Способ ионного внедрения в кристаллические подложки

Номер патента: 906304

Автор: Герасименко

Описание

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.

Заявка

2987444/25, 02.10.1980

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Герасименко Н. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/423

Метки: внедрения, подложки, ионного, кристаллические

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="http://patents.su/0-906304-sposob-ionnogo-vnedreniya-v-kristallicheskie-podlozhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ ионного внедрения в кристаллические подложки</a>

Похожие патенты