Трехэлектродный полупроводниковый переключатель

Номер патента: 466817

Авторы: Евсеев, Думаневич

Скачать ZIP файл.

Текст

Смотреть

(51) ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ем щии сяния стойкосростям нарашунтировка д то, с целью повьннебора к высоким скотания анодного тока,ополнительной областилько со стороны управода,выполнена ющего эле 2. Пе о про Я г СУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 21) 1907949/26-25(54)(57) 1, ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, выполненныйна основе многослойной структуры счислом чередующихся слоев различноготипа проводимости не менее четырех,с зашунтированным катодным переходоми управляющим электродом, присоединенным к участку электронного типа,лежащему в одной плоскости с катодной областью электронного типа проводимости, и отделенным от последней областью дырочного типа проводимости, в которой расположена зашунтированная дополнительная областьэлектронного типа, о т л и ч а ю -реключатель по п.1 о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стойкости прибора к скорости нарастания анодного напряжения, шунтирование катодного токосъема осу" ществляется со стороны управляющего электрода, а между анодным токосъе" мом и эмиттером дырочного типа создан участок с высоким сопротивлением, например область электронного типа проводимости, так что на него частичтируется область электроннопроводимости с шунтировкой.Изобретение относится к полупроводниковым переключателям на основе многослойных структур - однонаправленным и двунаправленным 1 сймметрич 5 ным) тиристорам, управляемым током отрицательной полярности.Существующие однонаправленные переключатели с инжектирующим управляющим электродом и шунтируемой вспомогательной областью со стороны катода характеризуются тем, что сначала включается область структуры под управляющим электродом, затем от анодного тока включается вспомога тельная область структуры и после этого - основная часть структуры.Недостаток такого переключателя заключается в том, что основная часть мощности включения приходится на 20 участок структуры под управляющим электродом и зависит от периметра области электронного типа, Кроме того, шунтирование вспомогательной области электронного типа со стороны 25 катода приводит при протекании тока управления) к смещению в обратном 1направлении двух р - п-переходов, вследствие чего повышается напряжение в цепи управления, 30Предложенный переключатель отличается тем, что шунтировка дополнительной области выполнена только состороны управляющего электрода.На фиг.1 изображен тиристор, упРав ляемый током . отрицательной полярности и содержащий пластину 1 исходного кремния электронного типа, диффузионные слои 2,3 дырочного типа; диффузионные слои 4,5,6 электрон ного типа; электроннодырочные переходы 7-11; металлические контакты 12- 15Отличием данной структуры является шунтирование р-и-перехода 1145 дополнительной области 6 со стороны управляющего электрода. В результате при подаче сигнала управления инжекция электронов происходит из областей 5 и 6, структура включается в этих местах практически одновремен 50 но, мощность включения на первом этапе распределяется между этими областями. При этом увеличивается скорость нарастания анодного тока, При протекании тока управления р - и"переходы 10 и 11 смещены в прямом на"правлении, что обуславливает снижение напряжений управления.На фиг,2 изображен тиристор,управляемый током отрицательной полярности и выдерживающий высокие скорости нарастания анодного напряжения,Особенно стью этой конструкции я вляФется шунтирование катодного эмиттерного р - н-перехода со стороны управляющего электрода и наличие участкас высоким сопротивлением 16 междуанодным токосъемом 12 и эмиттеромдырочного типа 3. Участок 16 можетбыть диэлектриком или полупроводником электронного типа, в последнемслучае граница раздела 7 между областями 16 и 3 является р - и-переходом. Взаимное расположение участка 16 и областей электронного типа4, 5 и 6 таково, что проекции слоев5 и 6 попадают на слой 16 полностью,а проекция слоя 4 - частично,Конструкция позволяет достичьвысокой скорости нарастания анодного напряжения за счет того, что шунтированием эмиттерного перехода 9исключается прохождение через этотпереход емкостного тока, генерируемого в области управления. Отсутствие обратносмещенных .р - п-переходовв цепи управления снижает напряженияуправления.На фиг.З изображен тиристор,управляемый током отрицательной полярности, у которого увеличен пери-.метр включения катодной области 4 засчет дополнительного выведения базовой области 2 на поверхность структуры и присоединения к ней электрода 18, электрически связанного сэлектродом 15. При этом слой 16 выполнен таким образом, что только область 5 и частично область Ь проектируются на этот слой,Предложенные варианты многослой- . ных структур могут быть использованы при конструировании симметричных тиристоров, а также тиристоров, управляемых током любой полярности, для улучшения их динамических параметров,4 Ь 687 иг. ехред М,Д 1 ктор Н,Сильнягина ипен орректор аказ ЗЗЫ ое л. П Производственно-полиграфическое предприятие, г. Уж на Тираж 74 Ь ВНИИПИ Государственного ком по делам изобретений и о 3035, Москва, Ж, Раушская

Заявка

1907949, 18.04.1973

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6517

ЕВСЕЕВ Ю. А, ДУМАНЕВИЧ А. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, переключатель, трехэлектродный

Опубликовано: 30.05.1988

Код ссылки

<a href="http://patents.su/3-466817-trekhehlektrodnyjj-poluprovodnikovyjj-pereklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Трехэлектродный полупроводниковый переключатель</a>

Похожие патенты