Способ получения диодных матричных и полосовых структур

Номер патента: 168329

Авторы: Сидоренко, Савченко

Скачать ZIP архив.

Текст

Союз Советских Социалистических Республик, //Кл. 42 в 14 о 1 У -/42 гп, 4 юз21 а 1,об 8 . /,л Дб21 а,ю 752 ф, 11 ю 2МПК 6016 61Н 31 Ос-01 п011УДК 682.142.659 (088.8)621.374 (088,8)621,314,63/64 (088.8) Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 29,Х 11,1962 ( 811802/26-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 1811.1965, Бюллетень4Дата опубликования описания 26.11.1965 Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССРг Авторыизобретения В. И, Савченко и С. Л. Сидоренко Заявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОДНЫХ МАТРИЧНЫХ И ПОЛОСОВЫХ СТРУКТУРПредмет изобретения заоди исная группа Л 174 Известны способы получения диодных структур с большой плотностью диодов в единице объема.Предлагаемый способ получения диодных матричных и полосовых структур отличается 5 тем, что для получения диодных структур непосредственно из пластины германия электролитическим прорезанием образуют лунки в п-слое исходной пластины диффузионного п-р-п-германия, затем осаждают металл, на носят изолирующий рисунок шин и травлением формируют матричную диодную структуру, в которой холостые перекрестия шин заполнены квазиизолирующими столбиками п-р-п-германия, 15Сущность способа заключается в следующем, Исходную пластину германия подвергают двусторонней диффузии из пара ЯЬ в атмосфере водорода при температуре 850 С. После этого в полученной п-р-п-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствую щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 - 90 мм, 30 Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8 - 0,9 мм). Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока /=0,1 - 0,15 а/см 2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а пластину помещают на химическое растворение германия в кипящий 30 ю/ю-ный раствор Н 20 ю с добавкой КаОН и травят до тех пор, пока германий не останется лишь в виде столбиков на холостых перекрестиях шин. Контроль процесса - визуальный.Таким образом, получается миниатюрная диодная матрица, представляющая собой две взаимно перпендикулярные системы параллельных шин, в узлах которых расположены диоды, а холостые перекрестия заполнень 1 квазиизолирующими столбиками и-р-и-германия. Плотность расположения диодов в матрице составляет 250 - 300 диодов в куб, см. Полосовую структуру получают разрезанием матриц,Способ получения диодных матричных и полосовых структур, отличающийся тем, что, с целью получения диодных структур непосредЗаказ 3803/15 Тираж 900 Формат бум. 60 Х 90/з Овъем О,1 изд, л. Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4Типография, пр. Сапунова, 2 ственно из пластины германия, электролитическим прорезанием образуют лунки в и-слое исходной пластины диффузионного и-р-п-германия, осаждают металл, наносят изолирующий рисунок шин и травлением формируютматричную диодную структуру, в которой холостые перекрестия шин заполнены квазиизолирующими столбиками п-р-п-германия.

Смотреть

Заявка

811802

В. И. Савченко, С. Л. Сидоренко

МПК / Метки

МПК: G11C 11/36

Метки: матричных, полосовых, диодных, структур

Опубликовано: 01.01.1965

Код ссылки

<a href="http://patents.su/2-168329-sposob-polucheniya-diodnykh-matrichnykh-i-polosovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения диодных матричных и полосовых структур</a>

Похожие патенты