Полупроводниковый материал для записи голограмм

Номер патента: 453976

Авторы: Соскин, Копинец, Погорецкий, Блецкан, Салькова

Скачать ZIP файл.

Текст

(23) ПриоритетОпубликовано 05,03.76, Бюллетень9 Дата оп олцковаппя опцсаци 51 30.0-./6 овета Министров СССРо делам изобретений(71) Заявитель ститут физики А аинской СС(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИА ДЛЯ ЗАПИСИ ГОЛОГРАММлах голограммы гспользованы как материал для заб мула ецц записи что с гал длтем, ацци х дцф ельно атер йся фцк" ысок ств 1 т. 11 олупроводццковьшголограмм, отл и ч а ю щ целью непосредственной ренццонной картины прц в 30 ной эффективности ц чутинтер фе- такццонтц, упоИзобретение относится к области голографии и может быть использовано для записи информации с помощью излучения рубинового лазера, а также для получения отражающих профильных дпфракционных решеток.Недостатком голографической записи на известных материалах является длительный и трудоемкий процесс обработки материалов, невысокая дцфракционная эффективность.С целью разработки материала для записи голограмм используют материал из,группы слоистых полупроводников, коэффициент поглощения которых чувствителен к красной области спектра, например, сернистого германия, иодистого висмута, фосфористого кадмия..Чоцокрпсталлы имеют вид плоско-параллельных пластинок с зеркальной поверхностью.При плотности энергии излучения рубинового лазера порядка 0,1 дж/см для сернистого германия, 0,05 дж/см- для йодистого висмута, 0,2 дж/см" для фосфорцстого кадмия, работающего в режиме свободной генерации, записываются профильные голографические решетки с высокой пространственной частотой (10 з мин/мм). Профиль решетки для каждого цз материалов различен.Голографическая решетка записывалась пз. лученцем рубинового лазера за времена порядка 10-"ек, и нс требовалась последующая обработка. Геометрические размеры кристаллов не изменялись при длительном хранении (2 месяца) так жс, как ц свойстьа решетки, Дцфракццонная эффективность в первом порядке составляет для сернистого германия 1 = (10+ 2) %, для йодистого висмута т 1 = = (12+-2) %, для фосфористого кадмия 11 = (15+ 2) % прц воспроизведении излучением гелцй-неонового лазера (. = 0,633 нм), прц нанесении на поверхность тонкого слоя золота достигнуто значение 11=30% ц 50%.Описываемая среда существенно ускоряет и упрощает процесс записи голограмм. Кристаллы достаточно технологичны прц выращивании, обладают низкой себестоимостью. Онц устойчивы и воздействшо влаги, что позволяет создавать на цх основе дешевые и надежные голографические элементы.Записанные на крцсталпрежде всего могут бытьоптические элементы и какписц ц хранения информации.453976 Составитель Е. Халатова Текред А. Камышникова Корректор Л. Орлова Редактор М, Цветаева За каз 1221,12 Изд. М 207 Тираж 581 Подписное Ц 1.1 ИИПИ Государствениого комитета Совета Мииистров СССР ио делам изобретеиий и открытий 113035, Москва, )К, Ртис ая иаб., и. -15Типография, ир. С:имиоиа, 2 мяиутый материал вьиолнен из слоистого полуирово,тника, чувствительного к красной области спектра.2. Материал по и. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, цто упомянутый материал выполнен из сернистого германия. 3. Чатериис по и. 1, о т л и ч а ю и и й с я тем, что упомянутый материал выполнен из йодистого висмута,4. Материал по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый материал выполнен из фосфористого кадмия.

Смотреть

Заявка

1886848, 23.02.1973

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ АН УКРАИНСКОЙ ССР

ПОГОРЕЦКИЙ П. П, САЛЬКОВА Е. Н, СОСКИН М. С, БЛЕЦКАН Д. И, КОПИНЕЦ И. Ф

МПК / Метки

МПК: G03H 1/00

Метки: записи, голограмм, материал, полупроводниковый

Опубликовано: 05.03.1976

Код ссылки

<a href="http://patents.su/2-453976-poluprovodnikovyjj-material-dlya-zapisi-gologramm.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый материал для записи голограмм</a>

Похожие патенты