Патенты с меткой «диэлектрик»

Диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 45994

Опубликовано: 29.02.1936

Автор: Богородицкий

МПК: H01B 3/08

Метки: диэлектрик

...постоянные,. в технике неприменяются из-за некоторых отрицательных особенностей этих кристаллов,в том числе чрезмерно болвших диэлектрических потерь.Изобретение касается твердого диэлектрического материала с повышенным значением диэлектрической постоянной, в состав какового материала входят аморфная двуокись титана (ТОг) исиликаты. Такойдиэлектрий описан в. авторском свидетельстве % ЗЗб 11 в применении, в частности, к электрическомуконденсатору,стью настоящего изобретение подобный упомянутому диэлекотличающийся от известного. в качестве силиката использоно-свинцовое стекло, содержа. о 80% РЪО и около 20% В,О, м аморфная двуокись титана а со стеклом при температуре: Сущнвляется рик, но ем, что ано бор щее окол При это плавлен...

Коллоидальный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 64256

Опубликовано: 01.01.1945

Автор: Кисин

МПК: H01B 3/02

Метки: коллоидальный, диэлектрик

...к;1 ллоида.иного диэлектрика, применяемого, например, при изготовлении приемо передающих радиоустановок и т. д.Согласн(о изобретению, предлагаемый коллоидальный диэлектрик изготовгпяется из пирофилита в количестве около 90 о 1 о, углекислого кальция 7 оо и углекислого бария 3 оПластичность достигается пх тем применения тонкого помола до дисперсного состояния.Исходным сырьем служит пирофилит Овручского месторождения 1 разновидность В 1, качество которого определяется по формуле12511 г:(е- диэлектрический у(ол потерь, 125 - переводный коэфициент угла потерь кварца по отношеншо к другим электроизоляционным материалам, а - процент содержания 110 в минерале, 11 - процент содержания всех компонентов, входящих в минерал, за иск.(ючением...

Высокочастотный керамический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 66065

Опубликовано: 01.01.1946

Авторы: Вул, Гольдман

МПК: H01B 3/12

Метки: диэлектрик, высокочастотный, керамический

...к. Зак. 152, Отв. редактор В. Н, Костров.А 00237. Подписано к печати 20/1-1948 г. Типография Госплаииздата им, Воровского, Калуга Большинство диэлектриков, применяемых в качестве электроизолирующих материалов, обладает диэлектрической провицаемостью, измеряемой несколькими единицами или несколькими десятинами единиц, Применяемые для керамических конденсаторов соединения рутила обладают диэлвктричеекой проницаемостью, близкой к 100.Для повышения диэлектричеокой проницаемости предлагалось добавлять к углекислым окислам щелочиоземельных металлов двуокись титана и смесь нагревать до 1400 - 150 0 О.Детальные исследования авторов показали, что при выборе компонентов смеси в соопношении, равном отношению их молекулярных весов или близком к...

Нелинейный керамический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 262201

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Шворнева, Веневцев, Бронни, Климов, Дидковска

МПК: H01B 3/12

Метки: диэлектрик, нелинейный, керамический

...связанной радиоэлектронной аппаратуры необходимы материалы, обладающие высокой не- линейностью диэлектрической проницаемости и более низкими, чем у известных материалов, диэлектрическими потерями (1 о,001),В предлагаемый диэлектрик для повышения нелинейности диэлектрической проницаемости введена окись (или титанат) цинка в количестве от 1 до 30 мол. %, а для снижения диэлектрических потерь - титанат кальция в количестве до 45 мол. %(РЬБг Са,Хпт, х ) Т 10 з г - 0+ 0,4 о,п=1+20 мол, %Введение кальция в керамикуснижает диэлектрические потери ирегулировать значения диэлекгричницаемости, Введение цинка улучшние керамики и замет:1 о сникает тадиэлектрических потерь (до 0,00Изменяя соотношения свинца иэлементов, можно менять темпераи...

Способ нанесения двуокиси марганца на диэлектрик тонкопленочньх конденсаторов

Загрузка...

Номер патента: 294191

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ибл, Сапронова

МПК: H01G 4/10

Метки: двуокиси, конденсаторов, марганца, диэлектрик, нанесения, тонкопленочньх

...катодцым распылением, с подслоем титана с алюминием, нанесенным термическим распылением ца силалловую подложку. Рисунок соответству ющей конфигурации получают фотолитографическим способом. Затем подложка со слоями Т 1 - Л 1 - Та помещается в электролитическую ванну. Гновое анодирование проводится в 0,030/,-ном водном растворе винной кислоты с рН 5 - 6. Далее пленка окисла проходит цикл тсрмообработки прц температуре 200-1-10 С в течение 5 час ц обрабатывается в 0,1 %-ном 5 растворе Мп(.Оз)2 в этцловом спирте прикатодцом ьключепцц в течение 1 - 10 итти при напряжении, равном т/в напряжения формовки диэлектрика. Время травления выбирается в соответствии с толщиной и качеством 10 диэлектрика.Повторное анодирование проводится црианодцом...

Керамический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 325640

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Никифорова, Дидковска, Бронников, Климов

МПК: H01G 4/12

Метки: диэлектрик, керамический

...Таз+, т, е. путем создания диэлектрика для управляемых конденсаторов на основе твердого раствора ферротанталата свинца и титаната бария с добавкой окиси лития,м диэлектрике в твердом ра- РЬ (1 е 0,5 Мео 5) Оз в качестве .1 Таз". и, кроме того, введена лития, Содержание ВаТ 105 8 мол. , окиси лития 1- -оретепия поясняется следуюИз полученной шихты изготавливают брикеты, которые подвергают обжигу при 850 - 900 С в течение 2 - 3 час. Затем брикеты из мельчают в порошок, добавляют раствор поливинилового спирта в качестве связки и прессуют изделия, Спрессованные изделия спекают в печи при 1150 С в течение 1 часа.Электроды наносят вжиганием серебра при 20 750 - 800 С в течение 15 - 30 1 шн, Полученнаякерамика имеет следующие электрические...

Керамический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 333614

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дидковска, Климов, Бронников, Кисель

МПК: H01C 7/10, H01C 17/00

Метки: диэлектрик, керамический

...итал а.ктрик имеет нла диэлектрич 1. Керамния конденна основе ти феррониоокислов свии тантала,уменьшенияпотерь, онлития. ческии диэлектрик дл саторов с управляемой вердого раствора фер бата свинца, полученно нца, бария, железа, тит отличающийся тем, чт тангенса угла диэл содержит титанат баредостаточно еских по 10В целях уменьшения танг трических потерь в конденс мый керамический диэлектр содержит титанат бария иКерамический диэлектрик товлен из исходных компоне количественных соотношениокись свинцаокись барияокись железаокись титанаокись ниобияокись лития ектрик с управляемойающийся тем, что онпоненты в следующихениях, вес. %:63,10 - 58,60,0,43 - 4,51,11,27 - 10,48,0,22 - 2,35,9,40 - 8,72,0,08 - 0,87 амическииюпоп.1,т исходнь венных сь...

Фольгированный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 344511

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Хман, Сычева, Ивашкин, Иванова, Терешин, Костогарова, Карева, Калмыкова

МПК: H01B 3/40

Метки: диэлектрик, фольгированный

...при Изобретение относится к электроизоляционным материалам и может быть использовано для изготовления многослойных печатныхплат.Известен фольгироваппый диэлектрик дляпечатных плат на основе медной фольги,стеклоткани и эпоксидного связующего, состоящего из эпоксидной смолы и отвердителя - хлорсодержащего ароматического диамина. Однако известный диэлектрик плохо поддается травлению в отвержденном состоянии,обладает недостаточной адгезией к фольге,что требует дополнительной клеевой прослойки, и пе обеспечивает достаточной жизнеспособности пропитанного этим связующим наполнителя.Цель изобретения - придание диэлектрикуспособности к полному растворению в процессе травления после отверждения связующего,повышение его жизнеспособности и...

Диэлектрик для анектронных элжштовв п т 5 inufi sjisffrrrrtc-t i1ад гг. з: ьл; ей gt; amp;

Загрузка...

Номер патента: 433697

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Иностранна, Мерк, Иностранец

МПК: H01B 3/18, G02B 1/06, G02F 1/13 ...

Метки: sjisffrrrrtc-t, диэлектрик, элжштовв, гг, i1ад, анектронных, inufi, l-(+

...примере 5 онисывается возможное применение нредлаженных веществ.П р и м е р 5. Между двумясветонроницаемыми снабженными контактами проводящими стеклами любого размера наносится тонкая пленка указанных соединении формулы Хили смесей с толщиной слоя 5-20мкм. Если к этой системе прикладывается постоянное напряжение 5 и20 в,то прозрачное нрежде пластинчатое устройство с возрастаниемнапряжения становится ненразрачным. Этот процесс имеет обрати-,мость во всей области температуржидкокристаллической фазы. Галиодно из стекол вместо проводящегоноверхностного слоя снабжено электродным растром,то нри подаче напряжения этот растр становится видимым. Таким образом, показан принцип плоской системы йзображения. 433 февиловый э , 4,4 =дифенилокси=...

Устройство для подачи антистатического раствора на наэлектризованный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 467507

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Розенталь, Шихов

МПК: H05F 1/02

Метки: диэлектрик, подачи, раствора, наэлектризованный, антистатического

...мм (ближнее к волокну положение электрода на расстоянии 8 -10 мм),25 Для снятия утечки зарядов на поверхностьволокон (диэлектриков) 1 наносят антистатический раствор, обеспечивающий повышеннуюповерхностную проводимость.Истечение антистатика 4 и его рас30 зависят от напряженности внешнего3ческого поля (т. е. заряда на диэлектрике), в котором находится жидкость в капилляре 5. Чтобы исключить заметное ослабление поля, капилляр 5 выполняется из диэлектрика.При наличии большого заряда на поверхности волокна, т. е. высокого потенциала или большой напряженности электрического поля, происходит истечение антистатического раствора 4 с большой скоростью и интенсивным распылением,При снижении заряда статического электричества на поверхности волокна...

Гибкий фольгированный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 501504

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Батракова, Гудимова, Моценят, Гусинская, Котон

МПК: H05K 3/10

Метки: диэлектрик, гибкий, фольгированный

...в нормальныхизбыточного рао;. для максиа затем пр зультате 8 лью удаления затем при 20 Известен гибкий фольгированный диэлектрик, содержащий медную фольгу и пленку по лиамидоимидного лака. Заготовку оксидированнойл медной фольги натягивают на барабан и закрепляют на нем Применяемый лак полидифенилоксидамидо-фенилфтальимид наносят на фольгу, например, пневматическим распылением, Распыление осуществляется под давлением 0,8-1,0 кг/см 2 воздухом, очищенным и осушенным масловлагоотделителе м, Удельная вязкость лака= 1,4-1,6, а концентрация лака составляет 1 0-1 5%, причем разбавителем является у -метилпирролидон. При этом пульверизатор имеет диаметр со ла головки, равный 0,8 мм, и внутренний диаметр капилляра, через который проходит лак,...

Бумажный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 502996

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Тищенко, Маркова, Марцин

МПК: D21H 5/00

Метки: бумажный, диэлектрик

...потерьпри 100 С и па 32% при 120 С по ср11 % при 100 С и 25% при 120 Сбумажных диэлектриков.Формула изобретенияБумажный диэлектрик, состоящи"люлозного волокна и сорбента, ощ и й с я тем, что, с целью снижениугла диэлектрических потерь, в качбепта он содержит природный алювв котором ионы щелочных металлопы ионами двух- пли трехвалентпыхтаких как магний, кальций, барий,при следующем соотношении ко(вес, %):ЦеллюлозпоеАлюмосилика замещены й диэлектчины таина 21% авнению с известных и из цел- тличаюя тангенса естве сортосилпкат, в замещеметаллов, алюминий мпонептов Изобретение относится к составу бумажного диэлектрика и предназначено для использования в конденсаторостроении.Известный бумажный диэлектрик, содержащий целлюлозные волокна...

Диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 503299

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Аскерова, Трегер, Усенко, Кахраманов, Касьянов, Муганлинский, Ошин, Гусейнов

МПК: H01B 3/24

Метки: диэлектрик

...Это достигается благодаря применению в качестве диэлектриков циклогексилдпхлорбензолов.Циклогексилдихлорбензолы синтезируют алкилированием орто- и метадплхлорбензолов циклогексеном (циклогексанолом) в присутствии хлористого алюминия в качестве катализатора. Полученные продукты подвергают тщательной очистке от токопроводящих примесей адсорбционным методом в колонне с окисью аломиния при 150 - 170"С.Электрорпзические показатели предлагаемых циклогексилдихлорбензолов приведены в таблице.503299 Таблица Испытываемая жидкость Наименование показателя циклогексил,4 дихлорбензолВнешний вид желтая маслянистая жидкость желтая маслянистая жидкостьне горит не горит Одно из исходных (дихлорбензолы), применяемых в процессе получения...

Металлизированный неорганический диэлектрик и способ его изготовления

Загрузка...

Номер патента: 528292

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Тимошенко, Накарякова, Фомин

МПК: C04B 41/14

Метки: металлизированный, диэлектрик, неорганический

...10 - 60 мин,Диэлектрик получают следующим образом.Изделие, например, керамическое, помещают в камеру вакуумной установки, в которой создают разрежение не менее 10 - 10 - о мм рт, ст.Изделие нагревают до 200 - 400 С и осуществляют конденсацшо паров редкоземельного металла а него и после этого - слоя металла с высокой адгезнсй к редкоземельному,По достижении заданной величины покрытия изделие нагревают до температуры взаимодействия редкоземельного металла с материалом изделия. (В случае пспользованпя в качестве редкоземельного металла, например, церия, температура термообработкп составляет 700 в 7 С.После охлаждения изделия камеру разгерметизируют. В случае использования для второго слоя металла с высокой упругостью пара, например,...

Пресс-форма для получения составных изделий металл диэлектрик из сплошных заготовок и порошкового материала

Загрузка...

Номер патента: 611793

Опубликовано: 25.06.1978

Автор: Семернев

МПК: B22F 7/08, B22F 3/03

Метки: порошкового, сплошных, диэлектрик, составных, металл, заготовок, пресс-форма

...изображенпресс-форма, продольный подставку 6 с помеш пружинами. В отверс жни 10, на которые п вижные пуансэны, 5,вают матрицу 1,Вращая платформу стержней, в зазор ме матрицей засыпают п 25 чисто металлическийния.г матрицу 1 с от- ения прощковой смермопару 4, неопираюшиеся на пуансоны 7, втулуюшимн поверхносойму 11 для передзпуансоны, направтавку 13 для уста 14 и теплоизоляСобранную форму помещают в камеру прессования и нагрева с вакуумом или защитной атмосферой, монтируют термэпару 4, теплоизоляцию 15, затем производят уплотнение камеры и горячее прессэвание изделия. Готовое изделие эхлаждают вместе с камервй,15 Разборку камеры и нресс-формы прэизводят в обратном порядке,Использование изобретения в народном хозяйстве позволяет решить...

Диэлектрик с антистатическими свойствами

Загрузка...

Номер патента: 646473

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Владыкина, Топоров, Стефанович

МПК: H05F 1/02

Метки: свойствами, диэлектрик, антистатическими

...гладкие участки2 и шероховатые участки 3, которыемогут быть получены с помощью, например, горячих штампов с рифленойверхностью.Для изготовления предложенэлектрика пригодны гладкиезаряжающиеся при трении отела положительно.Работает диэлектрик следующим образом,При трении его поверхности о поерхность других тел гладкие участкииэлектрика приобретают положительныйзаряд. Проведенные исследования показали, что шероховатые участки При646473 шением суммарных площадей, равнымили близким 1;1,Таким образом, предложенный диэлектрик имеет существенно болеепростую конструкцию и значительноболее технологичен, К преимуществамего может быть отнесено также и то,что создание шероховатых участковможет быть совмещено с декоративнойобработкой поверхности...

Фольгированнный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 670254

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Арнольд, Лотар, Дирк

МПК: H05K 1/02

Метки: диэлектрик, фольгированнный

...и размешенный между ними слой смолы, в котором преобладает содержание ароматических звеньев 11,Однако в известном фольгированном диэлектрике преобладание ароматических звеньев в смоле снижает его надежность.Цель изобретения - повышение надежности фольгированного диэлектрика.Это достигается тем, что в фольгированном диэлектрике, преимущественно для печатных плат, содержащем диэлектрическую подложку, металлическую фольгу и размешенный между ними слой смолы, слой смолы выполнен из полиакриловой или поликетонной смолы.Если слой состоит из поли акриловых смол, особенно хороших результатов можно достигнуть при применении 20 - 70 вес. % акрилонитрила, 20 - 70 вес, % эфира акри 2ловой кислоты и 15 - 20 вес. %фенол-резольной смолы или...

Фольгированный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 705706

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Васильева, Шуенинова, Мнацаканов, Мясников, Коханова, Кожевников

МПК: H05K 3/00

Метки: фольгированный, диэлектрик

...толщиной 55 мкм.,Толщина полученного диэлектрика без фольги 70 мкм, толщина одного полимерного слоя15 мкм, а второго - 35 мкм.П р и м е р 4, Пакет, состоящий из меднойфольги толщиной 35 мкм, пленки на основе полиэтилена высокой плотности, подвергнутогорадиационной модификации - 10 МГц, толщиной 50 мкм, стеклоткани толщиной 25 мкм,еще одного слоя указанной пленки толщиной40 мкм, спрессован при 180 С и удельном давлении 50 кгс/см в течение 25 мин.Толщина полученного диэлектрика без фольги 95 мкм, толщина одного полимерного слоя35 мкм, толщина второго слоя 40 мкм.П р и м е р 5. Аналогично примеру 1, вкачестве термопластичного материала - пленкаиз модифицированного тетрафторэтилена. Темнература прессования 290 С, удельное...

Способ нанесения зарядов на диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 734901

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Закревский, Пахотин, Фомин

МПК: H05F 1/00

Метки: зарядов, диэлектрик, нанесения

...действию сильного одноосного механического напряжения вдоль направления ориентации молекул пленки. Механические напряжения, которым подвергается полимерная пленка, можно плавно регулировать путем изменения тока в соответствующих электромагнитах, По окончании процесса зарядки, длительность которого задана начальным уровнем. заряда пленки, усилие с тяг 4 снимают и одновременно освобождают пленку из зажимов 3, после чего между электродами 1 и 2 помещают следующий участок пленки, протягивая ее между губками зажимов 3, и описанный процесс повторяют;Для проверки эффективности способаисследовалась стабильность во времени зарядов электретов из пленки полиэтилена высокой плотности толщиной 22 - 25 мкм, заряженных в описанном...

Жидкокристаллический диэлектрик для электрооптических целей

Загрузка...

Номер патента: 738516

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Йоахим, Рудольф, Людвиг

МПК: C09K 3/34

Метки: электрооптических, целей, жидкокристаллический, диэлектрик

...нематического состояния. В качестве известныхЖД используют, например, нематическиевещества с положительной анизотропиейклассов азоксибенэолы, бифенилы, основания ШиФра, Фенилбензоаты, фенилциклогексаны, трехядерные пиримидины.Пример 1.А. Берут, %:36, 1 транс -4- (4-цианофенил) "1-н-пропилциклогексана,30,8 транс -4-(4-цианофенил)-1-Н -- пентилциклогексана,21, 1 транс -4- (4-цианофенил) -1-н-гептилциклогексана,12,00 4-циано-(траис -4-Н-пентилциклогексил)-бифенила.Получены следующие. показатели.Точка плавления, ОС -бТочка просветления, С +72Вязкость, сПэ 29Б (сравнительный), БеРут, %:36, 1 транс -4-(4-цианофенил)- 1-н-пропилциклогексана,30,.8 транс -4-(4-цианофенил)-н-пентилциклогексана,21, 1 тронс -4- (4- цианофенил) -н -738516...

Диэлектрик для конденсатора

Загрузка...

Номер патента: 868850

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Гуля, Богатин, Мальцев, Богатина, Белова, Гольцов, Прокопало

МПК: H01G 7/00

Метки: диэлектрик, конденсатора

...окислов РЬО, СеО, В 00в платиновом тиг 35ле при 1150-1200 С в течение 1-2 ч споследующей закалкой на воздухе. Для получения диэлектрика для конденсатора из смесей титаната свинца с40добавкой окиси лютеция со стекламипрессуют образцы, например,.в видедисков диаметром 12 мм и толщиной 23 мм. Затем их обжигают в камернойэлектрической печи при 1000-1050 С втечение 3-4 ч в засыпке состава,45вес,%: РЬТ 10 90; ИдАЮ 04 10. Подъемтемпературы в печи осуществляют соскоростью .200-250 град/ч, охлаждениесо скоростью 80-120 град/ч (потери ввесе образцов не превышают 0,5%),Полученные диски шлифуют до толщины 1 мм и наносят электроды на поверхность образцов методом вжигания серебряной пасты,о 4П р и м е р. Состав диэлектрика,вес.%: РЬ(Т...

Диэлектрик для конденсатора

Загрузка...

Номер патента: 873290

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Гольцов, Бурланков, Белова, Прокопало, Богатина, Богатин

МПК: H01G 7/00

Метки: диэлектрик, конденсатора

...этой температуре 2-3 ч. Стекло лолучают оплавлением окислов ВаО, В О, ИО в платиновом тигле при температуре 1250-1300 С в течение 1"2 ч с последующей закалкой на воздухе. Для получения диэлектрика для конденсатора из смесей станната бария с добавкой сурьмы со стеклами, прессуют образцы, например, в виде дисков диаметром 12 мм и толщиной 2-3 мм.35 Обжигают образцы в камерной электрической печи при температуре 1050- 1250 С в воздушной атмосфере. Подъем температуры в печи осуществляют со скоростью 200-250 град/ч, охлаждение40 со скоростью 80-120 град/ч (потери в весе образцов не превышают 0,5%) . Полученные диски шлифуют до толщины 1 мм и наносят электроды на поверхность образцов методом вжигания сереб 45 ряной пасты. 4П р и м е р ,...

Жидкокристаллический диэлектрик для электрооптических целей

Загрузка...

Номер патента: 906387

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Рудольф, Йоахим, Людвиг

МПК: C09K 3/34

Метки: диэлектрик, жидкокристаллический, электрооптических, целей

...е р б, Смесь 33,5 вес.ц.4-н-бутил-метоксиазобензола,16,5 вес.ц. 4-этил-метоксиазоокси 35бенэола, 10 вес,ц. 5-4 -цианофенилового эфи ра А-н-пентилтиобенэойной ки с.лоты, 20 вес,ч, 4-н-пропил-( 4-цианофенил)-циклогексана и 20 вес,ц.404-н-бутил- (4-цианофенил) -ци клогексана имеет нематицескую фазу в интервале температур от -5 до +65 С, ДКА(+)8,0 и вязкость 29 сП при 20 С.П р и и е р 7. Смесь иэ,4526,8 вес,ч, 4"н-бутил-иетоксиаэооксибензола, 13,2 вес,ч. 4-этил-метоксиазооксибензола, 10 вес.ч.4-н-пентилбензойной кислоты 4 -цианофенилового эфира, 20 вес.ч. 4-н-бутил-(4-цианофенил-циклогексана и5020 вес,ч. 4-н-пентил- (4-цианофенил)- циклогексана имеет нематическую фазу,в теипературном интервале от -8 доформула изобретения 5...

Жидкокристаллический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 938745

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Рудольф, Людвиг, Йоахим

МПК: C09K 3/34

Метки: диэлектрик, жидкокристаллический

...12 вес.4 транс-транс-Н-пентилциклогексилциклогексан-карбо/нитрила, 13 вес.3 транс-транс-Н-гептилциклогексилциклогексан-карбонитрила и 63 вес.4 4-н-пентилфенилэфира анисовой кислоты, имеет не10 15 20 30 35 40 45 50 55 5 93матицескую фазу в интервале 4-58 С,вязкость 40 сП при 20 С, Ь Е =(+)2,5и Л и=(+)0,12. Этот диэлектрик особенно пригоден для индикаторных элементов на полевом эффекте, работающихв уплотненном режиме,Данные примеров 1-6 демонстрируютснижение оптической анизотропии ЖДна основе нематических жидких коисталлов, относящихся к различным классам органических соединений ( бифенилов, фенилбензатов, фенилциклогексанов, азоксисоединений), при введениив них циклогексилциклогексанов общейформулы 1.Данные последующих примеров...

Фольгированный диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 1042214

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Васильева, Мясников, Мнацаканов, Кожевников, Шуенинова, Коханова

МПК: H05K 3/00

Метки: диэлектрик, фольгированный

...медной фольги толщиной 35 мкм,пленки политрифторхлорэтилена толщиной 50 мкм, отожженной стеклоткани .толщиной 25 мкм, пленки политрифтор-"хлорэтилена толщиной 50 мкм, спрессован при 230 С и удельном давлениио85 кгс/см 2 в течение 25 мин. В запрессовку закладываются десять пакетов, проложенных лакотканью.Толщина полученного диэлектрикабез фольги 100 мкм, а толщина каждогополимерного слоя 40 мкм.П р и м е р 2 (контрольный). Ана логично примеру 1 проводят запрессовку пакета, состоящего из медной фольги толщиной 20 мкм, пленки политрифторхлорэтилена толщиной 100 мкм,стеклоткани толщиной 25 мкм,4Толщина полуцедного диэлектрикабез Фольги 95 мкм, толщина одногополимерного слоя 30 мкм, а другогополимерного слоя 45 мкм.П р и м е р 3...

Жидкокристаллический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 1055336

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Михаэль, Рудольф, Людвиг, Фернандо

МПК: C09K 3/34

Метки: диэлектрик, жидкокристаллический

...зависимость порогового напряжения 10,5 мВ/ С,.б) Диэлектрик, состоящий из 86% смеси йримера 1 а и 14 1 4- (транс-н-пентилциклогексил) 4" (транс-н", гексилциклогексил)"бифенила, имеет температуру, при которой он стано" вится прозрачным, 80 С, пороговое напряжение в закрученной нематичес 336 6кой ячейке 1,9 В при 40 ОС, зависимость порогового напряжения от температуры для него составляет всего 4,7 мВ/оС.П р и м е р 2. а) Диэлектрик,состоящий из, вес, : 4-.(транс-,этилциклогексил)-бензонитрил 12; 4(транс-и-бутилциклогексил)-бензонитрил 23; 4-этил-циано-бифенил 14;4-и-пропилокси-циано-бифенил 1 О; транс-н-пропилциклогексиловый эфир, 4- (транс"этилциклогексил)" бензойной кислоты 20; транс-н-проилциклогексиловый эфир 4-...

Жидкокристаллический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 1056907

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Рудольф, Йоахим, Людвиг, Дитрих

МПК: C09K 3/34

Метки: диэлектрик, жидкокристаллический

...из этанола.Выход 37 г. Т,пл. 42 С, т.пр., 183 С.Аналогично получают другие П-(4-Н-алкилциклогексил) - П -алкилЬксибифенилы.Для приготовления жидкокристаллического диэлектрика по примерам 3-11 компоненты, взятые в соответст" вующем количестве, помеШают в стеклянный сосуд, нагревают до температуры на 5-10 ОС выше точки прояснения перемешивают и охлаждают до комнатной температуры. Получают готовый к употреблению жидкокристаллический диэлектрик.П р и м е р 3. Диэлектрик из 67 4-н-бутил-метоксиазоксибензола1и 33 4-этил-метоксиазоксибензола имеет нематическую фазу втемпе о ратурной области от -15 до +73 С и вязкость 31 сП при 20 С..Согласно изобретению диэлектрик из 95. этой двухкомпонентной смеси и 5 П в (4-Н-пентилциклогексил)-Р-...

Керамический диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 1219567

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Герцев, Никифоров, Будилов, Шувалов

МПК: C04B 35/495

Метки: керамический, диэлектрик

..."10 Па и производят второйобжиг (спекание) образцов. Температуры спекания зависят от составакерамики (величины Х ) и представленыв таблице. Время выдержки при мак симальной температуре -1 ч длявсех образцов. В таблице представлены такие электроизические свойстваобразцов: Я ТКб, температурный ин-.тервал стабильности Е, Измерения 20 производят на частоте 1 кГц с помощьк моста Р 577. Изобретение относится к диэлектрическим материалам и может быть использовано в радиоэлектронике,пре" имущественно, в качестве конденсаторного материала. Цель изобретения увеличение диэлектрической проницаемости и уменьшение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости,П р и м е р. Для получения диэлек триков с низким значением Т(В (тер"...

Диэлектрик для электрооптического индикаторного устройства

Загрузка...

Номер патента: 1356965

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Лудвиг, Гюнтер, Георг, Бернхард, Рудольф, Михаэль

МПК: C09K 19/32

Метки: индикаторного, диэлектрик, устройства, электрооптического

...р 3. В 98 вес, частяхсмеси А растворяют 2 весчасти синего красителя 4,8-диамино,5-диокси-и-метоксифенил-антр ахинона,Вязкость 67 сСТ, диэлектрическаяанизотропия - 7,7, оптическая аниэотропия 0,05.П р и м е р 4. Готовят смесь изследующих составных частей,: 1-циан-пентил-цис-(транс-пропилциклогексил)-циклогексана, 9; 1-циан 1-гептил-цис-(транс-пропилциклогексил)-циклогексана, 19; 1-циан 1-пропил-цис-(транс-пентилцикло 20гексил)-циклогексана, 17; 1-цианпентил-цис-(транс"4-пентилцикло- .гексил)-циклогексана, 17; 1-цианпропил-цис-(транс-гептилциклогексил)-циклогексана, 1 О; 4-этил-1фтор- (транс-пентилцикло ге ксил) -бифенила, 28.тТ 16 С,К 66 С,вязкость 55 сСТ,диэлектрическая анизотропия - 6,3,оптическая аниэотропия 0,07.Пр и ме р 5. В 98...

Способ определения электрофизических характеристик проводящих каналов на ганице раздела полупроводник диэлектрик

Загрузка...

Номер патента: 1507138

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: проводящих, диэлектрик, характеристик, электрофизических, ганице, каналов, —полупроводник, раздела

...Б- падение напряжения между потенциальными 45контактами к каналу и ЭДС Холла Н.По измеренным величинам рассчитываюткоэФфициент Холла К и электропроводИность проводящего канала МДП-транэистора .1 С- 6= - , - (1)н 1 Вф = Н Ьгде 4 - электролроводность каналаьВ - величина магнитной индукциис 55- отношение расстояния с межЬду потенциальными контактами к ширине Ь проводящегоканала.электрическая емкость единичной площади диэлектрика;заряд электрона. где С,Используемая при измерениях экспериментальная установка обеспечивает воэможности автоматического измерения Ки программного изменения 0 , что необходимо для реализации условия КсопзС. Неравновесное заполнение ЭС создают следующим образом,На затвор подают напряжение +30 В,отвечающее...