Способ термической обработки полупроводниковых и диэлектрических подложек

Номер патента: 1605289

Авторы: Беневоленский, Тянгинский, Кубрин, Лисов

Скачать ZIP архив.

Текст

(19) 1 1. 23/34 ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ С ЕЛЬСТВ зоб еие относится к технологиикроэлектронныхустую очередь к процессад аботки полупроводникоических подложек.етения является повыше ыхода годных изделий производства м ройств, в перв плазменной оЬр вых и диэлектр, Целью изобр ние процесса в обра- епло- гра- ивоирует лысой ов е ока(71) Московский авиационный технологический институт им,К.Э.Циолковско(54) СПОСОБ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИПОДНОЖЕК(57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовпри плазменной оЬработке полупровониковых и диэлектрических подложек(П). Цель изобретения - повышение путем снижения температуры подложекпри обработке,На фиг. 1 схематически изображенывозможные варианты образования зазорамежду подложкой и подложкодержателемв процессе обработки; на фиг. 2принципиальная схема устройства дляреализации спосоЬа обработки; на выхода годных изделий путем снижениятемпературы П при обработке. Для этого формирование прогиба охлаждаемогоподложкодержателя осуществляют послеразмещения и закрепления на нем П впроцессе бомЬардировки их потокомзаряженных частиц следующим образом.Измеряют прогиб П относительноподложкодержателя по всей поверхности их касания и определяютзону с наибольшей величиной прогиба П. Деформируют охлаждаемыйпрогиба П.Деформируют охлаждаемыйподложкодержатель в зоне с наибольшейвеличиной прогиба П и контролируютвеличину прогиба П относительно охлаждаемого подложкодержателя, прекращая деформацию в момент ликвидациипрогиба П относительно охлаждаемогоподложкодержателя. 3 ил,фиг. 3 - конструкция устройства,ализующего способ.Подложка изгиЬается во времяботки вследствие поглощения ею т.вого потока и возникающего в нейдиента температур. Этот изгиб прдит к тому, что подложка контактс подложкодержателем только небочастью своей поверхности, зависяот того, какова была форма подлодо начала воздействия на нее теплго потока. На фиг. 1 сплошной липоказаны начальные формы подложепунктиром обозначены формы подложво время воздействия теплового поГсли подложка была ровной и контактир.вала с подложкодержателем до нацала обработки своей поверхностью, топосле ее нагрева зоной контакта ста 5човится лишь периметр положки (фиг.1 а).Этот случай является наиболее частовст речающимся, Воэмонны и другие случаи (фиг.1 б,в) но зона контакта подложки с подложкодержателем в любом случае будет изменяться, вследствие чеговозможен перегрев подложек,СпосоЬ основан на том, что дляуменьшения температуры подложки необходимо увеличить зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью приемного устройства Ч, котороевключает в себя два фотоприемника,сигналы с которых подаются на устройство распознавания направления пере 40мещения интерференционных полос, затем подложкодержатель изгибают с помощью исполнительного устройства 5таким образом, чтобы ликвидироватьзазор между подложкой и подложко 45держателем.. На фиг. 3 показано конструктивноевыполнение устройства, реализующегоспособ обработки подложкодержателя,который состоит из тонкой пластиныподложкодержателя 1, по периметру которой в приливах выфрезерована канавка Ь для протока охлаждающей воды,герметизированная с помощью резиновой прокладки 7 и крышки 8; сверху наподложкодержателе установлена подложка 2, закрепленная с помощью фиксаторов 9, выполненных в виде плоскойпружины; подложкодержатель жесткозакреплен на станине 10; изгиб подложкодержателя осуществляется штоком11, вертикальная подача которого осуществляется реверсивным двигателемчерез редуктор и винтовой механизм,изгиЬающее устройство подводится воЬласть максимального прогиба с помощью управляемого суппорта,Изобретение обеспечивает лучшийтепловой контакт между подложкой иподложкодержателем и, как следствие,меньшую температуру подложки в процессе обработки, что позволяет увеличить процент выхода годных изделий.формула изобретенияВпособ термической обработки полупроводниковых и диэлектрических под" ложек,. включающий размещение и закрепление подложки .на охлаждаемом подложкодержателе с возможностью теплового контакта с ним, формированиепрогиба подложкодержателя в месте размещения подложки и бомбардировка поверхности подложки потоком заряженных частиц, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения процента выхода годных изделий путем снижения температуры подложек, формирование прогиба охлаждаемого подложкодержателя осуществляют после размещения и закрепления на нем подложки в процессе бомбардировки подложки потоком заряженных частиц следующим образом: сначала измеряют прогиб подложки относительно подложкодержателя по всей поверхности их касания, определяют зону с наибольшей величиной прогиба подложки, а затем деформируют охлаждаемый подложкодержатель в зоне с наибольшей велициной прогибы подложки и контролируют величину прогиба подложки относительно охлаждаемого подложкодержателя и прекращают деформацию в момент. ликвидации прогиба подложки относительно охлаждаемого подложкодержателя, 1605289роиэводственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул, Гагарина Заказ 3456 Тираж 45ВНИИПИ Государственного комитета113035, Москва,Подписноео изобретениям и открытиям при ГКНТ СС35, Раушская наб д, 4/5

Смотреть

Заявка

4365803, 19.01.1988

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. К. Э. ЦИОЛКОВСКОГО

БЕНЕВОЛЕНСКИЙ СЕРГЕЙ БОРИСОВИЧ, КУБРИН ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ЛИСОВ АЛЕКСАНДР АНДРЕЕВИЧ, ТЯНГИНСКИЙ АЛЕКСАНДР ЮРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 23/34

Метки: подложек, термической, диэлектрических, полупроводниковых

Опубликовано: 07.11.1990

Код ссылки

<a href="http://patents.su/4-1605289-sposob-termicheskojj-obrabotki-poluprovodnikovykh-i-diehlektricheskikh-podlozhek.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ термической обработки полупроводниковых и диэлектрических подложек</a>

Похожие патенты