Способ изготовления n-p-переходов

Описание

Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют луч лазера с длиной волны излучения 0,46 - 0,51 мкм, работающего в непрерывном режиме на мощности 0,1 - 1,0 Вт, фокусируют его по оси изготовленной диодной структуры в пятно диаметром, составляющим 0,5 - 0,6 диаметра n-p-перехода, затем плавно в течение 2 - 3 мин увеличивают мощность до значения 5 - 50 Вт и выдерживают на этой мощности 3 - 30 мин, затем мощность плавно уменьшают до нуля в течение 2 - 3 мин.

Заявка

2603673/25, 12.04.1978

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Алферов Г. Н, Бакланов М. Р, Герасименко Н. Н, Донин В. И, Ловягин Р. Н, Мурадов С. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="http://patents.su/0-719390-sposob-izgotovleniya-n-p-perekhodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления n-p-переходов</a>

Похожие патенты