Полупроводниковый керамический материал

Номер патента: 1730080

Авторы: Шпак, Суровяк, Раевский, Юркевич, Гольцов

Скачать ZIP архив.

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1730080 А 1 19 51)5 С 04 В 35/00 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ тутфиом уни"строиский,К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Научно-исследовательский инстизики при Ростовском государственнверситете и Ростовский инженернотельный институт(56) Авторское свидетельство СССРМ 1321299, кл, Н 01 С 7/02, 1984,Патент Японии М 53-31556,кл. Н 01 С 7/02, 1978,Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для из-. готовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС).Известен полупроводниковый керамический материал для изготовления позисторов, который с целью повышения рабочей температуры содержит титанат бария и добавку стекла, В качестве добавки стекла материал содержит систему оксидов бора, алюминия, бария стронция и вольфрама при следующем соотношении компонентом, мас.: титанат бария 95,0-98,0; добавка стекла 2,0-5,0. Оксиды добавки стекла могут быть взяты в следующих количествах, мас.%: В 20 з 45-60; А 120 з 8-10; ВаО 20-30; ЯГО 10-15 и И/Оз 1,15-4.Недостатком керамического материала является снижение ПТКС ат при введении добавки стекла в виде системы оксидов ба 54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ(57) Использование: электронная техника. термисторы с положительным температурным коэффициентом сопротивления, Сущность изобретения: Материал содержит, мас.ф: титанат бария-свинца формулы Ва 1-хРЬхТОз, где х = 0,4-0,6 93-95, и 5-7 стекло, содержащее, мас,: РЬО 65,2 - 76,8; В 203 15,2-25,4; А 1203 2,7-6,7; ЧЧОЗ 2,3-3,8, Температура спекания материала 1200- 1240 С, сопротивление 3,1.10 .-8,6 10 Ом х х см, температурный коэффициент сопротивления 11,5-21,1 о/К. рия, стронция, алюминия и вольфрама до4 - 5 %/С.Наиболее. близким к предлагаемому является полупроводниковый керамическийматериал для терморезисторов с положительным температурным коэффициентомсопротивления, содержащий титанат бариясвинца формулы Ва 1-хРЬхТЮз, где х = 0,40,6, и легирующую добавку. Температура Т 1,при которой начинается рост удельногоэлектросопротивления р, составляет 250350 С,Недостатками этого материала являются высокое значение температуры спеканияТсп, достигающее 1300 С, и сложная техно.логия изготовления терморезисторов.Целью изобретения является снижениетемпературы спекания и упрощение технологии при сохранении высоких значенийтемпературного коэффициента сопротивления,1730080 метра, Величину температурного коэффициента атмакс рассчитывают по формуле2303 9/ 9 Р %/оСТ - Т 1где Т 1 и Тг - температуры, при которых соответственно начинается и заканчивается наиболее резкий рост сопротивления образца; р 1 ирг - удельное электросопротивление материала при этих температурах.Введение в титанат бария-свинца леги 10 рующей добавки в виде стекла состава, мас.%: РО 65,2-76,8: ВгОз 15,2 - 25,4: АгОз 2,7 - 6,7 и В/Оз 2,3 - 3,8 в количестве 5 - 7 15.Раеваентал Корректор Т,Галий Заказ 1485 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Поставленная цель достигается тем, что полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления содержит титанат бария-свинца формулы Ва 1-хРЬхТОз, где х = 0,4-0,6, и легирующую добавку.Согласно изобретению в качестве легирующей добавки используют стекло состава, мас.%: РЬО 65,2 - 76,8; ВгОз 15,2-25,4; АгОз 2,7-6,7: Ю/Оз 2,3-3,8 при следующем соотношении компонентов материала, мас. :Ва 1-хРЬхТОз, где х = 0,4-0,6 93-95 Указанное стекло 5 - 7 Роль оксидов-компонентов стекла, используемого в качестве добавки, сводится в следующему; ВгОз является стеклообразователем, РвО вводится для стабилизации структурной сетки стекла, АгОз повышает химическую стойкость стекла, ЧЧОз переводит твердый раствор (Ва 1-хРЬх)ТОз в полупроводниковоее состояние. Изобретение осуществляют следующим образом.Для изготовления полупроводникового керамического материала смесь карбоната бария, оксида свинца и оксида титана, взятых в соответствии с формульным составом (Ва 1-хРЬх)ТОз, где х = 0,4; 0,5; 0,6, прокаливают при 900 - 1000 С в течение 4 ч, затем измельчают и одновременно смешивают с. порошком стекла.Для изготовления стекла смесь оксидов свинца, алюминия, бора и вольфрама плавят в платиновом тигле при 1300 С в течение 1 Ч, затем расплав выливают на стальную плиту и измельчают.Из порошка титаната бария-.свинца с добавкой стекла прессуют заготовки терморезисторов в виде дисков диаметром 10 - 12 мм и высотой 2 - 3 мм. Заготовки обжигают при 1200-1240 С в течение 1-2 ч на воздухе, охлаждают со скоростью 100 К/ч, после чего образцы остывают:вместе с печью, Плоские поверхности образцов шлифуют и затем наносят измерительные электроды из А методом испарения в вакууме.Электрическое сопротивление терморезисторов при различных температурах определяют методом вольтметра-амперСоставитель В Редактор Т,Лазоренко Техред М.Морг 20 25 30 35 40 45 50 мас,ообеспечивает получение высоких значений аг терморезисторов 11,5 - 15,5/ОС. При выходе содержания компонентов в составе стекла за указанные пределы, а также количества добавки стекла, в материале происходит снижение Ог и Ь 9 0 либо повь 1 шение рго с. При этом величина Тсп составляет 1200-1240 С по сравнению с 1270 - 1300 С у материала прототипа, .Это уменьшает расход электроэнергии на производство терморезисторов, позволяет использовать более дешевые и простые в эксплуатации печи с нихромовыми нагревателями вместо карбид-кремниевых и не требует регулирования парциального давления кислорода при обжиге элементов и применения специальных свинецсодержащих засы пок.Формула изобренияПолупроводниковый керамический материал для терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивленйя, содержащий титанат бария- свинца формулы ВахРЬхТОз, где х = 0,4 - 0,6, и легирующую добавку, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью снижения температуры спекания и упрощения технологии при сохранении высоких значений температурного коэффициента. сопротивления, в качестве легирующей добавки используют стекло состава, мас.о : РЬО 65,2-76,8: ВгОз 15,2- 25,4; АгОз 2,7-6,7; ЮОз 2,3 - 3,8, при следующем соотношении компонентов материала, мас. О :В а 1-х Р ЬхТ Оз,где х = 0,4-0,6 93-95Указанное стекло 5 - 7

Смотреть

Заявка

4798810, 05.03.1990

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПРИ РОСТОВСКОМ ГОСУДАРСТВЕННОМ УНИВЕРСИТЕТЕ, РОСТОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ

ГОЛЬЦОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ, ШПАК ЛИДИЯ АЛЕКСЕЕВНА, РАЕВСКИЙ ИГОРЬ ПАВЛОВИЧ, СУРОВЯК ЗИГМУНД, ЮРКЕВИЧ ВИТОЛД ЭДУАРДОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C04B 35/00

Метки: материал, полупроводниковый, керамический

Опубликовано: 30.04.1992

Код ссылки

<a href="http://patents.su/2-1730080-poluprovodnikovyjj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый керамический материал</a>

Похожие патенты