Скачать ZIP архив.

Описание

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее раскалывают вдоль этих канавок на всю толщину и образовавшиеся пазы заполняют диэлектрическим связующим веществом.

Заявка

3867177/25, 13.03.1985

Дмитриев В. К, Бекирев У. А, Елкин А. Г, Казаков Б. В, Полторацкий Э. А, Семеников А. И, Хитько В. И, Шелюхин Е. Ю

МПК / Метки

МПК: H01L 21/46

Метки: матриц, диодных

Опубликовано: 20.07.2012

Код ссылки

<a href="http://patents.su/1-1277842-sposob-izgotovleniya-diodnykh-matric.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления диодных матриц</a>

Похожие патенты