Патенты с меткой «детекторов»

Способ обработки свинцового блеска (галена) для детекторов

Загрузка...

Номер патента: 3537

Опубликовано: 31.08.1927

Автор: Теплов

МПК: H01L 21/306

Метки: детекторов, свинцового, галена, блеска

...гипосульфита, чтобы. во время кипения ПОСЛЕ,НЕГО, СГгцицОВЫй бЛЕСК 6 Ь 1 Л СО- вернецио покр 11 Т 1 сцпяц 5 ец жи;костью, потом. после воспламенения цагреваеаццо вецества и покр 11 сцения его, ложк.1 сццт 1 аетс 51 с о 1 ня, ц и;1 хо;1 яцРеся в ней ве 1 цество вь 1 скаблцвается из нее, наконец. после его остьд 1 ацця, заключенный в цем крис галл свинцового блеска очццрается от нагара металлической иеткой. Типо.п 1 енвтнинв, (енпнг 1 вд, М ждунв Н рвоты ный грв Для достижения лучгвеи сльцццмости и чистоты звука при приеме на детектор с кристаллом галена. предлагается г 1 одвергнуть его оср 1 ц 1 отке. заключаюц 1 ейся в том. что саморо цц,й кристалл свинцового блеска гален) подогревается в медной ложечке, и кода ложечка нагреется;1...

Способ обработки кристаллов свинцового блеска для детекторов

Загрузка...

Номер патента: 5411

Опубликовано: 31.05.1928

Автор: Затейщиков

МПК: H01L 21/306

Метки: свинцового, детекторов, кристаллов, блеска

...Дасмесью нагревают о прекращения выводы, затем темпедо вишнево-красного лжают накаливание, се время массу, до Затем остор ты, а ратур краси нается опа. В этом случае количество пр щенной от пор до необходимо размера зерен,в сечении, руд и на одну час ства кристалло измельченного ныи тигель, при хлористого цин в пропорции 7: отвешенное ко кислого калия мешивают желе лее, тигель со сперва слабо д деления паров ратуру доводят каления и продо перемешивая в шенное о очиьченной екторов 5 - 8 лмблеска количена треть двухро прекращения обильного выделения газов и начала загустения предварительно жидкой массы. По окончании реакции еще полужидкую массу выливают из тигля и тотчас же, по затвердении, производят очистку обработанных кристаллов...

Способ изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов

Загрузка...

Номер патента: 8422

Опубликовано: 30.03.1929

Автор: Бушмарин

МПК: H01L 21/479

Метки: кристаллов, чувствительных, детекторов, контактных

...оп распростраедмет пате и. Печатныи Тр Предлагаемое изобретение касается способа изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов и заключается в том, что смесь из 100 , свинца, 40 г. серебра 84 пробы и 40 г. серы, в мелкораздробленном виде,. нагревается в тигле (угольном, графитном, либо фарфоровом) до удаления избытка серы, Полученная масса раздробля ется в порошок, который снова сдлавляется на куске угля вольтовой дугой, при силе тока от 10 до 15 ампер, после чего охлажденная масса раскалывается на куски требуемой величины. Способ изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов, отличающийся тем, что смесь 100 г, свинца, 40 г, серебра 84 пробы и 40 т. серы, все в мелкораздробленном виде, нагревают в...

Способ изготовления детекторов

Загрузка...

Номер патента: 10891

Опубликовано: 31.07.1929

Автор: Гаврилов

МПК: H01L 21/02

Метки: детекторов

...ванпя металла чд я пос у 1 есися та е 21 сные ч.аблетк,и наСпособ изготсктеризую щийся ОтХ:гсЫ Гадспнт рез месгкое опто Вуда., затем пре олеток. а потом гревают ло 200 ленин ем. ч с,пе 1;2 лЯссуютполуч 2 о 0 Е й. Тип 1 Соппптерн Центрпздатп Народов СССР. Ленинград, 11 раснпя, 2. 11 ре;сдагаео 1 ое изобретение касается опособаизготовления детекторов и но 1 еет целью испо,11,зоваине отходов галеннта. по лу 1 а 1 ощихол при его раофасовке.Сносоо изготовлеч 11 гя 1 етекторов из отхояов га,телята заксиочается в сле 11 ующем. Отхо;сы га 1 еннта. получающиеся прп его раофаоозке в виде небольш 1 ьх кусочков. размельчаютоя в ступке в порошок. ща чем СОССЗргнащпйСЛ В П 111 Х МЕтадд Вуда. бдаГО 11 арл своей ковкоспи, ве рааельчаетоя. Получсяный...

Способ получения сплава для кристаллических детекторов

Загрузка...

Номер патента: 13194

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкий

МПК: C30B 9/12

Метки: кристаллических, сплава, детекторов

...сплао п. 1, авляют кислоту выполнения способ я тем, что в массу пр ением вольфрамовуТип. Гидрогр. Упр. Управл. В.-Ы, Сил РККА, Ленинград, здание Гл, Адмиралтейст Наилучшие кристаллы Галена получаются лишь тогда, когда окончание сплавления устанавливается точно, так как переплавка дает недетектирующий материал, что сильно повышает процент брака; недоплавленные же кристаллы Галена очень неустойчивы к внешним реагентам идетектирующие свойства их быстро теряются при работе, Предлагаемый способ имеет целью получать сплав, не боящийся переплавки и дающий устойчивые детектирующие кристаллы путем сплавления массы, состоящей из серы, глета, азотно-кислого серебра и буры, в которую перед плавкой прибавляют вольфрамовую кислоту.Способ состоит в...

Способ получения сплава для кристаллических детекторов

Загрузка...

Номер патента: 13378

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкая

МПК: C30B 9/12

Метки: кристаллических, детекторов, сплава

...дополнительного патента простирается на срок до 81 марта1945 года.Предмет патента,Тип, Гидрогр. Упр. Управл. В.еМ. Сил РККА. Ленинград, здание Гд, Адмиралтейства. В патенте М 13194 описан способ получения сернистого свинца.для радиодетекторов нагреванием смеси окиси свинца, серы, азотнокислого серебра и буры. Получаемые этим способом кристаллы быстро изнашиваются и темнеют. С целью устранения этого недостатка, по вредлагаемому способу получения сплавадля кристаллических детекторов к указанным компонентам добавдяют металлического мышьякаилимышьяковистого ангидрида.Предлагаемый способ состоит в следующем:На 100 весовых частей свинцового глета берут 20 - 25 в. ч. серы, 5 - 20 в, ч, азотно-кислого серебра (ляпис), 10 - 20 в, ч....

Способ изготовления кристаллов для детекторов

Загрузка...

Номер патента: 45327

Опубликовано: 31.12.1935

Автор: Кнопов

МПК: H01L 21/24

Метки: кристаллов, детекторов

...- исследований, однако, имеются основа - -ния предполагать,что роль серебра состоит, между прочим, в придании кристаллам устойчивости в отношении их неизменности. Неустойчивость кри, сталлов, изготовленных из смеси с малым " содержанием - серебра или вовсе безсеребра, проявляется внешним образом,Примерный состав новой смеси таково весу): 50,0% свинцового глета15,0% сернистого свинца7,5% окиси кобальта7,6% мышьяка (технического)7,5% буры12,5% серы.Как видно, вместо галена основнойчастью является свинцовый глет, которыйобычно содержит некоторое, хотя иочень малое количество серебра. Составляющее сущность изобретения введениемышьяка и окиси кобальта позволяетобойтись без добавления серебра, обеспечивая получение стойких кристаллов,не...

Устройство для настройки кристаллических детекторов

Загрузка...

Номер патента: 96421

Опубликовано: 01.01.1953

Авторы: Пужаи, Грибов, Улановский

МПК: H01L 23/52

Метки: настройки, кристаллических, детекторов

...времени откл 1 очеция электродьцгателя, а следовательно, определяетсявремя, пройденное с момента соприкосновения кристалла с иглой в детекторе до момента остановки электродвигателя и штифта, ц тем самым -величина сжатия пружины контактной иглы и контактное давление,После смены детектора оператор нажимает кнопочный выключатель К. При этом реле Р, деблокируется и его контакт К 1 замыкает цепьреле Р, которое включает электродвигатель в ве процесс повторяется.Конструктивно предлагаемое устройство выполнено в виде рычажного пресса, состоящего из рычага 1 с кулачком 2, сидящим на оси 3 иупирающимся в выступ 4 поршня 5, снабженного возвратной пружиной б,станины 7 и конуснсй стойки 8 с гетинаксовым вкладышем 9 и контактным лепестком...

Способ изготовления полупроводникового материала для контактных детекторов типа сернистых соединений свинца

Загрузка...

Номер патента: 112955

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Федоров

МПК: H01L 21/34

Метки: сернистых, типа, свинца, соединений, контактных, детекторов, полупроводникового

...пз сернисты 5; соединений свинца, меди и,и цинка, пе обладают достаточно ЧУВСТВИТЕГ 1)НОСТЬ 0 И УСТОЙНпОСТ 1работе.Описанны ниже спосоо по.учеНИ 5 ИО,11 ИРО 0;(НИ 1 ОНОГО МЯТЕ РИЯ,Л на оспое тк же соединений позволя(т улучшить электрические сойста крист(1,Г 0.С:огласил изооретению, иримсия(-ся сл;(уюп(ая рецептура и теки О,0 Г и 5 и 3 Г От О. е н и я п О,м и р О О,- Н 1 коого материала.Порошкоооразная см(сь, со(тавл енГЯ 5, Гз 2(1 ес. и. СьчнЦл. 3 с. 1. сры и (1,2 ес. ч. (5 1(" ) мяр- ГЛИЦОКПС,ОГО КЯЛИ 51 КЛ 1(Т Окис.н(тел 51, прока.ия(.тся при т)1- перятуре(.: -80 до и рекрац( - НИ 5 ВЫДЕ,1 НИ 5 ГЯЗОВ,Г 1 Ос, е м ед,1 е н и О ГО О.к, л )к д е и и 51 млтСИЯ.1 Готод.151 изГОтолни детекторов. Медные и ципкоы соединения получаются...

Способ изготовления детекторов для регистрации низкоэнергетического аи р-излучения

Загрузка...

Номер патента: 166413

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Предпри

МПК: G01T 1/203

Метки: р-излучения, низкоэнергетического, детекторов, регистрации

...тем, добавок в светосоповышения мехаппторов, светосостав ожке при темпераом давлении около Подписная группа Лб 84 1Известны способы изготовления детекторов а- и р-излучения, состоящих из светосостава 7 пБ(Ад), нанесенного на подложку из прозрачного материала, при которых светосостав наносится на подложку седиментацией или распылением. Для закрепления светосостава ца подложке применяют специальные связующие агенты, при этом частицы Уп 8(Ад) оказываются покрытыми тонкой пленкой из материала связующего агента, что вызывает значительное ослабление излучения при прохождении частицы через тонкие слои связующего агента.Предлагаемый способ изготовления детекторов для регистрации низкоэнергетического а- и р-излучения с помощью седиментацип...

Криостат для детекторов ядерного излучения

Загрузка...

Номер патента: 280692

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Говоров

МПК: G01T 1/24

Метки: ядерного, излучения, криостат, детекторов

...сорбента от детекторной части криостата, причем хладопровод снабжен резьбовым приводом и соединен с вакуумной оболочкой с помощью сильфона, а между хладопроводом и вакуумной оболочкой установлен центрирующий тепловой мост в виде двух скрепленных между собой ступенчатых тонкостенных цилиндров с прорезями для откачки.На чертеже изображена схема устройства, Криостат содержит блок германиевого детектора 1, укрепленный под тонкостенной крышкой 2 корпуса камеры 3 криостата на державке 4. Державка выполняет функции запирающего элемента и плотно прижимает к хладопроводу 5 тепловой мост б, центрирующий верхнюю часть хладопровода относительно тонкостенной экранирующей трубки 7. Охлаждаемый конец хладопровода 5 вакуум- но-плотно соединен с...

Устройство коррекции разброса эффективности детекторов

Загрузка...

Номер патента: 320795

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Воронин, Немировский, Климов

МПК: G01T 7/00

Метки: эффективности, разброса, коррекции, детекторов

...регистраторах, используемых вядерном приборостроении. 5Известны устройства коррекции разбросаэффективности детекторов, содержащие детекторы, ключи пропускания и регистратор,Однако прп использовании таких устройствнеобходимо иметь или много генераторов, выдающих последовательности импульсов (приэтом трудно ооеспечнть пеооходнлтую стабильность и скважность), или увеличивать количество соединений и механических переключателей. В результате снижается надежность устройства и возрастают его габаритные размеры.С целью упрощения устройства, увеличениястабильности, повышения надежности и уменьшения погрешностей измерения в предложенном устройстве коррекции разброса эффективности детекторов ключи пропускания соединены с выходами схем...

Стенд для настройки и испытания детекторов греющихся букс железнодорожного подвижногосостава

Загрузка...

Номер патента: 353152

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Шайдуров, Левицкий, Образцов, Романцева

МПК: G01J 5/00

Метки: букс, настройки, детекторов, подвижногосостава, греющихся, железнодорожного, стенд, испытания

...диска, перемещаясь в зоне чувствительности отметчиков 11 и 11, вызывают ца их выходе сигпалы отметки колес. Диск сбаляпсцровац противовесами 19 ц 20. Отметчики колес, в свою очередь, смещены по отношению друг к другу ца угол и расположены так, что ось, проходящая через центр симметрии нагревателей и центр вращения диска, делит угол р пополам.Размсшспце и площадь излучения нагревателей, расположение фер ром агцитцых масс, отметчцков колес, отверстцй и их площадь выбираются из следующих исходных предпосылок. В эксплуатации, с о;ной стороны, наиболсс неблягсприятпым сочетанием для работы коммутаторов, устройств обработки и 1 егистраци:, Ицфо 1.;Яциц, я также схем автоматики ДГБ являются межосевые расстояция 51 .1 вуос 1 оц тележки и...

Годоскоп детекторов для регистрации

Загрузка...

Номер патента: 386361

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Сиксин, Нурушев

МПК: G01T 1/24

Метки: годоскоп, детекторов, регистрации

...сдвинуты один относительно другого так, что 10 детекторы, расположенные на внешней стороне, попадают в промежутки между детекторами, расположенными на внутренней стороне.На внешней и внутренней сторонах цилиндрических трубок 3 образованы р - и переходы 4 15 в виде полос, расположенных вдоль образую.щей цилиндра. Линейные детекторы, находящиеся навнешней стороне цилиндра, находятся в про межутках между детекторами, расположенными на внутренней стороне.Детектирующие элементы с кольцевыми илинейными детекторами чередуются. Такая система образует координатную сетку годо скопа и позволяет определить траекториювторичных заряженных частиц в случае средних энергий или часть траектории в случае большой энергии.В промежутки между трубчатыми...

Счетчик двойных истинных совпадений сигналов с детекторов совпадений

Загрузка...

Номер патента: 374746

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Хуршуд

МПК: H03K 19/21

Метки: истинных, сигналов, совпадений, счетчик, детекторов, двойных

...элементавход которого связан непосредственмирователем 2. Регистраторы 7 ицены к выходам элементов 8 и 4,0 венпо.Сформированные сигналы детекторов поступают на каналы элемента отбора совпа.дений. Один из трех разветвленных сигналозформирователя 2 (канала) после прохожде 5 ния линии задержки 5 вновь возвращается насвой же канал совпадения через второй входлогической схемы ИЛИ б. Таким образомосуществляется отбор элемента 8 истинныхсовпадений и удвоенного числа случайных0 совпадений, т. е. Л,=богис, + 2 аОдновременно после разветвления третийимпульс от формирователя 2 поступает навход двукратного элемента 4. На второй входэлемента 4 поступают сигналы совпадений от5 элемента 3.Таким образом, сигнал о2 может дать совпадения в эс теми,...

Способ изготовления активационных детекторов нейтронов

Загрузка...

Номер патента: 348109

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Коломийцев, Кикнадзе, Амбарданишвили, Дундуа, Багдавадзе

МПК: G01T 3/00, G01T 1/28

Метки: нейтронов, активационных, детекторов

...стойкости матрицы без изменения рабочих характеристик детектора.Это достигается тем, что в раствор элемента детектора в смоле вводят неактивирующпйся углеродный наполнитель, в качестве которого используют материал, полученный путем пиролиза высокочистой фенол-формальдегидной смолы. Пиролиз резита производят при конечной температуре 2000 С в течение 3 час в вакууме -10 -мм рт. ст. Полученный углеродный материал размельчают до размера чаВ, Багдавадзе, В. Ю. Ди М, А. Коломийцеврасного Знамени институтГрузинской ССР ЛЕНИЯ АКТИВАЦИОННЬВ НЕЙТРОНОВ стиц 1 - 10 мкм и используют вполнителя.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.5 Размельченный углеродный наполнительвводят в 50%-ный спиртовый раствор резола в количестве 30 -...

Способ градуировки детекторов рентгеновского излучения

Загрузка...

Номер патента: 446919

Опубликовано: 15.10.1974

Автор: Акаткин

МПК: H01J 39/28

Метки: излучения, рентгеновского, градуировки, детекторов

...по предлагаемому способу константы градуировки нахрдят на кривых ослабления дозы и кривых ослабления езлучения в калиброванных поглотителях, измеренных поверочным и поверяемым детекторами при идентичных геометрии и физико- технических условиях генерирования, причем кривые ослабления дозы и излучения в калиброванных поглотителях измеряют при отсутствии первичного фильтра на аппарате при изменении толщин калиброванных поглоти-,телей, наппимер, от нуля до толщиныослабляющеи начальную дозу на 0,005 ЯсПредлагаемый способ. являетсятрехэтапным и заключается в,:построении кривых ослабления дозы в поглоо тителе, напрлмер, алюминии, при различных напряжениях на рентгеновскотрубке, изменяемых с интервалом,например, в 5 кВ при регистрацийдозы...

Криостат для полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

Загрузка...

Номер патента: 454518

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Радыванюк, Фомин

МПК: G01T 1/24

Метки: излучения, криостат, детекторов, полупроводниковых, ионизирующего

...криостата погружного Крностат имеет вакуумную камеру 1, накоторой установлены разъем 2 для подачи напряжения и снятия сигнала с детектора 3 и вентиль 4 для присоединения криостата к 5 вакуумной системе. Хладопровод 5 со столиком 6 для детектора 3 через тепловой мост 7 соединен с вакуумной камерой 1, которая герметично закрыта колпаком 8. Сифонная трубка 9 с регулирующим предохранительным кла паном 10 смонтирована коаксиально с хладотроводом; в кольцсвоз( зазоре между трубкой и хладопроводом па высоте, определяемой необходимым уровнем хладагента, установлен разделитель фазового состояния 11 (газ-жпд кость) хладагснта 12, выполненный пз пористого материала. Криостат герметично с помощью сальникового уплотнения (прокладка 13, втулка...

Устройство для усиления электрических сигналов полупроводниковых детекторов

Загрузка...

Номер патента: 497709

Опубликовано: 30.12.1975

Автор: Иоаннесянц

МПК: H03F 1/00

Метки: детекторов, полупроводниковых, усиления, сигналов, электрических

...и одновибратор - с его управляющим входом,На чертеже представлена принципиальна труктурная схема устройства для усилени лектрических сигналов пол упро води иковы детекторов. оиство состоит из каскадана полупроводниковом де м транзисторе 3 и конденсато транзистора 5, усилителя 6, 7, дифференцирующего уст браторов 9 и 10, линейного ля напряжения 12 на рези Устройство работает следующим Интервал времени 1 иопользуетс ления сигналов полупроводникового ра 2. Сигналы полупроводникового детектора 2 интегрируются на входе, инвертируются усилителем 6, дифференцируются устройством 8 и проходят через открытый линейный ключ 11. В конце интервала времени 1 з срабатывают дискриминатор 7 и одновибраторы 9 и 10. Длительность выдержки...

Способ фотохимического изготовления рамок многопроволочных электродов детекторов элементарных частиц

Загрузка...

Номер патента: 517081

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Глебов, Полетаев

МПК: H01J 39/02

Метки: фотохимического, электродов, детекторов, частиц, элементарных, многопроволочных, рамок

...ламелей на негативе непрозрачным экраном, а отпечатанные рабочие рамки корректируют, удаляя лишние 20 части ламелей механическим или химическимпутем.На фиг. 1 показано предлагаемое расположение ламелей на оригинале; на фиг, 2 -откорректированные ламели с припаянными 25проволоками.На рамке 1 электрода расположены металлизированные участки печатного монтажа-ламели 2, к которым пайками 3 присоединены проволоки 4 электрода, причем про- ЗОволоки электрода присоединены с шагом 1,ламели выполнены с шагом 1 на оригинале и с шагом 1 на негативе с учетом псакажений, возникших при его изготовлении.Если оригинал вычерчивают в увеличен- ЗЗном масштабе, то=щ,где ю - масштабный коэффициент междуоригиналом и негативом,Предположим, что деформации...

Устройство для автоматической стабилизации энергетической шкалы детекторов радиоактивного излучения

Загрузка...

Номер патента: 449329

Опубликовано: 05.10.1976

Автор: Шереметьев

МПК: G01T 1/40

Метки: стабилизации, детекторов, энергетической, автоматической, радиоактивного, излучения, шкалы

...среднегоуровня, в,два раза больше емкости конденсаторов,двух других пормализаторов, арность включения диодов этого пормаатора обратна полярности включенияди дов двух других н оров,На чертеже показана ма предложе:"449329 Составитель 3. ЧелноковаРедактор Т. Орловская Техред М Дикович Корректор В. Куприянов Заказ 5386/135 Тираж 690 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Устройство работает следуюшим образом.Входные импульсы воздействуют надискриминаторы 1, 2 и 3, Выходные импульсы дискриминаторов вызывают срабатывание нормализаторов 4, 5 и 6, приэтом заряд нормализатора 5 в два...

Криостат для полупроводниковых детекторов радиоактивных излучений

Загрузка...

Номер патента: 332407

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Жуйков, Недоступ, Прокофьев, Банашек, Рудик

МПК: G01V 5/00

Метки: детекторов, радиоактивных, криостат, излучений, полупроводниковых

...увеличивается продол. жительность автономного пребывания полупроводникового детектора прп пониженной температуре в крпостате и исключается возможность недопустимого повышения давления 5 в за.кнутом объеме, например, в сквах(янномприборе, что позволяет производить измерения в течение необходимого времени (5 час и более).На чертеже изображен крпостат для по у проводнпковых детекторов радиоактивных злученпй.Предлагаемое устройствода Дьюра 1, наполчяемогои хладопровода 2 с полупрП тектором 3.Внутренний объем криостата с помощьюсистемы трубопроводов н кранов подсоединяют к форвакуумному насосу 4.Кпдкпй азот наливают в крпостат через 20 съемную воронку 5, соединяемую краном 6 свнутренним объемом крпостата.Чтобы привести крпостат пз режима...

Способ изготовления тонкопленочных детекторов ядерных излучений на основе активированных щелочногалоидных сцинтилляторов

Загрузка...

Номер патента: 587427

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Скребцов, Сартбаев

МПК: G01T 1/20

Метки: активированных, сцинтилляторов, основе, щелочногалоидных, ядерных, тонкопленочных, излучений, детекторов

...световыхода и раз решения.Цель изобретения - увеличение световыходв и разрешающей способности детекторов.Согласно изобретению, указанная цель 1 о достигается использованием в качестве материала подложки .кристалла, близкого до постоянной решетки к материалу пленки и обладающего плоскостями спайности, по которым кристалл скалывают. На поверхность 15 скола, служащую подложкой, осаждают, причем при осаждении подложку поддерживают при оптимальной для данного материала пленки температуре. 20Способ поясняется чертежом.В лодочку 1, нагреваемую пропусканием электрического тока, помещают испаряемую нввеску 2 материала (ытивированного щелочногалоидного сцинтиллятора). Пары материа 25 ла осаждаются на подложке, образуя пленку 4, Температуру...

Высоковольтный источник постоянного напряжения для полупроводниковых детекторов

Загрузка...

Номер патента: 657546

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Чернявский, Еремеев

МПК: H02M 3/335

Метки: высоковольтный, детекторов, постоянного, полупроводниковых, источник

...Образом.При включении низковольтного преобрвзомтеля 4 сетевого напряжения в постоянное через переменный резистор 5, 50первичную обмотку повышающего трансформатора 6 и ключ 7 начинаег протекатьток, возрастающий по закону:Е 551-8ЯИ)где Е - напряжение низковольтного источ-ника питания 4; Ч Ч 1 1 Ч 1 Е 1 По такому же закону изменяется напряжение в точке А, являющейся входом дискриминатора уровня 2. При достижении напряжением в точке А величины, установленной блоком установки уровня 1, происходит срабатывание дискриминатора уровня 2. Выходной импульс, этого дискриминатора запускает одновибратор 3, который вырабатывает импульс, запирающий ключ 7. К моменту эапирания ключа 7 в магнитном поле повышакяцего трансформатора 6 запасена энергиями...

Способ измерения электрических сигналов хроматографических детекторов

Загрузка...

Номер патента: 681369

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Шмидель, Раривкер, Шепелев

МПК: G01N 31/08

Метки: детекторов, сигналов, хроматографических, электрических

...чекое сопротивление нагрузй, в свою очередь, обуслоние тепла. При этом пирокий датчик, находящийся вонтакте с нагрузкой генеяд, пропорциональный колиелившегося тепла. Учитываяельство, что сигнал пирокого датчика пропорционален681369 Формула изобретения Составитель Н. ПогонинТехред С,Мигай Корректор В.Заказ 5079/41 Тираж 1090 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва, ЖРаушская наб.д. 45 Бутяга Редактор Н. Хлудова Филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул; Проектная,4 скорости изменения его температуры,заряд на пироэлектрике будет возникать только при условии, что скоростьизменения температуры отлична от нуля,В связи с этим начальный ток детектора не создает сигнал на пироэлектрике, что, в свою...

Устройство для измерения электрических сигналов хроматографических детекторов

Загрузка...

Номер патента: 697923

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Шефтелевич, Раривкер, Шмидель, Шепелев

МПК: G01N 31/08

Метки: хроматографических, детекторов, электрических, сигналов

...на ур не д 10 э, что приводит к загрубл чувствительности детектирования.Целью изобретения является повышение точности и надежности измерения.20Цель достигается за счет того, что в предлагаемое устройство введен пироэлектрик, подключенный в цепь усилителя параллельно нагрузочному сопротивлению, а детектор подключен к долнительному сопротивлению, охватыщему. боковую поверхность пироэлект- . рика, при этом дополнительное сопротивление находится в тепловом контакте с пироэлектриком.На чертеже изображено предлагаемое устройство, где 1 - источник питания, 2 - детектор, 3 - нагрузочное сопротивление, 4 - дополнительное сопротивление, являющееся нагрузкой детектора, 5 - усилитель тока, 6 - пиз 5 роэлектрик,Устройство работает следующи...

Способ обработки полупроводниковых детекторов

Загрузка...

Номер патента: 646706

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Воробьев, Чернов, Арефьев, Сохорева, Мамонтов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, детекторов

...других характеристик (в частности, энергетического разрешения детекторов).Это достигается тем, что детекторы облучают позитронным потоком (102 - 10" позитрон/см) готовых полупроводниковых детекторов, Увеличение толщины р-п-перехода достигается также при позитронном облучении детекторов, проработавших в полях ионизирующих излучений.Установлено, что заметное ухудшение энергетического разрешения диффузионнодрейфовых детекторов наблюдается при позитронном облучении потоком более 10" позитрон/см. Кстати, при облучении потоком электронов ухудшение энергетического разрешения наблюдается также при дозе 10" электрон/см.646706 Формула изобретения Составитель Б. Рахманов Техред В. Серякова Корректор В. Петрова Редактор Л. Письман Заказ...

Криостат для охлаждения детекторов

Загрузка...

Номер патента: 763651

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Страшинский, Халин, Нечепоренко, Хомяков

МПК: F25D 3/10

Метки: криостат, охлаждения, детекторов

...детектора в корпусе расположена часть предусилителя сигналов, поступающих с детектора. Хладопровод 14выполнен с большим значением постоянной затухания акустических волн ввиде пучка гибких проводов, напримермногожильного шнура из луженого мед"ного провода, концы которого закреплены в наконечниках 15 и 16. Радиационный трубчатый экран 17 с помощьюрезьбового соединения 18 и уступа 19прижимает наконечник 15 к выступу 20,расположенному на боковой нижней части сосуда 1. На наконечнике 16, выполненном в виде ступенчатого винта,закреплены последовательно эластичная мембрана 21 и корпус 13. Гофрированная съемная кольцевая мембрана21 с отверстиями для откачки выполнена из малотеплопроводного и малоэвукопроводного материала, напримериэ...

Способ измерения электрическихсигналов хроматографических детекторов

Загрузка...

Номер патента: 853533

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Шмидель, Шепелев

МПК: G01N 31/08

Метки: детекторов, электрическихсигналов, хроматографических

...фиксируют сегнетоэлектрическим датчи ком, в котором электрический сигнал пропускают через омическое сопротивление периодически и измеряют амплитудные значения сигнала сегнетоэлектрика, пропорциональные величи не измеряемого сигнала.При этом электрический сигнал р хроматографического детектора периодически пропускают через омическое сопротивление. Хроматографический 30 сигнал делится на импульсы одинаковой длительности и крутизны, что обуславливает пропорциональность амплитуды сигнала сегнетоэлектрика высоте электрического сигнала в импульсе. Дейст вительно количество тепла, вьгделяемое за время, равно длительности импульса, пропорционально среднему значению высоты в импульсе, и скорость нагрева сегтетоэлектрика также про...

Источник питания детекторов ядерных излучений

Загрузка...

Номер патента: 665551

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Шерметьев

МПК: G01T 1/175

Метки: источник, питания, ядерных, излучений, детекторов

...ЗО дя 1 и опорным источником 5, Входпреобразователя 6 напряжения подключен к выходу истокового повторителя1, а выход через диод 7 - к выходному фильтру 8.Устройство работает следующим образом.После включения дифференциальный5усилитель 4 находится в нелинейном режиме ипитает стоковый повторитель 1 постоянным током, что в сочетании с положительной обратной свя. зью через истоковый повторитель 10обеспечивает линейный заряд конденсатора 1 через резистор 3. После того как выходное напряжение истоково, го поВторителя 1 сравняется с напряжением опорного источника 5, дифференциальный усилитель 4 переходит клинейный режим и поддерживает выходное напряжение истокового повторите ля 1 равным напряжению опорного источника 5, Выходное напряженйе пре-...