Патенты опубликованные 20.09.2001

Способ изготовления проволоки из технического титана

Номер патента: 1482008

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Харитонов, Селиванов, Никифоров, Егоров, Белан, Кабанова

МПК: B21B 1/16

Метки: проволоки, технического, титана

Способ изготовления проволоки из технического титана, включающий деформацию заготовки в многовалковых калибрах, отличающийся тем, что, с целью повышения качества путем стабилизации температурного режима, проволоку в процессе деформации охлаждают, причем охлаждение проводят в два этапа: при степени деформации до 60% охлаждение осуществляют до 20 - 150oC, при степени деформации 60 - 90% охлаждение осуществляют до 150 - 250oC.

Способ изготовления проволоки из (+)-титановых сплавов

Номер патента: 1482009

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белан, Селиванов, Никифоров, Егоров, Кабанова, Харитонов

МПК: B21B 3/00

Метки: проволоки, сплавов, титановых

Способ изготовления проволоки из ( + )-титановых сплавов, включающий нагрев заготовки и прокатку, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности, нагрев производят до температуры T, определяемой из зависимости T = [(580 - 630) - 20V1], где V1 - скорость прокатки в первом проходе, не превышающая 2 м/с, а прокатку осуществляют в многовалковых калибрах с суммарной степенью деформации 70 - 75%.

Способ выделения изопрена из углеводородной фракции c5

Номер патента: 561371

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Сараев, Павлов, Ератов, Бушин, Горшков

МПК: C07C 7/05, C07C 11/18

Метки: изопрена, фракции, выделения, углеводородной

Способ выделения изопрена из углеводородной фракции C5, содержащей циклопентадиен и пиперилен, путем ректификации исходной смеси с выводом изопрена в виде дистиллята, а циклопентадиена и пиперилена в виде кубового остатка с последующей его димеризацией и отгонкой пиперилена от димеров циклопентадиена, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности разделения, отогнанный пиперилен в количестве 90 - 100 мас.% подают в парообразном состоянии в куб колонны ректификации.

Способ получения структурированных диеновых сополимеров

Номер патента: 509055

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Шихалова, Козин, Копылов, Космодемьянский, Никитин, Боровкова, Лазарянц

МПК: C08F 236/04

Метки: структурированных, сополимеров, диеновых

Способ получения структурированных диеновых сополимеров водноэмульсионной сополимеризацией сопряженных диенов или сопряженных диенов и виниловых мономеров со структурирующими мономерами, содержащими две или более винильных групп, в присутствии известных радикальных инициаторов, эмульгаторов с применением в качестве регулятора молекулярного веса алкилмеркаптанов, отличающийся тем, что, с целью получения конечного продукта с улучшенными свойствами, пригодного для использования в качестве эластичных наполнителей для эластомеров, структурирующий мономер применяют в количестве 5 - 40 мас.% от смеси мономеров, а регулятор молекулярного веса - в количестве 2 - 15 мас.ч. на 100 мас.ч. мономеров.

Система вытяжных трехвалковых калибров

Номер патента: 1135072

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Никифоров, Зюлин, Харитонов

МПК: B21B 1/08

Метки: калибров, вытяжных, трехвалковых

Система вытяжных трехвалковых калибров с чередованием трехгранных калибров, образованных цилиндрическими поверхностями валков, и шестигранных калибров, каждая пара смежных сторон которых образована поверхностями профилированного валка, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости раската при прокатке его в шестигранном калибре, одна из рабочих поверхностей профилированных валков, образующих этот калибр, выполнена цилиндрической, а вторая - конической, причем калибры взаиморасположены таким образом, что образующие конических поверхностей валков шестигранного калибра параллельны образующим цилиндрических поверхностей валков предыдущего трехгранного калибра.

Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Миркин, Короткова, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых, материалах, инверсных, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Миркин, Постников, Газуко, Шпирт, Лукашова, Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: электронно-дырочных, полупроводниковом, материале, структур

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...

Способ получения -аминомасляной кислоты

Номер патента: 452196

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Плешаков, Корнилов, Кривашов, Скачилова

МПК: C07C 227/24, C07C 229/08

Метки: кислоты, аминомасляной

Способ получения -аминомасляной кислоты расщеплением -пирролидона гидроокисью металлов с последующей нейтрализацией реакционной массы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода целевого продукта и интенсификации процесса, в качестве расщепляющего агента используют гидроокись калия, а в качестве нейтрализующего агента - уксусную кислоту.

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Сазонов, Старикова, Прохоров, Зыканова, Зимаков, Коршунов, Верин, Соловьев, Аверьянова

МПК: H01L 21/268

Метки: слоев, пластин, полупроводниковых, ионно-имплантированных, отжига

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Способ обработки кремния

Номер патента: 1498074

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Поташный, Тимашева, Прохоров, Коршунов, Старикова, Никитин, Щербина, Петровнин

МПК: C30B 31/22, C30B 29/06

Метки: кремния

Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

Резервированный формирователь тактовых импульсов

Номер патента: 995699

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Январев, Дуров, Иванникова

МПК: H05K 10/00

Метки: формирователь, резервированный, тактовых, импульсов

1. Резервированный формирователь тактовых импульсов, содержащий N генераторов импульсов, выход каждого из которых подключен к входу канала формирования импульсов, состоящего из блока формирования, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, в каждый канал формирования импульсов дополнительно введены M последовательно соединенных делителей частоты, счетный вход первого из которых подключен к выходу блока формирования, причем входы со второго по N-ный каждого блока формирования соединены соответственно с выходами генераторов импульсов других каналов формирования импульсов, а разрядные входы одноименных делителей частоты соединены параллельно.2. Формирователь по п.1,...

Способ прокатки проволоки из титана

Номер патента: 1439818

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белан, Селиванов, Копьев, Губанов, Никифоров, Кулеша, Егоров, Кабанова, Харитонов

МПК: B21B 3/00, B21B 1/08

Метки: титана, проволоки, прокатки

Способ прокатки проволоки из титана, включающий холодную пластическую деформацию в системе вытяжных и чистовом круглом калибрах, отличающийся тем, что, с целью повышения качества проката и производительности процесса, деформацию проводят в системе четырехвалковых калибров квадрат - круг с относительными обжатиями за проход в квадратных калибрах 20 - 30%, в круглых 16 - 20% при общей суммарной степени обжатия 85 - 90%.

Способ получения включений гексаборида кремния

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Зимаков, Коршунов, Сарайкин, Тимашева, Генералов, Щербина, Губарь, Старикова, Петровнин, Гласко, Гаськов, Соловьев, Верин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, включений, гексаборида

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия

Номер патента: 1563510

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Коршунов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, приборов, индия, антимониде

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 1012 до 1016 см-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве...

Способ обработки поверхности кремния

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Гласко, Коршунов, Губарь, Старикова, Соловьев, Прохоров, Верин, Шестериков, Аверьянова, Козлов, Петровнин, Павлов, Генералов, Щербина, Зимаков, Тимашева

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Способ легирования пластин кремния

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Тимашева, Зыканова, Лисина, Авдеев, Петровнин, Соловьев, Старикова, Гаськов, Генералов, Коршунов, Сарайкин, Зимаков, Верин, Щербина, Соколов

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, легирования, кремния

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев, алмазоподобных, материалах

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Способ определения энергетического положения точки lic дна долины l нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: долины, энергетического, обманки, проводимости, зоны, положения, точки, структурой, цинковой, нижней, полупроводникового, дна

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Способ получения п-слоев в антимониде индия

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Соловьев, Орликовский, Зимаков, Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: индия, п-слоев, антимониде

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Способ легирования кремния бором

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Тимашева, Старикова, Петровнин, Коршунов, Козлов, Щербина, Прохоров, Павлов

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Старикова, Соловьев, Зыканова, Генералов, Белотелов, Петровнин, Прохоров, Коршунов, Зимаков, Щербина, Аверьянова, Верин, Камушкин, Шестериков, Астахов

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых, отжига, ионолегированных

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Тихонов, Дубровская, Коршунов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: слоя, инверсного, индия, антимониде

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

Способ образования врубовой полости

Загрузка...

Номер патента: 1515880

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Тюпин

МПК: E21B 19/24, F42D 3/04

Метки: полости, образования, врубовой

Способ образования врубовой полости, включающий бурение центральной опережающей скважины и периферийных шпуров вокруг нее, заряжание периферийных шпуров зарядами дробления, а в центральной скважине в ее перебуре размещение заряда выброса и взрывание сначала зарядов дробления, затем заряда выброса, отличающийся тем, что, с целью повышения качества образования врубовой полости и снижения степени удароопасности массива за счет использования гидродинамического эффекта взрыва, центральную скважину бурят с наклоном вниз под углом к горизонту, определяемым из выражения

Арматурная проволока периодического профиля

Номер патента: 1628609

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козин, Харитонов, Киреев, Никифоров, Кулеша, Евтеев

МПК: E04C 5/03

Метки: профиля, арматурная, проволока, периодического

Арматурная проволока периодического профиля, содержащая равномерно расположенные на ее гладкой поверхности вмятины и выступы, отличающаяся тем, что, с целью улучшения ее механических свойств, контуры поперечного сечения поверхности выступов и гладкой поверхности образованы дугами концентрических окружностей, отношение радиусов которых соответственно составляет от 1,005 до 1,15.

Способ нанесения смазочного покрытия на поверхность стальных изделий

Номер патента: 1455778

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Кулеша, Никифоров, Соколов, Копьев, Харитонов, Горбатов

МПК: C25D 5/02

Метки: стальных, смазочного, покрытия, поверхность, нанесения

Способ нанесения смазочного покрытия на поверхность стальных изделий, включающий обработку в водном растворе натрового мыла, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и коррозионной стойкости изделий, покрытие наносят путем анодной поляризации в водном растворе, содержащем 2 - 10 г/л натрового мыла при напряжении 20 - 40 В и температуре 45 - 65oC в течение 4 - 10 с.

Вулканизуемая смесь на основе латекса бутилкаучука

Номер патента: 529623

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Прокофьев, Коврайская, Лысых, Иванов, Лазарева, Космодемьянский, Медников, Лазарянц, Копылов, Трофимович, Бугров, Орлова, Самородов

МПК: C08L 23/22, C08L 9/10

Метки: смесь, основе, бутилкаучука, латекса, вулканизуемая

Вулканизуемая смесь на основе латекса бутилкаучука, содержащая серу, окись цинка, ультраускоритель класса дитиокарбаматов и углеродную сажу, отличающаяся тем, что, с целью увеличения сопротивления раздиру вулканизованной пленки, она дополнительно содержит сополимер изобутилена со стиролом или -метилстиролом с содержанием связанного стирола ( -метилстирола) 50 - 90% при следующем соотношении компонентов (в расчете на сухое вещество латекса), мас.ч.:Латекс бутилкаучука - 100Сополимер изобутилена со стиролом или

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: электронов, вырожденных, слоях, полупроводников, приповерхностных, параметров

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра

Способ выделения изопрена

Номер патента: 531352

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Осовский, Шмук, Милославский, Короткевич, Бушин, Кирнос, Горшков, Вернов, Черкасов, Мандельштам, Сараев, Павлов, Степанов, Плечев

МПК: C07C 11/18, C07C 7/08

Метки: выделения, изопрена

Способ выделения изопрена из C5-углеводородных смесей путем экстрактивной дистилляции с отделением пентан-пентеновой фракции и последующей ректификацией изопреновой фракции в присутствии разделяющего агента, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, ректификацию осуществляют при концентрации разделяющего агента 5 - 38 мас.%.

Способ изготовления проволоки из (+)-титановых сплавов

Номер патента: 1520717

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белан, Харитонов, Кабанова, Селиванов, Егоров, Никифоров

МПК: B21B 1/00

Метки: титановых, сплавов, проволоки

Способ изготовления проволоки из ( + )-титановых сплавов, включающий нагрев заготовки и деформацию в несколько проходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности и повышения качества, в процессе деформации осуществляют охлаждение, причем при степени суммарной деформации до 50% охлаждение осуществляют до температуры деформации 640 - 670oC, при степени суммарной деформации более 50%, но менее 80% охлаждение осуществляют до температуры деформации более 670oC, но менее 700oC.

Способ изготовления проволоки из -титановых сплавов

Номер патента: 1520718

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Кабанова, Егоров, Харитонов, Селиванов, Никифоров, Белан

МПК: B21B 1/00

Метки: проволоки, титановых, сплавов

Способ изготовления проволоки из -титановых сплавов, включающий нагрев заготовки и деформацию в несколько проходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности и повышения качества, в процессе деформации осуществляют охлаждение, причем при суммарной степени деформации до 55% охлаждение осуществляют до температуры деформации 470 - 500oC, при суммарной степени деформации более 55%, но менее 85% охлаждение осуществляют до температуры деформации более 500oC, но менее 530oC.