Номер патента: 349356

Авторы: Думаневич, Евсеев

Скачать ZIP архив.

Текст

(19) 1 1. 29/74 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ( СВИДЕТЕЛЬСТВУ лении током любо чения помехоусто равления выполне бора в любом напрполярности и обесчйвости, область следовательнститутЕвсеев на в виде круг ыро ого ым ипом про одимости, окружен астью с электронн ь евон о роводи ны рсначал ного т м типом о со сто укольцам сти и отделенног иттера двумя пол ектронного, а з проводимости и т о оответственно стороны и"эмиттердырочного типа, пления, состоящая одним полукольцом .чем область управучастков разноас екА ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ(54)(57) СИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР, выполненный на основе многослойной структуры, например п-р-п-р-п, с за шунтированными переходами так, что области электронного и дырочного типа проводимости имеют выход под основные контакты токосъема, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упра ления напряжением переключения приименнои проводимости, проектина противоположную плоскостьны, хотя бы частично в областтронного типа проводимости.349356 10 15 20 25 30 35 45 50 55 Изобретение относится к областиконструктирования полупроводниковыхприборов.Решается задача создания симмет"ричного тиристора, переключающегосяв прямом и обратном направлениях приподаче сигнала на управляющий электрод, обладающего повышенной помехоустойчивостью и улучшенными динамическими характеристиками,Известны конструкции тиристоров,управляемых подачей сигнала управления на управляющий электрод.Однако в известных конструкцияхсимметричных тиристоров под основны-.ми контактами имеется одно или дваперекрытия проекций эмиттерных слоев Р-типа, наличие которых приводитпри выключении прибора к неконтролируемому включению ранее непроводящей части в проводящее состояние.Кроме этого указанные устройства обладают, как правило, малым входнымсопротивлением, что приводит к недостаточной помехоустойчивости,Предложенный трехэлектродный сими.стор отличается повышенной помехоустойчивостью и улучшенными динамическими свойствами, позволяющими емуработать на повышенных частотах,Особенностью данной конструкцииявляется то, что область управленияпод управляющим электродом выполнена в виде круга с дырочным типомпроводимости, окруженного кольцевойобластью с электронным типом проводимости. Область управления отделенаот эмиттерной области электронноготипа половиной кольцевой областидырочного типа проводимости, а отэмиттерной области дырочного типа полукольцом с электронным типом проводимости и полукольцом области дырочного типа проводимости,На фиг.1 схематично изображено сечЕние симистора; на фиг,2 - полупроводниковая пластина, вид сверху и снизу.Предложенный симистор состоит из исходного монокристаллического кремния 1 с проводимостью электронного типа, дырочных слоев 2 и 3, получен ных. диффузией, эмиттерных слоев 4 и 5 п-типа, кольцевой области 6 с электронным типом проводимости, полу- кольцовой области 7 с электронным типом проводимости, электронно-дырочных переходов 8-13, управляющего электрода 14, верхнего и нижнего силовых электродов 15,16 соответственно,Такая конструкция удлиняет, расстояние, по которому протекает ток управления. На фиг1 сплошными линиями обозначено протекание положительного тока управления, штриховыми -отрицательного тока управления, Увеличение путем протекания тока управления увеличивает мощность, необходи. мую для отпирания структуры, и повышает ее помехоустойчивость,Такая структура может управляться током любой полярности как в прямом, так и обратном направлениях.Действительно, в прямом направлении верхний электрод отрицателен по отношению к нижнему, при подаче поло. жительного сигнала управления прибор работает как обычной тиристор, а именно, электроны инжектируют эмиттерный слой 5.В случае отрицательного сигнала включается кольцевая область 6, а затем остальная часть эмиттерного слоя 5,В обратном направлении соответственно при положительном и отрицательном сигналах управления электроны инжектируются областями 7 и Ь.Следует отметить, что .область управления (т.е. участки, расположенные под управляющим электродом, а также участки, прилегающие к нему) при проектировании на нижнюю плос" кость пластины в данном случае не выходит.за пределы внутреннего полукру 40, га электронного типа и имеет общую с ним границу, Однако конструкциядопускает как увеличение, так и умень. шение радиуса внутреннего полукольца.Особенностью рассмотренныхконструкций является то, что проекция эмит" терных областей на верхнюю или нижнюю плоскость пластины имеет, за исключением района управляющего электрода, общую границу. Однако возможны варианты, когда проекции областей эмиттерного типа либо перекрываются, либо разделяются областью дырочного типа проводимости.Например, улучшить динамические свойства можно путем разведения про, екций шунтов основного токосъема с тем, чтобы проекции областей одноименных типов проводимости .были разделены участком с дырочным типом про.349356 Редактор Н,Сильнягина Хр орректор Л,Пили к Заказ 338 Тираж 746 Под ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д, сное/5 оиз дственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектна водимости. Можно добиться уменьшения токов управления, для этого шунтирующие основной токосъем области дырочного типа проводимости проектируются на область электронного типапроводимости.

Смотреть

Заявка

0843040, 22.06.1963

МОРДОВСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ДУМАНЕВИЧ А. Н, ЕВСЕЕВ Ю. А

МПК / Метки

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, симметричный

Опубликовано: 30.05.1988

Код ссылки

<a href="http://patents.su/3-349356-simmetrichnyjj-tiristor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Симметричный тиристор</a>

Похожие патенты