Патенты с меткой «арсениде»

Способ получения светодиодов на арсениде галлия

Загрузка...

Номер патента: 680085

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Пухов, Коваленко, Марончук

МПК: H01L 21/18

Метки: арсениде, галлия, светодиодов

...и сохраняется высокая эффективность,Активная р-область ЯаАЗ ограничиваетсяпотенциальным барьером, подученным при33выращивании гетероперехода р 6 аА р АХОа Аз который ограничивает область рекомбинации неосновных носителей (потенциальный барьер отражает электроны инжектированные в р-области).Толщина активной области лежит в пределах 1,5-5 мкм оптимальное значение2-3 мкм.П р и м е р. Эпитаксиальные структу-, ры на основе арсенида галлия выращивали 43 методом жидкостной эпитаксии из раствора-расплава Са-Аа-Ы, ограниченного подложками 6 аАэ, собранными в пакет с зазором между ними 2 мм. В расплав галлия помещали 6 вес. % Аэ и 0,4 вес. % Зэ Й . Выращивание осуществляли на подложках бай, легированных оловом с и =7 10 см 3. При 900...

Способ изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия

Загрузка...

Номер патента: 1831731

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Ваксенбург, Поляков, Иноземцев, Кораблик

МПК: H01L 21/335

Метки: арсениде, полевых, транзисторов, галлия

...кислоте. Для хороших пленок время травления слоя толщиной 0,09 мкм лежит в пределах 2-3 мин.Следующая операция - электронное экспонирование затворной маски: Используется электронной резист марки ЭЛП. Наносится центрифугированием при скорости вращения 4000 об/мин в течение 30 с, Сушка осуществляется в термостате при температуре 170"С 30 мин, Экспонирование проводится по программе в автоматическом режиме на установке 7 ВА(ф. Карл Цейс, Йена), Затворная щель экспонируется методом набора прямоугольных штампов размером 0,2 х 1,0 мкм с коэффициентом пе рекрытия 2. Одновременно с затворной щелью проводится экспонирование контактных областей истока, стока, затвора, Электронный резист ЭЛПявляется позитивным, поэтому экспонированные...

Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ахинько, Кравченко, Зыбин, Инкин, Родионов, Гольдберг, Артамонов, Шелюхин, Полторацкий, Липшиц, Емельянов, Ильичев

МПК: H01L 21/283

Метки: шоттки, сбис, полевых, арсениде, затвором, транзисторов, создания, галлия

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Поляков, Мессерер, Шаповал, Копецкий, Омельяновский, Пахомов

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, кремнии, галлия, пассивации, электрически, арсениде, центров

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильев, Герасименко, Мойзеш

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, формирования, арсениде, галлия

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.