Загрузка...

Номер патента: 168329

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сидоренко, Савченко

МПК: G11C 11/36

Метки: матричных, диодных, структур, полосовых

...ЯЬ в атмосфере водорода при температуре 850 С. После этого в полученной п-р-п-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствую щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 - 90 мм, 30 Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8 - 0,9 мм). Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока /=0,1 - 0,15 а/см 2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а...

Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур

Загрузка...

Номер патента: 168519

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Сидоренко, Савченко

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: полосовых, микроэлектронных, диодных, структур, матричных

...в 10%-ном при плотности тока 1 = 0,2 - пор, пока р-гг-столбики гермаишь на перекрестиях, где имеаемый спо что слой снимают холостые алениПредлагных тем,германияровкой, ают полным уднии,Это позволяет уптовления диодных мизолирующие свойсшин матриц.Сущность способа соб отлича исходнойэлектрохимперекрестием германг ется от известг-р-п-пластины ической полия шин получая при травлеостить технологию изгоатриц (полос) и повысить ва холостых перекрестий О Таким образом, получается ная диодная матрица, предста две взаимно перпендикулярны раллельных шин, в утолщения положены диоды. икроэлектронляющая собойсистемы пакоторых расзаключается в следующем.Исходный матер подвергают двусто в атмосфере водор слоев полученной электрохимической кой...

Способ получения диодных матриц

Загрузка...

Номер патента: 177688

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Савченко, Институт

МПК: G06G 7/46

Метки: диодных, матриц

...АН УСС ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОДНЪХ МАТ Способ получения диодных матриц, апример, из микроэлектронных и - р - и (р - и - р)- матриц, путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные перекрестия матрицы, отличтогггийся тем, что, с целью устранения изолирующих участков в перекрестии и возможности биполярного 0 включения элементов (диодов), подают упомянутое напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя и - р (р - и)-перехода,Заявлено 07,111,1964 (ч"с присоединением заяПриоритетОпубликовано 18.Х 11,1Дата опубликования о Известны способы получения диодных матриц путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные" перекрестия матрицы.Предложенный способ...

Многоканальный коммутатор на диодных переключателях тока

Загрузка...

Номер патента: 311266

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Костин, Легович, Мочалов

МПК: H03K 17/24

Метки: коммутатор, диодных, переключателях, многоканальный

...тока 2, входные резисторы 3, проходные диоды 4, управляющие диоды 5, резисторы смещения 6 и 7, компенсирующие диоды 8 и источники смещения.Выбор канала коммутатора осуществляется одновременно включснием входного и, соответствующего ему, группового диодного ключа. Для этого на вход управления коммутируемого входного ключа, а также на вход управления соответствующего группового ключа подаются положительные потенциалы. Управляющие диоды этих ключей закрываются, а проходные - открываются и ток, обусловленный величиной входного на лряжения, поступает на выход коммутатора.Остальные входные и групповые ключи остаются закрытыми. Благодаря тому, что выход каждой группы коммутируется дополнительным диодным ключом, суммарная емкость...

Устройство для измерения дифференциального сопротивления диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 482697

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Чеснис, Рибикаускас

МПК: G01R 31/26

Метки: структур, диодных, дифференциального, сопротивления

...и генератор 12 прямоугольных импульсов. При помощи положительного импульса, поступающего из мультивибратора 8, коммутатор 7 переводится в состояние открыто и сигнал с резистора 4 через этот блок и сумматор 9 подается на вход вертикального отклонения осциллографа. В это же время напряжение на другом выходе мультивибратора 8 скачком уменьшается и коммутатор 6 переводится в состояние закрыто. Длительность импульсов на выходе генератора 12 подбирается равной продолжительности пребывания мультивибратора во временно устойчивом состоянии, которая больше продолжительности переходных процессов в измерительной цепи, но меньше длительности импульсов на выходе источника 5 управляющего напряжения, Таким образом, при поступлении на вход усилителя...

Адаптивное устройство для проверки диодных схем

Загрузка...

Номер патента: 526832

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Коробочкин

МПК: G01R 31/02, G01R 31/28

Метки: адаптивное, диодных, проверки, схем

...и каждый раз путем опроса остальных контрольных точек электронным коммутатором 2 оценивается реакция на этот сигнал схемы соединений объекта 8 контроля, Появление во время опроса ответного сигнала в любой из контрольных точек фиксируется в блоке 5 управления как прямая связь в соединении. После этого блок 5 управления изменяет полярность пробного сигнала на обратную и через электронный коммутатор 2 фиксирует обрывов этой связи, что свидетельствует о том, что в соединении между контрольными точками имеется исправный диод. Затем полярность пробного сигнала восстанавливается, и электронный коммутатор 2 продолжает опрос остальных контрольных точек, а блок 5 управления фиксирует количество контрольных точек с диодной связью в...

Способ балансировки диодных мостовых схем

Загрузка...

Номер патента: 687399

Опубликовано: 25.09.1979

Авторы: Вишняков, Поливанов

МПК: G01R 17/10

Метки: схем, мостовых, диодных, балансировки

...6 и амплитуды Е и Е . Периодповторения импульсов равен Т. Выходное1 О напряжение О ,мостовой схемы"вых215 юа +.б ьгде Ца - прямое падение найряжения на диодах 3 и 4;К,Чь - сопротивление резисторов205 и 6,Из соотношения следует, что балансНа фиг. 1 представлена диодная мос- схемы (Оы=О ) может быть устатовая резистивная схема, пример реа- новлен как раздельной регулировкой амплизации предложенного способа; на фиг.2 литуд импульсов Е и Етак играфически показана возможная форма 25 регулировкой их длительности 1 исигнала генератора; на фиг, 3 - диодная Представленная на фиг. 3 резистивмостовая резистивно-емкостная схема, Но-емкостная диодная схема может исДиодная мостовая резистивная схема пользоваться для включения емкостных(см. фиг. 1)...

Способ регулирования фазового детектора на диодных оптронах

Загрузка...

Номер патента: 932588

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Шилов, Желтиков

МПК: H03D 13/00

Метки: фазового, диодных, детектора, оптронах

...выводам18 и 19 присоединяют нагрузочный резистор 11 фазового детектора и вольтметр 20 постоянного тока. Переменные 10резисторы 16 и 17 и миллиамперметры13 и 14 устанавливают вне цепейдетектора. Перед включением источника 12 коммутирующего напряжения сопротивления резисторов 16 и 17 полностью вводятся в цепи светодиодовоптоонов.После подачи коммутирующего напря.жения с помощью резисторов 16 и 17по миллиамперметрам 13 и 14 выставляют токи светодиодов, равные 10 мАноминальное значение.Измеряют остаточное напряжениедетектора. Затем отключают коммутирующее напряжение и вывод последовательного соединения оптронов одногоплеча моста, например оптронов 1 и2, подключенных к выводу 9 нагрузки,присоединяют к выводу 10, а выводпоследовательного...

Устройство для контроля диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 1081573

Опубликовано: 23.03.1984

Автор: Шраго

МПК: G01R 31/26

Метки: структур, диодных

...собой, а параллельно каждой обмотке реле и между смежными контактами второй розетки для подключения звеньев диодной магистрали контролируемой структуры подключен соотнетствующий диод н обратном направлении, первый вывод соединения обмоток реле подключен к первому выводу индикатора, а группа замыкающих контактов реле соединена между собой последовательно, причем первый вывод ее соединен с вторым выводом индикатора, а второй - с вторым выводом первого резистора, контакты третьей розетки для подключения звеньев диодных ответвлений контролируемой структуры соединены с контактами этой розетки для подключения смежных звеньев диодной магистрали контролируемой структуры, а второй контакт третьей розетки для подключения звеньев диодной...

Устройство для контроля диодных матриц

Загрузка...

Номер патента: 1559319

Опубликовано: 23.04.1990

Автор: Малецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: матриц, диодных

...и контроляпрямого падения напряжения, Аналогично производится проверка третьего ичетвертого диодов. По пятому тактовому импульсу генератора 8 импульсов блок 6 синхронизации выдает сигнал и первый коммутатор 2 для подктпочения всех первых выводов контролируемых диодов 3 к генераторутока. При этом производится контрольразбаланса тока Т всехвозможных 45параллельно включенных пар диодовв диодной матрице, причем вывод одного иэ диодов пары подключается кобщей шине, а вывод второго диода -к входу блока 7 контроля тока. . 50Составитель В,Сум Изобретение, позволяет повыситьпроизводительность и достоверностьконтроля диодных матриц. 15 формула изобретении Устройство для контроля диодных матриц, содердащее генератор импульсов, генератор тока,...

Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур

Номер патента: 1274558

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Смирнов, Склизнев, Воробьев, Юрченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, полупроводниковых, структур, параметров

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...

Способ изготовления диодных матриц

Загрузка...

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Елкин, Бекирев, Хитько, Шелюхин, Семеников, Полторацкий, Дмитриев, Казаков

МПК: H01L 21/46

Метки: матриц, диодных

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...