Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним

Номер патента: 1450665

Авторы: Герасименко, Васильев

Описание

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в течение 15-45 мин.

Заявка

3996157/25, 20.12.1985

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Васильев С. В, Герасименко Н. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, мелких, n-p-переходов, ним, создания

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="http://patents.su/0-1450665-sposob-sozdaniya-melkikh-n-p-perekhodov-i-kontaktov-k-nim.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним</a>

Похожие патенты